문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 2개의 상변화 물질 패턴들 및 상기 고저항 상변화 물질 패턴의 초기 상태는결정상태인것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 상변화 물질 패턴은 칼코게나이드(chalcogenide) 원소인 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유하는물질로이루어지는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 고저항 상변화 물질 패턴은 산화된 상변화 물질 및 질화된 상변화 물질 중 선택된적어도하나로이루어지는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 산화된 상변화 물질은 칼코게나이드(chalcogenide) 원소인 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유함과 동시에 산소(o)를 함유하는 물질이고, 상기 질화된 상변화 물질은 칼코게나이드(chalcogenide) 원소인 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유함과 동시에 질소(n)를 함유하는물질인것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 정보저장요소 상에 적층된 베리어 패턴을 더 포함하되, 상기 베리어패턴도전막인것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 하부 층간절연막을 관통하여 상기 반도체기판의 소정영역과 접속하고, 상부면이 상기 정보저장요소의 하부면과 접속하는 하부 플러그; 상기 하부 층간절연막 및 상기 정보저장요소를 덮는 상부 층간절연막; 상기 상부 층간절연막을 관통하여 상기 정보저장요소의 상부면과 접속하는 상부플러그; 및 상기 상부 층간절연막 상에 배치되되, 상기 상부플러그의 상부면과 접속하는배선더포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,상기 복수개의 상변화 물질 패턴들 및 상기 복수개의 고저항 상변화 물질 패턴들의 초기 상태는결정상태인것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 10]
제 8 항에 있어서,상기 상변화 물질 패턴은 칼코게나이드(chalcogenide) 원소인 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유하는물질로이루어지는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 11]
제 8 항에 있어서,상기 고저항 상변화 물질 패턴은 산화된 상변화 물질 및 질화된 상변화 물질 중 선택된적어도하나로이루어지는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 산화된 상변화 물질은 칼코게나이드(chalcogenide) 원소인 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유함과 동시에 산소(o)를 함유하는 물질이고, 상기 질화된 상변화 물질은 칼코게나이드(chalcogenide) 원소인 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유함과 동시에 질소를 함유하는물질인것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 13]
제 8 항에 있어서,상기 정보저장요소의 하부면 및 상부면은상기상변화물질패턴들이루어지는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 14]
제 8 항에 있어서,상기 정보저장요소 상에 적층된 베리어 패턴을 더 포함하되, 상기 베리어패턴도전막인것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 15]
제 8 항에 있어서,상기 하부 층간절연막을 관통하여 상기 반도체기판의 소정영역과 접속하고, 상부면이 상기 정보저장요소의 하부면과 접속하는 하부 플러그; 상기 하부 층간절연막 및 상기 정보저장요소를 덮는 상부 층간절연막; 상기 상부 층간절연막을 관통하여 상기 정보저장요소의 상부면과 접속하는 상부플러그; 및 상기 상부 층간절연막 상에 배치되되, 상기 상부플러그의 상부면과 접속하는배선더포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
상변화 기억 소자에서 고저항 상변화 물질 패턴이 산화된 상변화 물질인 경우, 해당 물질을 구성하는 원소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation고저항 상변화 물질 패턴이 '산화된 상변화 물질'일 때, 이를 구성하는 원소들을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5(또는 12)에서 산화된 상변화 물질의 구성을 정의하는 내용을 추출한다.
- 상기 산화된 상변화 물질은 칼코게나이드(chalcogenide) 원소인 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유함과 동시에 산소(o)를 함유하는 물질
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3근거 선택
evidence_selection산화된 상변화 물질의 구성 원소인 텔루리움(te), 셀레니움(se), 산소(o)에 관한 구절을 선택한다.
- 텔루리움(te) 및 셀레니움(se) 중 선택된 적어도 하나를 함유함과 동시에 산소(o)를 함유하는 물질
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4논리 통합
logical_integration산화된 물질은 칼코게나이드 원소(Te 또는 Se)와 산소(O)를 모두 포함한다는 논리를 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation구성 원소는 텔루리움(te), 셀레니움(se), 산소(o)임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 구성 원소 리스트를 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
텔루리움(te), 셀레니움(se), 산소(o)
핵심 해석 (core_interpretation)
상변화 기억 소자의 고저항 상태를 형성하기 위해 칼코게나이드 원소(Te, Se)가 산화되어 산소(O)를 포함하게 된 물질의 구성을 정의하고 있다.