강유전체 기억 소자 및 그 제조 방법 document_id 1020030013748

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터 적층구조들 및 상기 금속 배선들 사이에 이들을 전기적으로 연결시키는 도전막 패턴들을 더 포함하며,상기 각 도전막 패턴은 열 방향으로 인접한 2개의 강유전체 커패시터 적층구조들과 중첩되도록 열 방향으로 신장되는 동시에 행 방향으로 적어도 4개의 강유전체 커패시터 적층구조들에 중첩되도록 행 방향으로 신장하여 적어도 8개의 강유전체 커패시터 적층구조들에 전기적으로 공통으로 연결되며, 행 및 열 방향으로 배치되고,상기 각 도전막 패턴들 상부에는 그것들과 직교하도록적어도2개의금속배선들지나가는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,행 방향으로 적어도 4개, 열 방향으로 2개 배열된 적어도 4*2개의 강유전체 커패시터 적층구조들의 상부 전극들은 서로 연결되어 하나의 공통 상부 전극을 구성하며,상기 각 공통 상부 전극 상부에 그것들과 직교하도록적어도2개의금속배선들지나가는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,도전막 패턴은 행 방향 4개 및 열 방향 2개씩 배열된 4*2개의 강유전체 적층구조들의 4*2 개의 상부 전극들을 덮으며 이들에 공통으로 전기적으로 연결되고, 2개의 금속 배선들이 각 도전막 패턴들과 직교하며,홀수 열의 금속 배선은 홀수 행의 도전막 패턴에 전기적으로 연결되고, 짝수 열의 금속 배선은 짝수 번째 행의 도전막 패턴에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,도전막 패턴은 행 방향으로 2k+1개, 열 방향으로 2개씩 배치된 2k+1*2개의 강유전체 적층구조들의 2k+1*2 개의 상부 전극들을 덮으며 이들에 공통으로 전기적으로 연결되고, 각 도전막 패턴은 2k개의 금속 배선들과 직교하며(여기서 k는 자연수이며),2k*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k 까지 순차적으로 증가) 번째 열의 금속 배선은 2k*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대해서 1부터 2k까지 순차적으로 증가) 번째 행의 도전막 패턴에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 6] 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,도전막 패턴nan은상기상부 전극들직접접촉하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 7] 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,도전막 패턴은 상기 상부 전극들 각각에 대응하는 비아 콘택들을 통해서전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 8] 제 3 항에 있어서,행 방향으로 4개, 열 방향으로 2개 배치된 4*2개의 강유전체 적층구조들의 상부 전극들이 서로 연결되어 하나의 공통 상부 전극을 구성하고, 2개의 금속 배선들이 각 공통 상부 전극과 직교하며,홀수 열의 금속 배선은 홀수 행의 공통 상부 전극에 전기적으로 연결되고, 짝수 열의 금속 배선은 짝수 행의 공통 상부 전극에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 9] 제 3 항에 있어서,행 방향으로 2k+1개, 열 방향으로 2개 배치된 2k+1*2개의 강유전체 적층구조들의 상부 전극들이 서로 연결되어 하나의 공통 상부전극을 구성하고, 2k 개의 금속 배선이 각 공통 상부 전극과 직교하며, 여기서 k는 자연수이며,2k*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k 까지 순차적으로 증가) 번째 열의 금속 배선은 2k*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대해서 1부터 2k까지 순차적으로 증가) 번째 행의 공통 상부전극에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터 적층구조들 및 상기 금속 배선들 사이에 이들을 전기적으로 연결시키는 도전막 패턴들을 더 포함하며,상기 각 도전막 패턴은 행 방향으로 적어도 4개의 강유전체 커패시터 적층구조들에 중첩되도록 행 방향으로 신장하여 행 및 열 방향으로 배치되며, 상기 각 도전막 패턴은 적어도 4개의 강유전체 커패시터 적층구조들에 전기적으로 공통으로 연결되며,상기 각 도전막 패턴들 상부에는 그것들과 직교하도록적어도4개의금속배선들지나가는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,행 방향으로 배열된 적어도 4개의 강유전체 커패시터 적층구조들의 상부 전극들은 서로 연결되어 하나의 공통 상부 전극을 구성하며,상기 각 공통 상부 전극 상부에 그것들과 직교하도록적어도4개의금속배선들지나가는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,도전막 패턴은 행 방향으로 배열된 2k+1개의 강유전체 커패시터 적층구조들을 덮으며 이들에 공통으로 전기적으로 연결되고, 2k+1개의 금속 배선들이 각 도전막 패턴과 직교하며,2k+1*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k+1 까지 순차적으로 증가) 번째 열의 금속 배선은 2k+1*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대해서 1부터 2k+1까지 순차적으로 증가) 번째 행의 도전막 패턴에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,도전막 패턴nan은상기상부 전극들직접접촉하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,도전막 패턴은 상기 상부 전극들 각각에 대응하는 비아 콘택들을 통해서전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,행 방향으로 배열된 2k+1개의 강유전체 적층구조들의 2k+1개의 상부 전극들이 서로 연결되어 하나의 공통 상부전극을 구성하며, 2k+1개의 금속 배선들이 각 공통 상부 전극들과 직교하며, 여기서 k는 자연수이며,2k+1*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k+1 까지 순차적으로 증가) 번째 열의 금속 배선은 2k+1*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대해서 1부터 2k+1까지 순차적으로 증가) 번째 행의 공통 상부전극에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터 적층구조들 단위 및 상기 금속 배선들은, 이들 사이에 배치되며 2k 개의 금속 배선들에 직교하도록 행 방향으로 신장되되, 상기 행 방향 및 열 방향으로 배치된 2k+1*2 개의 강유전체 커패시터 적층구조들 단위에 전기적으로 접속하는, 행 및 열 방향으로 배치된 도전막 패턴들에 의해서전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,여기서, n은 자연수, 1≤i≤2k) 번째 열의 금속 배선은 2k*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, 1≤i≤2k) 번째 행의 도전막 패턴에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,상기 행 방향 및 열 방향으로 배치된 2k+1*2 개의 강유전체 커패시터 적층구조들 단위는 하나의 공통 상부전극을 공유하며, 2k 개의 금속 배선이 상기 각 공통 상부 전극과 직교하며,상기 금속 배선이 상기 공통 상부전극에전기적접속하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k 까지 순차적으로 증가) 번째 열의 금속 배선은 2k*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대해서 1부터 2k까지 순차적으로 증가) 번째 행의 공통 상부전극에전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 21] 제 18 항에 있어서,도전막 패턴nan은상부전극들직접접촉하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 22] 제 18 항에 있어서,도전막 패턴은 상부전극들 각각에 대응하는 비아 콘택들을 통해서전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 강유전체 커패시터 적층구조들 단위 및 상기 금속 배선들은, 이들 사이에 배치되며 2k+1 개의 금속 배선들에 직교하도록 행 방향으로 신장되되, 상기 행 방향 및 열 방향으로 배치된 2k+1 개의 강유전체 커패시터 적층구조들 단위에 전기적으로 접속하는, 행 및 열 방향으로 배치된 도전막 패턴들에 의해서전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 행 방향 및 열 방향으로 배치된 2k+1 개의 강유전체 커패시터 적층구조들 단위는 하나의 공통 상부 전극을 공유하며,상기 금속 배선이 상기 공통 상부전극에전기적접속하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 26] 제 24 항에 있어서,여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k+1까지 순차적으로 증가) 번째 열의 금속 배선은 2k+1*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k+1까지 순차적으로 증가) 번째 행의 도전막 패턴에전기적접속하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,도전막 패턴nan은상부전극들직접접촉하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 28] 제 26 항에 있어서,도전막 패턴은 상부전극들 각각에 대응하는 비아 콘택들을 통해서전기적연결되는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자. [청구항 29] 제 26 항에 있어서,여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k+1까지 순차적으로 증가) 번째 열의 금속 배선은 2k+1*(n-1)+i(여기서, n은 자연수, i는 각 k에 대하여 1부터 2k+1까지 순차적으로 증가) 번째 행의 공통 상부 전극에전기적접속하는것을특징으로 하는강유전체 기억 소자.