문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 상변화 물질막의 상기 수직부 선단은 알파벳 대문자 "v" 형상나타내는상변화 기억 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 제1전극은 상기 상변화 물질막의 상기 수직부 선단에 접촉하는 함몰된 경사부 및 상기 함몰된 경사부에 연속하며 상기 상변화 물질막의 수평부에 절연막에 의해 이격되어 평행한 수평부포함하는상변화 기억 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 제1전극의 상기 함몰된 경사부는 알파벳 대문자형상인상변화 기억 소자.
[청구항 6]
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제1절연막은 질화산화실리콘막 및 산화실리콘막이 차례로 적층되어 이루어지고, 상기 제1개구부의 하부 수직 측벽부는 상기 질화산화실리콘막에 의해 정의되고, 상기 제1개구부의 상부 경사 측벽부는상기산화실리콘막에의해정의되는상변화 기억 소자.
[청구항 7]
제 4 항에 있어서,상기 제2개구부의 직경은 상기 제1개구부의 하부 수직측벽부에의해정의되는하부 개구부의 직경보다 더 작은 상변화 기억 소자.
[청구항 8]
제 6 항에 있어서,상기 제2개구부의 직경은 상기 제1개구부의 하부 수직측벽부에의해정의되는하부 개구부의 직경보다 더 작은 상변화 기억 소자.
[청구항 9]
제 4 항에 있어서,상기 상변화 물질막은 te, se 중 적어도 하나 이상 선택되고 ge, sb, bi, pb, sn, ag, as, s, si, p, o, n 중에서 적어도 하나 이상 선택된 물질의조합인상변화 기억 소자.
[청구항 10]
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제1절연막은, 임시 개구부를 가지면서 질화산화실리콘막 및 산화실리콘막이 차례로 적층된 이중막 구조 및 상기 임시 개구부 양측벽에 배치되며 상부는 경사지고 하부는 수직인 절연막 스페이서로 이루어지고, 상기 제1개구부의 상부 경사 측벽부는 상기 절연막 스페이서의 상부 경사부에 의해 정의되고, 상기 제1개구부의 하부 수직 측벽부는상기절연막스페이서의하부수직부에의해서정의되는상변화 기억 소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 제2개구부의 직경은 상기 제1개구부의 하부 수직측벽부에의해정의되는하부 개구부의 직경보다 더 작은 상변화 기억 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1절연막이 질화산화실리콘막과 산화실리콘막의 적층 구조로 이루어지는 경우, 제1개구부의 상부 경사 측벽부와 하부 수직 측벽부는 각각 어떠한 막에 의해 정의되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1절연막이 질화산화실리콘막과 산화실리콘막의 적층 구조일 때, 제1개구부의 상부 경사 측벽부와 하부 수직 측벽부를 정의하는 각각의 막을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 제1절연막의 구성과 제1개구부의 측벽부 정의에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 제1절연막은 질화산화실리콘막 및 산화실리콘막이 차례로 적층되어 이루어지고, 상기 제1개구부의 하부 수직 측벽부는 상기 질화산화실리콘막에 의해 정의되고, 상기 제1개구부의 상부 경사 측벽부는상기산화실리콘막에의해정의되는
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 조건(질화산화실리콘막 및 산화실리콘막 적층)과 일치하는 청구항 6의 구절을 선택한다.
- 상기 제1개구부의 하부 수직 측벽부는 상기 질화산화실리콘막에 의해 정의되고, 상기 제1개구부의 상부 경사 측벽부는상기산화실리콘막에의해정의되는
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거를 바탕으로 하부 수직 측벽부는 질화산화실리콘막에 의해, 상부 경사 측벽부는 산화실리콘막에 의해 정의됨을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문의 질문 순서(상부 경사 측벽부, 하부 수직 측벽부)에 맞춰 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
상부 경사 측벽부는 산화실리콘막에 의해 정의되고, 하부 수직 측벽부는 질화산화실리콘막에 의해 정의된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제1절연막이 질화산화실리콘막과 산화실리콘막의 적층 구조로 구성될 경우, 제1개구부의 형상(상부 경사 및 하부 수직)은 각 막의 적층 순서에 따라 결정된다.