문맥 (context)
[청구항 1]
반도체기판 상에 배치된 게이트 전극
상기 게이트 전극 일측의 상기 반도체기판 내에 형성된 불순물확산층
상기 게이트 전극, 불순물확산층 및 반도체기판을 덮는 버퍼절연막
상기 게이트 전극의 측벽에 대향된 상기 버퍼절연막 상에 형성된 스페이서
상기 스페이서를 갖는 반도체기판 전면 상에 차례로 적층되되, 상기 게이트 전극, 불순물확산층, 버퍼절연막 및 스페이서의 소정영역들을 노출시키는 버팅콘택홀이 형성된 식각저지막 및 층간절연막; 및
상기 버팅콘택홀에 노출된 버퍼절연막의 리세스된 영역을 채우는 식각 보호 패턴을 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 반도체기판의 소정영역에 배치되어 활성영역을 한정하는 소자분리막을 더 포함하되, 상기 게이트 전극은 상기 활성영역 상에 배치되고, 상기 불순물확산층은상기게이트 전극일측의상기활성영역내배치된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 반도체기판의 소정영역에 배치되어 제1 및 제2 활성영역들을 한정하는 소자분리막을 더 포함하되, 상기 불순물확산층은 상기 제1 활성영역 내에 배치되고, 상기 게이트 전극은 상기 제2 활성영역 상에 배치되며, 상기 게이트 전극은 상기 소자분리막 상에 연장되어상기불순물확산층인접한것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 식각 보호 패턴은 상기 식각저지막 및 상기 버퍼절연막에 비하여 식각율이 느린물질막으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 버팅 콘택홀을 채우는도전패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자에서 버팅콘택홀을 통해 노출되는 구성 요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1의 반도체 소자에서 버팅콘택홀을 통해 노출되는 구성 요소들을 찾아 목록 형태로 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 버팅콘택홀의 형성 목적과 노출되는 대상에 관한 구절을 확인한다.
- 상기 게이트 전극, 불순물확산층, 버퍼절연막 및 스페이서의 소정영역들을 노출시키는 버팅콘택홀
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3근거 선택
evidence_selection버팅콘택홀이 노출시킨다고 명시된 구성 요소인 게이트 전극, 불순물확산층, 버퍼절연막, 스페이서를 선택한다.
- 상기 게이트 전극, 불순물확산층, 버퍼절연막 및 스페이서의 소정영역들을 노출시키는 버팅콘택홀
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4논리 통합
logical_integration추출된 네 가지 구성 요소(게이트 전극, 불순물확산층, 버퍼절연막, 스페이서)가 버팅콘택홀을 통해 노출되는 대상임을 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 노출되는 구성 요소들을 나열하여 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
게이트 전극, 불순물확산층, 버퍼절연막, 스페이서
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 식각저지막 및 층간절연막에 형성된 버팅콘택홀을 통해 게이트 전극, 불순물확산층, 버퍼절연막 및 스페이서의 특정 영역을 노출시키는 반도체 소자 구조에 관한 것이다.