웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법 document_id 1020030033844

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 상부전극은 가장자리를 따라 하향 돌출부를 가지며, 중앙부에 공정가스 공급관이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 상부전극의 하향 돌출부 내측에 부착되며, 공정가스가 상기 웨이퍼의 가장자리를 따라 분산공급되도록 상기 상부전극과의 사이에 일정한 간극을 유지하는 원통상의 절연판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 절연판은 그의 외측벽이, 상기 절연판과 상기 상부전극의 하향 돌출부의 내측벽과의 사이로 통과되는 공정가스가 상기 웨이퍼의 가장자리로 외향 공급되도록 적어도 외측으로 하향 경사진 하향경사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 절연판의 하향경사부의 말단은 수직 프로파일을 갖는 수직부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 6] 제 3 항에 있어서,상기 절연판의 중앙에는 보조가스를 공급할 수 있는 보조가스 공급관이 더 형성되어 있으며, 상기 보조가스를 방사상으로 분산 공급할 수 있도록 상기 보조가스 공급관이 형성된 상기 절연판의 하부 표면상에 부착되는 보조절연판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 절연판 및 보조절연판은 세라믹으로 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 8] 제 3 항에 있어서,상기 절연판의 하부 표면의 직경은 상기 웨이퍼의 가장자리를 따라 일정한 폭의 오픈영역이 형성되도록 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 9] 제 3 항에 있어서,상기 절연판과 상기 웨이퍼간의 갭을 조절할 수 있도록 상기 절연판 및 상기 상부전극을 상하로 이동시킬 수 있는 상하 이동수단이 더 포함된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 절연판과 상기 웨이퍼간의 갭은 적어도 0.3 mm 까지 조절되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 상부전극 및 절연판의 상하 이동 경로를 따라 상기 상부전극 또는 상기 절연판의 상하 위치를 감지할 수 있는 위치 감지수단과, 상기 위치 감지수단에 의해 감지된 신호에 따라 상기 상부전극 및 절연판의 상하 이동을 제동할 수 있는 제동수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 하부전극의 상부 표면은 상기 웨이퍼의 하부 표면과 직접 접촉될 수 있으며, 상기 하부전극의 상부 표면의 형상이 그 위에 직접 접촉되는 웨이퍼의 형상에 대응하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 하부전극의 상부 표면의 직경은 상기 웨이퍼의 가장자리를 따라 일정한 폭의 비접촉 영역이 형성되도록 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 하부전극의 상부 표면에는 웨이퍼의 미끄럼을 방지할 수 있는 적어도 하나의 비폐곡선형 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 하부전극의 상부 표면에는 방사상으로 배치된 복수개의 비폐곡선형 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 하부전극의 상부 표면에 상기 웨이퍼를 강제적으로 척킹할 수 있는 척킹수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 17] 제 12 항에 있어서,상기 하부전극에는 상기 웨이퍼를 상승 또는 하강시킬 수 있는 리프트핀 홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,상기 하부전극의 온도를 조절할 수 있는 하부전극 냉각수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,상기 하부전극의 측벽과 상기 측부전극 사이에는 세라믹으로 된 제1절연체가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 20] 제 1 항에 있어서,상기 측부전극은 상기 하부전극을 둘러싸는 링 형상임을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,상기 상부전극 및 측부전극은 애노드이며, 상기 하부전극은 캐소드임을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,상기 상부전극 및 측부전극은 캐소드이며, 상기 하부전극은 애노드임을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 23] 제 1 항에 있어서,상기 하부전극 및 측부전극은 애노드이며, 상기 상부전극은 캐소드임을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 24] 제 1 항에 있어서,상기 상부전극 및 측부전극은 캐소드이며, 상기 하부전극은 애노드임을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 25] 제 1 항에 있어서,상기 하부전극과 상기 처리챔버의 내측벽 사이에 배플판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리처리하기 위한플라즈마 처리장치. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 절연판의 하향 경사부의 말단으로부터 상기 절연판의 하부면까지는 상기 절연판 외측벽가수직프로파일갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치용 절연판. [청구항 28] 제 26 항에 있어서,상기 절연판의 중앙에는가스공급관더형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치용 절연판. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 절연판의 중앙에 형성된 가스 공급관으로부터 공급되는 가스를 방사상으로 분산 공급할 수 있도록 상기 가스 공급관이 형성된 상기 절연판의 하부 표면상에 부착되는보조절연판더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치용 절연판. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 절연판 및 보조절연판은세라믹으로된것을특징으로 하는플라즈마 처리장치용 절연판. [청구항 31] 제 26 항에 있어서,상기 절연판의 외측벽에 형성되는 하향 경사부는 상기 절연판과 일체로 형성되거나, 상기 절연판의 외측벽으로부터 탈부착할 수 있도록 별개로 형성될 수있는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치용 절연판. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,상기 비폐곡선형 홈은 상기 하부전극의 표면상에 방사상으로복수개형성된것을특징으로 하는플라즈마 처리장치용 하부전극. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 비폐곡선형 홈nan은직선형또는곡선형형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치용 하부전극.