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나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법 document_id 1020030042676

출원번호
1020030042676
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1항에 있어서,패턴내에 소정의 입자를 충진하고 그 위에 고분자침투억제층을 코팅하는단계더구비됨을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 3] 제 2항에 있어서,고분자침투억제층은 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄의 군에서 선택되는적어도하나이상의금속포함함을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 4] 제 1항에 있어서,연성 고분자 주형은 레플리카몰딩법, 임프린팅법, 모세관 마이크로몰딩법, 전이몰딩법, 직접전이몰딩법, 용액의 도움을 받은 마이크로몰딩법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해수행됨을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 5] 제 1항에 있어서,충진되는 입자는 폴리머 비드, 금속재료, 세라믹 입자의 군에서 선택되는 단일입자 또는 2이상의 혼합입자특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 6] 제 1항에 있어서,입자의 충진과정은 딥코팅법, 스핀코팅법, 모세관 흐름을 이용하는 방법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 따라수행됨을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 7] 제 1항에 있어서,고분자 박막은 폴리스타이렌, 폴리메틸메타아크릴레이트,폴리아크릴레이트, 폴리우레아, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴아마이드, 폴리비닐알코올, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌옥사이드와 이들의 공중합체의 군에서 선택되는적어도하나이상포함함을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 9] 제 8항에 있어서,패턴내에 소정의 입자를 충진하고 그 위에 고분자침투억제층을 코팅하는단계더구비됨을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 10] 제 9항에 있어서,고분자침투억제층은 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄의 군에서 선택되는적어도하나이상의금속포함함을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 11] 제 8항에 있어서,연성 고분자 주형은 레플리카몰딩법, 임프린팅법, 모세관 마이크로몰딩법, 전이몰딩법, 직접전이몰딩법, 용액의 도움을 받은 마이크로몰딩법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해수행됨을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 12] 제 8항에 있어서,충진되는 입자는 폴리머 비드, 금속재료, 세라믹 입자의 군에서 선택되는 단일입자 또는 2이상의 혼합입자특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 13] 제 8항에 있어서,입자의 충진과정은 딥코팅법, 스핀코팅법, 모세관 흐름을 이용하는 방법에서 선택되는 어느 하나의 방법에 따라수행됨을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법 [청구항 14] 제 8항에 있어서,폴리머전구체는 폴리스타이렌, 폴리메틸메타아크릴레이트,폴리아크릴레이트, 폴리우레아, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴아마이드, 폴리비닐알코올, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌옥사이드와 이들의 공중합체의 군에서 선택되는적어도하나이상포함함을특징으로 하는고분자 박막의 제조방법
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
고분자 박막의 제조 방법 중 패턴 내에 입자를 충진한 후 고분자침투억제층을 코팅하는 단계가 포함될 경우, 해당 고분자침투억제층을 구성할 수 있는 금속의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    패턴 내 입자 충진 후 고분자침투억제층을 코팅하는 공정이 포함된 경우, 해당 층을 구성하는 금속의 종류를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2(또는 9)에서 입자 충진 후 고분자침투억제층을 코팅하는 단계를 확인하고, 청구항 3(또는 10)에서 해당 층의 금속 성분을 추출한다.

    • 패턴내에 소정의 입자를 충진하고 그 위에 고분자침투억제층을 코팅하는단계, 고분자침투억제층은 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄의 군에서 선택되는적어도하나이상의금속포함함
  3. 3근거 선택evidence_selection

    고분자침투억제층의 구성 금속이 명시된 청구항 3과 10의 구절을 선택한다.

    • 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄의 군에서 선택되는적어도하나이상의금속포함함
  4. 4논리 통합logical_integration

    질문에서 제시한 제조 방법 조건이 청구항 2/9의 조건과 일치하므로, 이를 종속하는 청구항 3/10의 금속 목록이 정답이 된다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    고분자침투억제층을 구성할 수 있는 금속은 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄이다.

    • 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 금속 목록을 리스트 형식으로 작성한다.

    • 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄
최종 답변 (final_answer)
금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄
핵심 해석 (core_interpretation)
고분자 박막 제조 시 패턴 내 입자 충진 후 고분자 침투를 방지하기 위해 금, 은, 팔라듐, 구리, 크롬, 타이타늄 중 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 억제층을 형성하는 기술이다.