플라즈마 처리 장치 document_id 1020030048690

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 안테나는 처리실의 외부에 배치된 도파로 또는 공진기로부터 전압을 인출하는 전압 인출 로드와, 이 전압 인출 로드를 둘러싸는 절연성 재료포함하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 안테나를 처리실에 배치하여, 선형 라인이나 곡선형 라인 또는 선형 라인과 곡선형 라인의 조합제공하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 도파로에서 상기 전압 인출 로드(17)의 전압 인출 위치는, 도파로의 종단으로부터 {(1+2m)/2}λg ±(1/4)λg (여기에서 λg는 도파로의 파장이고, m은정수상응하는위치인 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 처리실에 배치된 전압 인출 로드의 두께 또는 직경은마이크로파전파방향에따라변화하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기 전압 인출 로드가 상기 도파로 또는 공진기 안으로 돌출하는 정도를 변경하는 튜너구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제2항에 있어서,플라즈마와 도파로 또는 공진기 사이의 결합을 변화시킬 수 있도록, 전압 인출 로드 자체를 이동시키는 기구구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 전압 인출 로드와 절연성 재료 사이에 절연성 유체순환되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제2항에 있어서,상기 상판과 전압 인출 로드 사이의 거리를 일정하지 않게 변화시키는 기구구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,발생된 플라즈마의 상태를 모니터하기 위하여, 상판의 하나 이상의 위치에 측정 장치배치하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,공급할 가스를 상기 처리실로 유동시키기 위한 복수 개의 구멍이 상판마련되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 피처리 물체를 지지하는 적재대가 상기 처리실에 배치되고, 이 적재대에바이어스인가될수있는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 처리실에 있는 접지선의 일부 또는 전부에는 개구가 마련되고, 마이크로파 전기장이 상기 개구로부터 상기 접지선의 외부를 향해 방출되어 플라즈마발생되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 안테나는 처리실의 외부에 배치된 도파로 또는 공진기로부터 전압을 인출하는 전압 인출 로드와, 이 전압 인출 로드를 둘러싸는 절연성 재료포함하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 하나 이상의 안테나를 처리실에 배치하여, 선형 라인이나 곡선형 라인 또는 선형 라인과 곡선형 라인의 조합제공하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 도파로에서 상기 전압 인출 로드(17)의 전압 인출 위치는, 도파로의 종단으로부터 {(1+2m)/2}λg ±(1/4)λg (여기에서 λg는 도파로의 파장이고, m은정수상응하는위치인 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제15항에 있어서,상기 처리실에 배치된 전압 인출 로드의 두께 또는 직경은마이크로파전파방향에따라변화하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제15항에 있어서,상기 전압 인출 로드가 상기 도파로 또는 공진기 안으로 돌출하는 정도를 변경하는 튜너구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제15항에 있어서,플라즈마와 도파로 또는 공진기 사이의 결합을 변화시킬 수 있도록, 전압 인출 로드 자체를 이동시키는 기구구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제15항에 있어서,상기 전압 인출 로드와 절연성 재료 사이에 절연성 유체순환되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제15항에 있어서,상기 상판과 전압 인출 로드 사이의 거리를 일정하지 않게 변화시키는 기구구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제14항에 있어서,발생된 플라즈마의 상태를 모니터하기 위하여, 상판의 하나 이상의 위치에 측정 장치배치하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 24] 제14항에 있어서,공급할 가스를 상기 처리실로 유동시키기 위한 복수 개의 구멍이 상판마련되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제14항에 있어서,상기 피처리 물체를 지지하는 적재대가 상기 처리실에 배치되고, 이 적재대에바이어스인가될수있는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제14항에 있어서,상기 처리실에 있는 접지선의 일부 또는 전부에는 개구가 마련되고, 마이크로파 전기장이 상기 개구로부터 상기 접지선의 외부를 향해 방출되어 플라즈마발생되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 안테나는 처리실의 외부에 배치된 도파로 또는 공진기로부터 전압을 인출하는 전압 인출 로드와, 이 전압 인출 로드를 둘러싸는 절연성 재료포함하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 하나 이상의 안테나를 처리실에 배치하여, 선형 라인이나 곡선형 라인 또는 선형 라인과 곡선형 라인의 조합제공하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 30] 제28항에 있어서,상기 도파로에서 상기 전압 인출 로드(17)의 전압 인출 위치는, 도파로의 종단으로부터 {(1+2m)/2}λg ±(1/4)λg (여기에서 λg는 도파로의 파장이고, m은정수상응하는위치인 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 31] 제28항에 있어서,상기 처리실에 배치된 전압 인출 로드의 두께 또는 직경은마이크로파전파방향에따라변화하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제28항에 있어서,상기 전압 인출 로드가 상기 도파로 또는 공진기 안으로 돌출하는 정도를 변경하는 튜너구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 33] 제28항에 있어서,플라즈마와 도파로 또는 공진기 사이의 결합을 변화시킬 수 있도록, 전압 인출 로드 자체를 이동시키는 기구구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제28항에 있어서,상기 전압 인출 로드와 절연성 재료 사이에 절연성 유체순환되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 35] 제28항에 있어서,상기 상판과 전압 인출 로드 사이의 거리를 일정하지 않게 변화시키는 기구구비하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 36] 제27항에 있어서,발생된 플라즈마의 상태를 모니터하기 위하여, 상판의 하나 이상의 위치에 측정 장치배치하는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 37] 제27항에 있어서,공급할 가스를 상기 처리실로 유동시키기 위한 복수 개의 구멍이 상판마련되는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 38] 제27항에 있어서,상기 피처리 물체를 지지하는 적재대가 상기 처리실에 배치되고, 이 적재대에바이어스인가될수있는 것인플라즈마 처리 장치. [청구항 39] 제27항에 있어서,상기 처리실에 있는 접지선의 일부 또는 전부에는 개구가 마련되고, 마이크로파 전기장이 상기 개구로부터 상기 접지선의 외부를 향해 방출되어 플라즈마발생되는 것인플라즈마 처리 장치.