문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 스페이서는실리콘 산화막구성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 제 2 스페이서는실리콘 질화막또는비도핑폴리실리콘막구성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 제 1 스페이서는실리콘 산화막구성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 제 2 스페이서는실리콘 질화막또는비도핑폴리실리콘막구성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 7]
제 4 항에 있어서,상기 소오스 영역nan은스토리지노드전극과전기적연결되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 8]
제 4 항에 있어서,상기 에치 스톱퍼는, 기판 표면 및 게이트 전극 표면을 덮는 실리콘 산화막; 및상기 스페이서와 워드 라인 사이 및 스페이서와 기판 사이에 개재되는실리콘 질화막구성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 9]
제 4 항에 있어서,상기 워드 라인 및 상기 반도체 기판 표면에보더리스콘택용에치스톱퍼더형성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 제 1 스페이서는실리콘 산화막구성되는것을특징으로 하는dram 소자.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 제 2 스페이서는실리콘 질화막또는비도핑폴리실리콘막구성되는것을특징으로 하는dram 소자.
[청구항 13]
제 10 항에 있어서,상기 제 1 콘택 패드는스토리지노드전극과전기적연결되는것을특징으로 하는dram 소자.
[청구항 14]
제 10 항에 있어서,상기 스페이서와 상기 워드 라인 구조물 사이에 에치 스톱퍼가 더 개재되며, 상기 에치 스톱퍼는 기판 표면 및 워드 라인 구조물 표면을 덮는 산화막; 및 상기 스페이서와 워드 라인 구조물 사이 및 스페이서와 기판 사이에 개재되는질화막구성되는것을특징으로 하는dram 소자.
[청구항 15]
제 10 항에 있어서,상기 워드 라인 구조물은, 게이트 산화막,게이트도전층및하드마스크막의적층막인것을특징으로 하는dram 소자.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,상기 제 1 스페이서는실리콘 산화막구성되는것을특징으로 하는sram 소자.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,상기 제 2 스페이서는실리콘 질화막또는비도핑폴리실리콘막구성되는것을특징으로 하는sram 소자.
[청구항 19]
제 11 항에 있어서,상기 드레인 영역(또는 소오스 영역)은 전하가 저장되는노드인것을특징으로 하는sram 소자.
[청구항 20]
제 16 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 스페이서와 게이트 전극 사이에 에치 스톱퍼가 더 개재되며, 상기 에치 스톱퍼는 기판 표면 및 게이트 전극 표면을 덮는 산화막; 및 상기 스페이서와 게이트 전극 사이 및 스페이서와 기판 사이에 개재되는질화막구성되는것을특징으로 하는sram 소자.
[청구항 22]
제 21 항에 있어서,상기 제 1 스페이서는실리콘 산화막구성되는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 23]
제 22 항에 있어서,상기 제 2 스페이서는실리콘 질화막또는비도핑폴리실리콘막구성되는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 24]
제 21 항에 있어서,상기 소오스 영역nan은소오스전극배선과전기적연결되는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 25]
제 21 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 스페이서와 상기 게이트 구조물 사이에 에치 스톱퍼가 더 개재되며, 상기 에치 스톱퍼는 기판 표면 및 게이트 구조물 표면을 덮는 산화막; 및 상기 스페이서와 게이트 구조물 사이 및 상기 스페이서와 기판 사이에 개재되는질화막구성되는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
dram 소자에서 에치 스톱퍼가 스페이서와 워드 라인 구조물 사이에 개재될 경우, 에치 스톱퍼를 구성하는 산화막과 질화막은 각각 무엇을 덮거나 어느 위치 사이에 개재되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationdram 소자의 에치 스톱퍼 구성 요소인 산화막과 질화막이 각각 무엇을 덮거나 어느 위치 사이에 개재되는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14에서 에치 스톱퍼의 구성과 위치에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 에치 스톱퍼는 기판 표면 및 워드 라인 구조물 표면을 덮는 산화막; 및 상기 스페이서와 워드 라인 구조물 사이 및 스페이서와 기판 사이에 개재되는질화막구성되는것을특징으로 하는dram 소자.
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3근거 선택
evidence_selection산화막의 역할(덮는 대상)과 질화막의 위치(개재되는 곳)를 명시한 구절을 선택한다.
- 기판 표면 및 워드 라인 구조물 표면을 덮는 산화막; 및 상기 스페이서와 워드 라인 구조물 사이 및 스페이서와 기판 사이에 개재되는질화막
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4논리 통합
logical_integration산화막은 기판 표면과 워드 라인 구조물 표면을 덮고, 질화막은 스페이서와 워드 라인 구조물 사이 및 스페이서와 기판 사이에 위치함을 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 따라 산화막과 질화막의 위치 및 역할을 구분하여 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation구조화된 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
산화막은 기판 표면 및 워드 라인 구조물 표면을 덮고, 질화막은 스페이서와 워드 라인 구조물 사이 및 스페이서와 기판 사이에 개재된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
dram 소자에서 에치 스톱퍼는 산화막과 질화막의 적층 구조를 통해 기판 및 워드 라인 구조물의 표면을 보호하고, 스페이서와 구조물 사이 및 스페이서와 기판 사이의 특정 위치에 개재되어 에치 공정을 제어한다.