리튬 이온 이차 전지 document_id 1020030066894

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 금속은 ni, ti, cu, ag, au, pt, fe, co, cr, w, mo, al, mg, k, na, ca, sr, ba, si, ge, sb, pb, in 및 zn으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상포함하는 것인리튬 이온 이차 전지. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름에 증착된 금속의 두께는 10å 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름에 증착된 금속의 두께는 100å 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름에 증착된 금속의 두께는 200å 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름의 두께는 1 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름의 두께는 2 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름의 두께는 1 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름의 두께는 3 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 지지 고분자 필름은 실리콘 함유 이형제 층더욱 포함하는 것인리튬 이온 이차 전지. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 양극 활물질은 하기 화학식 2 내지 15로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 또는 이 화합물의 표면에 코팅층을 갖는 것인 리튬 이온 이차 전지. [화학식 2] liao2 [화학식 3] limn2o4 [화학식 4] lianibbcmdo2(0.95 ≤ a ≤ 1.1, 0 ≤ b ≤ 0.9, 0 ≤ c ≤ 0.5, 0.001 ≤ d ≤ 0.1) [화학식 5] lianibcocmndmeo2(0.95 ≤ a ≤ 1.1, 0 ≤ b ≤ 0.9, 0 ≤ c ≤ 0.5, 0 ≤ d ≤ 0.5, 0.001 ≤ e ≤ 0.1) [화학식 6] liaambo2(0.95 ≤ a ≤ 1.1, 0.001 ≤ b ≤ 0.1) [화학식 7] liamn2mbo4(0.95 ≤ a ≤ 1.1, 0.001 ≤ b ≤ 0.1) [화학식 8] ds2 [화학식 9] lids2 [화학식 10] v2o5 [화학식 11] liv2o5 [화학식 12] lieo2 [화학식 13] linivo4 [화학식 14] li(3-x)f2(po4)3(0 ≤ x ≤ 3) [화학식 15] li(3-x)fe2(po4)3(0 ≤ x ≤ 2) (상기 화학식 2 내지 15에서, a는 co, ni 및 mn으로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, b는 co 또는 mn이고, d는 ti 또는 mo이고, e는 cr, v, fe, sc 및 y로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, f는 v, cr, m, co, ni 및 cu로 이루어진 군에서 선택되는 것이며, m은 al, cr, mn, fe, mg, la, ce, sr 및 v로 이루어진 군선택되는전이 금속 또는 란타나이드 금속 중 하나 이상의 금속이다) [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 음극 활물질은 리튬 이온을 흡장/방출할 수 있는 탄소 계열 물질, 리튬 금속, 리튬 금속의 합금 및 리튬과 화합물을 형성할 수 있는 물질로 이루어진 군선택되는 것인리튬 이온 이차 전지. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 탄소 계열 물질은 x-선 회절에 의한 lc(crystallite size)가 적어도 20㎚ 이상이고 700℃ 이상에서 발열 피크갖는 것인리튬 이온 이차 전지. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 탄소 계열 물질은 메조페이스(mesophase) 구형 입자로부터 탄화단계(carbonizing step) 및 흑연화 단계(graphitizing step)를 거쳐 제조된 결정성 탄소 또는 섬유형 메조페이스 핏치(mesophase pitch fiber)로부터 탄화 단계 및 흑연화 단계를 거쳐 제조된 섬유형 흑연인리튬 이온 이차 전지. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 비수성 유기 용매는 벤젠, 톨루엔, 플루오로벤젠, 1,2-디플루오로벤젠, 1,3-디플루오로벤젠, 1,4-디플루오로벤젠, 1,2,3-트리플루오로벤젠, 1,2,4-트리플루오로벤젠, 클로로벤젠, 1,2-디클로로벤젠, 1,3-디클로로벤젠, 1,4-디클로로벤젠, 1,2,3-트리클로로벤젠, 1,2,4-트리클로로벤젠, 아이오도벤젠, 1,2-디아이오도벤젠, 1,3-디아이오도벤젠, 1,4-디아이오도벤젠, 1,2,3-트리아이오도벤젠, 1,2,4-트리아이오도벤젠, 플루오로톨루엔, 1,2-디플루오로톨루엔, 1,3-디플루오로톨루엔, 1,4-디플루오로톨루엔, 1,2,3-트리플루오로톨루엔, 1,2,4-트리플루오로톨루엔, 클로로톨루엔, 1,2-디클로로톨루엔, 1,3-디클로로톨루엔, 1,4-디클로로톨루엔, 1,2,3-트리클로로톨루엔, 1,2,4-트리클로로톨루엔, 아이오도톨루엔, 1,2-디아이오도톨루엔, 1,3-디아이오도톨루엔, 1,4-디아이오도톨루엔, 1,2,3-트리아이오도톨루엔, 1,2,4-트리아이오도톨루엔, r-cn(여기에서, r은 직쇄상, 분지상, 또는 환구조의 탄소수 2-50개의 탄화수소기이고, 이 기는 이중결합, 방향환, 또는 에테르 결합을 포함하고 있어도 좋다), 디메톡시포름아마이드, 메틸아세테이트, 자일렌, 사이클로헥산, 테트라하이드로퓨란, 2-메틸테트라하이드로퓨란, 사이클로헥사논, 에탄올, 이소프로필알콜, 디메틸 카보네이트, 에틸메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 메틸프로필 카보네이트, 메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 디메톡시에탄, 1,3-디옥솔란, 디글라임, 테트라글라임, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, γ-부티로락톤 및 설포란으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합전해액인리튬 이온 이차 전지. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 리튬염은 리튬 헥사플루오로포스페이트(lipf6), 리튬 테트라플루오로보레이트(libf4), 리튬 헥사플루오로아제네이트(liasf6), 리튬 퍼클로레이트(liclo4), 리튬 트리플루오로메탄설포네이트(cf3so3li), 리튬 비스(트리플루오로메틸) 술폰이미드(lin(so2cf3)2) 및 리튬 비스(퍼플루오로에틸술포닐) 이미드(lin(so2c2f5)2)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의혼합물인리튬 이온 이차 전지. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 전해액에서 리튬염의 농도는 0.1 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,상기 음극 활물질은 표면에 보호막더욱 포함하는 것인리튬 이온 이차 전지. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 보호막은 고분자 물질, 무기 물질 및 이들의 혼합물로 이루어진 군선택되는 것인리튬 이온 이차 전지. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 보호막은 단일다중막인리튬 이온 이차 전지. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 무기 물질은 lipon, li2co3, li3n, li3po4 및 li5po4로 이루어진 군선택되는 것인리튬 이온 이차 전지. [청구항 22] 제 19 항에 있어서,상기 무기 물질을 포함하는 보호막의 두께는 10 내지인리튬 이온 이차 전지. [청구항 23] 제 19 항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드와 헥사플루오로프로필렌의 코폴리머, 폴리(비닐아세테이트), 폴리(비닐 부티랄-코-비닐 알콜-코-비닐 아세테이트), 폴리(메틸메타크릴레이트-코-에틸 아크릴레이트), 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐 클로라이드-코-비닐 아세테이트, 폴리비닐알콜, 폴리(1-비닐피롤리돈-코-비닐 아세테이트), 셀룰로즈 아세테이트, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리올레핀, 폴리우레탄, 폴리비닐 에테르, 아크릴로니트릴-부타디엔 러버, 스티렌-부타디엔 러버, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌, 설포네이티드 스티렌/에틸렌-부틸렌/스티렌 트리블럭 폴리머 및 폴리에틸렌 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의혼합물인리튬 이온 이차 전지. [청구항 24] 제 19 항에 있어서,상기 고분자를 포함하는 보호막의 두께는 100å 내지인리튬 이온 이차 전지.