문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,적어도 상기 소오스부의 일측벽과 상기 게이트 전극 사이및, 상기 드레인부의 일측벽과 상기 게이트 전극 사이에 각각 개재된스페이서들더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 스페이서들은 상기 게이트 전극과 인접한상기소오스부의일측벽및드레인부의일측벽각각형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 도핑된 폴리실리콘, 폴리사이드, 금속실리사이드 및 도전성 금속 함유물질 중 선택된적어도하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 불순물확산층의 일부분에 형성된 금속실리사이드를 더 포함하되, 상기 금속실리사이드의 하부면의 높이는 상기 채널부의 상부면과 같거나 높은 것특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 배치되어 상기 핀 패턴의 상부면이 노출되도록 상기 핀 패턴을 덮되, 상기 핀 패턴을 가로지르는 그루브를 갖는 몰드층을 더 포함하되, 상기 채널부의 소정영역은 상기 그루브의 바닥면으로 부터 돌출되고, 상기 그루브의 내측벽들은 상기 게이트 전극과 인접한 상기 소오스 및 드레인부들의 측면들을 노출시키며 상기 게이트 전극은 상기 그루브 내에 상기 돌출된채널부가로지르는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 노출된 소오스 및 드레인부들의 측면들을 포함하는 상기 그루브의 내측벽들에 형성된 스페이서들을 더 포함하되, 적어도 상기 채널부 상부의 상기 게이트 전극은상기스페이서들사이개재되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
제 6 항에 있어서,상기 게이트 전극 상에 배치된캐핑패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,핑 패턴은 불순물 이온들의 투사 범위가 상기 핀 패턴에 비하여 적은절연물질로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,패턴, 그루브 및 스페이서를 형성하는 단계는, 상기 개구부에 노출된 몰드층 및 예비 핀 패턴을 선택적으로 식각하여 상기 핀 패턴과, 그것의 양 내측벽들에 상기 소오스 및 드레인부들의 일측벽들을 노출시키고, 그것의 바닥면에 상기 채널부의 상면을 노출시키는 예비 그루브를 형성하는 단계; 상기 예비 그루브의 양 내측벽들에 스페이서들을 형성하는 단계; 및 상기 하드마스크막 및 스페이서를 마스크로 사용하여 몰드층을 리세스하여 상기 채널부을 돌출시키는 상기 그루브를 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 18]
제 16 항에 있어서,상기 그루브를 형성한 후에, 상기 돌출된 채널부의 표면을 치유하는표면처리공정수행하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 19]
제 16 항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하기 전에, 상기 채널부에 문턱전압을 조절하는 불순물 이온들을 선택적으로 주입하는단계더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 작동 또는 처리 절차를 순서대로 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
반도체 소자의 형성 방법 중, 몰드층을 리세스하여 채널부가 돌출되는 그루브를 형성할 때 사용되는 마스크는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation몰드층을 리세스하여 채널부가 돌출되는 그루브를 형성할 때 사용되는 마스크가 무엇인지 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 17에서 그루브를 형성하는 단계에 대한 공정 설명이 포함되어 있다.
- 상기 하드마스크막 및 스페이서를 마스크로 사용하여 몰드층을 리세스하여 상기 채널부을 돌출시키는 상기 그루브를 형성하는 단계
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3근거 선택
evidence_selection그루브 형성 시 마스크로 사용되는 구성 요소인 '하드마스크막'과 '스페이서'를 추출한다.
- 상기 하드마스크막 및 스페이서를 마스크로 사용하여
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4논리 통합
logical_integration청구항 17의 문맥을 통해 몰드층 리세스 및 채널부 돌출을 위한 그루브 형성 시 하드마스크막과 스페이서가 마스크 역할을 수행함을 확인한다.
- 상기 하드마스크막 및 스페이서를 마스크로 사용하여 몰드층을 리세스하여 상기 채널부을 돌출시키는 상기 그루브를 형성하는 단계
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 마스크는 하드마스크막 및 스페이서이다.
- 상기 하드마스크막 및 스페이서를 마스크로 사용하여
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 하드마스크막 및 스페이서를 마스크로 사용하여
최종 답변 (final_answer)
하드마스크막 및 스페이서
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 소자 형성 과정 중, 하드마스크막과 스페이서를 마스크로 활용하여 몰드층을 식각함으로써 채널부가 돌출된 형태의 그루브를 형성하는 공정 기술에 관한 것이다.