느린 광 캐리어를 저지하거나 제거하기 위한 배리어층을 갖는 고속 광다이오드 및 상기 광다이오드를 형성하기 위한 방법 document_id 1020030080971

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 광검출기는 상기 기판 상에 또는 상기 기판 내형성되는장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 배리어 층은 p-n 접합포함하는장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기p-n 접합은 기판 및 상기 기판 상부 위의 흡수층 중 하나를 포함하는 단일 p-n 접합을 포함하고, 상기 기판은 상기 흡수층과 반대인 도전형갖는장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 기판은 약 1x1013cm-3에서 1x1021cm-3의 범위 내의 도펀트 농도(dopant concentration)를 갖는 기판포함하는장치. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 접합은 흡수층;기판; 및상기 흡수층 및 상기 기판 사이에 형성되며 상기 기판 및 상기 흡수층의 도전형과 반대 극성의 도전형을 가지는 배리어층포함하는장치. [청구항 7] 제4항 또는 제6항에 있어서,상기p-n 접합은 상기 흡수층 아래위치하는장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 배리어 층은 약 0.05㎛에서 5㎛의 범위 내의 두께갖는장치. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 배리어 층의 도핑 농도는 약 1x1013cm-3에서 1x1021cm-3의 범위내에 있는장치. [청구항 10] 제4항 또는 제6항에 있어서,상기 흡수층은 약 1x1013cm-3에서 1x1017cm-3의 범위 내의 도핑 농도를 가지는 흡수층포함하는장치. [청구항 11] 제4항에 있어서,상기 배리어 층은 약 1x1013cm-3에서 1x1021cm-3의 범위 내에 있는 도펀트 농도가지는장치. [청구항 12] 제6항에 있어서,상기 기판은 약 1x1013cm-3에서 1x1017cm-3의 범위 내에서 도핑된 기판포함하는장치. [청구항 13] 제4항 또는 제6항에 있어서,상기p-n 접합은 이온 주입, 어닐링(annealing), 에피택시 성장 및 웨이퍼 본딩 중 적어도 하나에 의하여 형성되는 도펀트 분포갖는장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 배리어 층은 버블층포함하는장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 버블층은 광 생성된 캐리어를 위한 재조합 센터포함하는장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 버블층은 매립 광 산란기포함하는장치. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 버블층은 약 5nm내지 250nm의 크기를 갖는 보이드포함하는장치. [청구항 18] 제14항에 있어서,상기 버블층은 헬륨 주입 및 어닐링에 의하여 형성된 버블층포함하는장치. [청구항 19] 제14항에 있어서,상기 버블층은 상기 기판의 일부형성되는장치. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 배리어 층은 다공성 실리콘 막포함하는장치. [청구항 21] 제1항에 있어서,상기 광검출기는 수평 트렌치 검출기포함하는장치. [청구항 22] 제1항에 있어서,상기 광검출기는 확산된 핑거 및 주입된 핑거 중 하나를 갖는 pin 검출기 또는 금속-반도체-금속 검출기포함하는장치. [청구항 23] 제3항에 있어서,상기 배리어 층은 적어도 부분적으로는상기광검출기에대해국한된(localized) 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 배리어 층은 광검출기 아래쪽 부분형성되는웨이퍼.