문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 분사부는, 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 중심부로는 비반응 가스를 분사하고 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 에지부로는 라디칼을 분사하는 제1분사부; 및 상기 제1분사부와는 대향되어 소정의 패턴이 형성되지 아니한 웨이퍼면으로 상기 라디칼을 분사하는 제2분사부;를포함하는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제1분사부와 제2분사부 각각은 상기 라디칼을 생성하는원격플라즈마제네레이터포함하는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 각각의 원격 플라즈마 제네레이터는독립적구동되는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 5]
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1분사부는, 상기 비반응 가스와 라디칼을 상기 챔버 내로 공급하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 샤워헤드의 중심부에는 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 중심부로 상기 비반응 가스가 분사되도록 유도하는 개구가 있고, 상기 샤워헤드의 에지부에는 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 에지부로 상기 라디칼이 분사되도록 유도하는 복수개의 개구가 있는 것특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 샤워헤드의 에지부는 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 에지부를 향하여 경사져있는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 7]
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제2분사부는, 웨이퍼를 지지하는 지지부재와, 상기 라디칼을 상기 챔버 내로 공급하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 샤워헤드는 소정의 패턴이 형성되지 아니한 웨이퍼면으로 상기 라디칼이 분사되도록 유도하는 복수개의 개구가 있는 것특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 8]
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제2분사부는배기관더포함하는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제1샤워헤드의 에지부는 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 에지부를 향하여 경사져있는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기제1 및 제2 원격 플라즈마 제네레이터는각각독립적구동되는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 각각의 원격 플라즈마 제네레이터는 불소를 포함하는 가스를 사용하여불소라디칼생성하는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 가스는 nf3, ch4, c2f6, c3f8, chf3, sf6 으로 이루어진 군에서 선택된하나인것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 14]
제9항에 있어서,상기 제2분사부는배기관더포함하는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 15]
제9항에 있어서,상기 비반응 가스는질소가스인것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
[청구항 16]
제9항에 있어서,상기 챔버 내의 압력nan은최대인것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소의 기능과 역할을 분석하여 질문에 답하라. 요구되는 정보를 명확한 구조로 정리하라.
질문 (question)
웨이퍼 에지 식각 장치의 분사부 구성 중, 제1분사부와 제2분사부가 각각 웨이퍼면의 어느 부위에 어떤 가스를 분사하는지 설명하라.
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1분사부와 제2분사부가 각각 웨이퍼면의 어느 부위에 어떤 가스를 분사하는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 제1분사부와 제2분사부의 분사 대상 부위 및 가스 종류에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 분사부는, 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 중심부로는 비반응 가스를 분사하고 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 에지부로는 라디칼을 분사하는 제1분사부; 및 상기 제1분사부와는 대향되어 소정의 패턴이 형성되지 아니한 웨이퍼면으로 상기 라디칼을 분사하는 제2분사부;를 포함하는것을특징으로 하는웨이퍼 에지 식각 장치.
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3근거 선택
evidence_selection제1분사부의 동작(중심부-비반응 가스, 에지부-라디칼)과 제2분사부의 동작(패턴이 형성되지 아니한 웨이퍼면-라디칼)을 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 중심부로는 비반응 가스를 분사하고 상기 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 에지부로는 라디칼을 분사하는 제1분사부; 및 상기 제1분사부와는 대향되어 소정의 패턴이 형성되지 아니한 웨이퍼면으로 상기 라디칼을 분사하는 제2분사부;
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4논리 통합
logical_integration제1분사부는 웨이퍼면의 중심부에 비반응 가스를, 에지부에 라디칼을 분사하며, 제2분사부는 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼면으로 라디칼을 분사함을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 따라 제1분사부와 제2분사부의 분사 부위와 가스 종류를 구분하여 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation구조화된 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
- 제1분사부: 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 중심부에는 비반응 가스를 분사하고, 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼면의 에지부에는 라디칼을 분사함.
- 제2분사부: 제1분사부와 대향되는 소정의 패턴이 형성되지 아니한 웨이퍼면으로 라디칼을 분사함.
핵심 해석 (core_interpretation)
웨이퍼의 패턴 형성 영역(중심부, 에지부)과 비패턴 영역에 각각 비반응 가스와 라디칼을 선택적으로 분사하여 에지 식각을 수행하는 기술이다.