평판표시장치 document_id 1020030084786

[청구항 1] 절연기판과; 상기 절연기판상에 형성된 하부 도전층과 상기 하부 도전층상부에 형성된 상부 도전층과 상기 상, 하부 도전층사이에 형성되어, 상기 상, 하부 도전층을 연결시켜 주기위한 연결홀을 구비하는 절연막을 구비하며, 상기 연결홀은 60°이하의 테이퍼각을 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 연결홀은 45°이하의테이퍼각갖는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 연결홀은 14°이상의테이퍼각갖는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,소오스/드레인영역을 구비하는 반도체층, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 하부 도전층은 상기 소오스/드레인영역이고, 상기 상부 도전층은 소오스/드레인전극이며, 상기 연결홀은 상기 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극을 연결하기 위한콘택홀인것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,적어도 소오스/드레인전극을 구비하는 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되는 화소전극을 더 포함하며, 상기 하부도전층은 상기 소오스/드레인중 상기 하나의 전극이고, 상기 상부 도전층은 상기 화소전극이며, 상기 연결홀은 상기 하나의 전극과 화소전극을 연결하기 위한비어홀인것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 6] 절연기판상에 형성된 소오스/드레인영역을 구비한 반도체층과 상기 반도체층 상부에 형성된 게이트와 상기 반도체층의 소오스/드레인영역에 연결되는 소오스/드레인전극과 상기 반도체층과 게이트사이의 기판상에 형성된 게이트절연막과 상기 게이트와 상기 소오스/드레인전극사이의 기판상에 형성된 층간 절연막을 포함하며, 상기 게이트 절연막과 층간 절연막은 상기 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극을 각각 연결시켜 주기위 소오스/드레인콘택홀을 을 구비하고, 상기 소오스/드레인 콘택홀은 60°이하의 테이퍼각을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 소오스/드레인 콘택홀은 45°이하의테이퍼각갖는것을특징으로 하는박막 트랜지스터. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 소오스/드레인전극과 게이트전극간의 거리가 최소로 되는 위치와 각 콘택홀의 바텀에지간의 거리를 d1 이라하고, 소오스/드레인전극과 게이트전극간의 거리가 최소로 되는 위치에서의 게이트 절연막과 층간 절연막의 두께를 d2 라 할 때, 각 콘택홀의 테이퍼각의 최소값은 하기의 식으로부터 정해지는것을특징으로 하는박막 트랜지스터. θ = tan-1 (d1/d2) [청구항 9] 절연기판상에 형성된 적어도 소오스/드레인전극을 구비한 박막 트랜지스터와 상기 소오스/드레인전극중 하나의 전극을 노출시키는 개구부를 구비하는 절연막과 상기 개구부를 통해 상기 하나의 전극에 연결되는 화소전극을 포함하며, 상기 비어홀은 60°이하의 테이퍼각을 가지며, 상기 화소전극은 60°이하의 테이퍼각을 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치 [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 비어홀은 45°이하의 테이퍼각을 가지며, 상기 화소전극은 45°이하의테이퍼각갖는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 화소전극의 두께가 d1이라 하고, 테이퍼각에 따른 화소전극의 상면의 길이와 화소전극의 하면의 길이의 차를 d2라 할 때, 상기 화소전극의 테이퍼각의 최소값은 하기의 식으로부터 정해지는것을특징으로 하는평판표시장치. θ = tan-1 (d1/d2) [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 절연막은 무기 패시베이션막과 유기 평탄화막으로부터 선택되는하나이상의막포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 하부전극은 45°이하의테이퍼각갖는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 하부전극은 애노드전극과 캐소드전극중 하나의 전극이고, 상기 상부전극은 다른하나전극인것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 하부전극이 투과전극이고, 상부 전극은 반사전극으로서, 상기 유기발광층으로부터 발광된 광은상기기판방향방출되는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 하부전극은 반사전극이고, 상부전극은 투과전극으로서, 상기 유기발광층으로부터 발광된 광은상기기판과반대방향방출되는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 하부전극은 투과전극이고, 상기 상부전극은 투과전극으로서, 상기 유기발광층으로부터 발광된 광이 기판방향으로 방출됨과 동시에기판과반대방향방출되는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 19] 제13항에 있어서,상기 유기발광층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로부터 선택되는적어도하나이상의박막포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 20] 제13항에 있어서,상기 발광층은 레이저 열전사법에 의해 형성된 유기박막층, 잉크젯방식에 의해 형성된 유기박막층 및 증착법에 의해 형성된 유기박막층으로부터 선택되는유기박막층포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 21] 소오스/드레인영역을 구비한 반도체층과, 상기 소오스/드레인영역의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 구비한 제1절연막과, 상기 콘택홀을 통해 상기 소오스/드레인영역에 연결되는 소오스/드레인전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 포함하는 절연기판과 상기 절연기판상에 순차 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극중 하나를 노출시키는 비어홀을 구비한 패시베이션을 위한 제2절연막 및 평탄화를 위한 제3절연막과 상기 제3절연막상에 형성되어 상기 비어홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 하나의 전극에 연결되는 하부전극과 상기 하부전극상에 형성된 유기박막층과 상기 유기박막층상에 형성된 상부전극을 포함하며, 상기 비어홀은 60°이하의 테이퍼각을 가지며, 상기 하부전극은 60°이하의 테이퍼각을 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치 [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 비어홀은 45°이하, 14°이상의 테이퍼각을 가지며,상기 하부전극은 45°이하, 2.9°이상의테이퍼각갖는것을특징으로 하는표시장치. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 하부전극은 애노드전극과 캐소드전극중 적어도 하나의 전극이고, 상기 상부전극은 다른하나전극인것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 24] 제21항에 있어서,상기 유기박막층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로부터 선택되는 적어도 하나이상의 박막을 포함하고, 상기 발광층은 레이저 열전사법에 의해 형성된 유기박막층, 잉크젯방식에 의해 형성된 유기박막층 및 증착법에 의해 형성된 유기박막층으로부터 선택되는유기박막층포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 25] 제21항에 있어서,상기 하부전극은 반사전극 또는 투과전극이고, 상부전극은 투과전극으로 작용하여, 상기 유기발광층으로부터 발광되는 광이 기판 반대방향으로 방출되거나또는기판방향및기판반대방향방출되는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 26] 소오스/드레인영역을 구비한 반도체층과, 반도체층상에 형성된 게이트와, 상기 반도체층과 게이트사이에 형성된 제1절연막과, 상기 소오스/드레인영역의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 구비한 제2절연막과, 상기 콘택홀을 통해 상기 소오스/드레인영역에 연결되는 소오스/드레인전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 포함하는 절연기판과 상기 절연기판상에 형성되고, 상기 소오스/드레인 전극중 하나를 노출시키는 비어홀을 구비한 패시베이션을 위한 제3절연막과 상기 제3절연막상에 형성되어 상기 비어홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 하나의 전극에 연결되는 하부전극과 상기 하부전극상에 형성된 유기박막층과 상기 유기박막층상에 형성된 상부전극을 포함하며, 상기 콘택홀는 60°이하의 테이퍼각을 가지며, 상기 비어홀은 60°이하의 테이퍼각을 가지며, 상기 하부전극은 60°이하의 테이퍼각을 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치 [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 콘택홀은 45°이하, 14°이상의 테이퍼각을 가지며,상기 비어홀은 45°이하, 14°이상의 테이퍼각을 가지며,상기 하부전극은 45°이하, 2.9°이상의테이퍼각갖는것을특징으로 하는표시장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 하부전극은 투과전극이고, 상기 상부전극은 반사전극 또는 투과전극으로 작용하여, 상기 유기발광층으로부터 발광되는 광이 기판방향으로 방출되거나또는기판방향및기판반대방향방출되는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 게이트는 상기 콘택홀과 동일한테이퍼각갖는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 유기박막층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로부터 선택되는 적어도 하나이상의 박막을 포함하고, 상기 발광층은 레이저 열전사법에 의해 형성된 유기박막층, 잉크젯방식에 의해 형성된 유기박막층 및 증착법에 의해 형성된 유기박막층으로부터 선택되는유기박막층포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 31] 소오스/드레인영역을 구비한 반도체층과, 상기 반도체층상부에 형성된 게이트와, 상기 게이트와 반도체층사이에 형성된 제1절연막과, 상기 소오스/드레인영역의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 구비한 제2절연막과, 상기 콘택홀을 통해 상기 소오스/드레인영역에 연결되는 소오스/드레인전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 포함하는 절연기판과 상기 제2절연막상에 형성되어 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되는 하부전극과 상기 하부전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 패시베이션을 위한 제3절연막과 상기 제3절연막과 하부전극상에 형성되는 유기발광층과 상기 유기발광층상에 형성된 상부전극을 포함하며, 상기 콘택홀은 60°이하의 테이퍼각을 가지며, 상기 하부전극은 60°이하의 테이퍼각을 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치 [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 콘택홀은 45°이하, 14°이상의 테이퍼각을 가지며,상기 하부전극은 45°이하, 2.9°이상의테이퍼각갖는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 33] 제31항에 있어서,상기 하부전극은 애노드전극과 캐소드전극중 적어도 하나의 전극이고, 상기 상부전극은 다른하나전극인것을특징으로 하는표사장치. [청구항 34] 제31항에 있어서,상기 유기박막층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로부터 선택되는 적어도 하나이상의 박막을 포함하고, 상기 발광층은 레이저 열전사법에 의해 형성된 유기박막층, 잉크젯방식에 의해 형성된 유기박막층 및 증착법에 의해 형성된 유기박막층으로부터 선택되는유기박막층포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 35] 제31항에 있어서,상기 하부전극은 투과전극이고, 상부전극은 반사전극 또는 투과전극으로 작용하여, 상기 유기발광층으로부터 발광되는 광이 기판방향으로 방출되거나또는기판방향및기판반대방향방출되는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 36] 제31항에 있어서,상기 게이트는 상기 콘택홀과 동일한테이퍼각갖는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 37] 제31항에 있어서,상기 제3절연막의 개구부의 테이퍼nan각이하인것을특징으로 하는평판표시장치.