문맥 (context)
[청구항 1]
기판;
상기 기판 상에 매트릭스 형태로 배열된 신호선들
상기 신호선들의 교차에 의해 한정되고, 화소구동회로영역과 발광영역을 갖는 단위화소영역
상기 화소구동회로영역에 위치하는 반도체층 및 상기 반도체층의 소정부분에 대응되고, 상기 신호선들과 동일층에 형성된 게이트 전극을 구비하는 화소구동 박막트랜지스터; 및
상기 화소구동 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되고, 상기 발광영역에 위치하는 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 화소구동회로영역으로 연장되어상기반도체층의일측단부에접하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 화소구동 박막트랜지스터는 상기 반도체층의 타측 단부와 상기 신호선들중 어느 하나에 동시에 접하는 소오스/드레인 전극더포함하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 화소전극과 상기 소오스/드레인 전극은동일물질로이루어진것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 5]
제 3 항에 있어서,상기 화소전극과 상기 소오스/드레인 전극은 적어도 한층의전도성막적층구조갖는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 화소구동 박막트랜지스터는 상기 반도체층의 일측 단부 및 상기 화소전극에 동시에 접하는저저항전극더포함하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 화소구동 박막트랜지스터는 상기 반도체층의 타측 단부와 상기 신호선들중 어느 하나에 동시에 접하는 소오스/드레인 전극더포함하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 저저항전극 및 상기 소오스/드레인 전극은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 군에서 선택되는하나로이루어진것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층을 덮는 게이트 절연막과상기 게이트 절연막 상에 위치하여 상기 게이트 전극 및 상기 신호선들을 덮는층간절연막더포함하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 층간절연막은 유기막, 무기막 및 유·무기복합막중하나로이루어진것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,상기 층간절연막은 무기막 및 상기 무기막 상에 적층된유기막구비하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 12]
제 10 항 및 제 11 항에 있어서,상기 무기막은실리콘 산화막실리콘 질화막인것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 13]
제 10 항 및 제 11 항에 있어서,상기 유기막은막인것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 14]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층을 덮는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 위치하여 상기 게이트 전극 및 상기 신호선들을 덮는 층간절연막 및 상기 게이트 절연막과 상기 층간절연막 내에 위치하여 상기 반도체층의 일측단부를 노출시키는 제 1 소오스/드레인 콘택홀들을 더 포함하고,상기 화소전극은 상기 발광영역의 층간절연막 상에 위치하되, 상기 화소구동회로영역으로 연장되어 상기 반도체층의 일측 단부에 상기 제 1 소오스/드레인 콘택홀을 통해접하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 15]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층을 덮는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 위치하여 상기 게이트 전극 및 상기 신호선들을 덮는 층간절연막, 상기 게이트 절연막과 상기 층간절연막 내에 위치하여 상기 반도체층의 일측 단부를 노출시키는 제 1 소오스/드레인 콘택홀 및 상기 층간절연막 상에 위치하여 상기 제 1 소오스/드레인 콘택홀을 통해 상기 반도체층의 일측 단부에 접하는 저저항전극을 더 포함하고,상기 화소전극은 상기 층간절연막 상에서상기저저항전극에접하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 16]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층과 동일층에 위치하는 하부전극 및 상기 게이트 전극과 동일층에 위치하는 상부전극을 구비하는캐패시터더포함하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 17]
제 1 항에 있어서,상기 신호선들의 교차지점에 있어서, 어느 한 신호선은 나머지 다른 신호선 양측에 위치하여 서로 분리된 신호선 패턴들과 상기 신호선패턴들에 각각 접하면서 상기 다른 신호선과는 절연된연결배선포함하는것을특징으로 하는평판표시장치.
[청구항 18]
제 1 항에 있어서,상기 화소전극 상에 위치하고 적어도 유기발광층을 구비하는유기기능막더포함하는것을특징으로 하는평판표시장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 14에 기재된 평판표시장치에서, 화소전극이 반도체층의 일측 단부에 접하기 위해 거쳐야 하는 구조적 요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 14를 바탕으로 화소전극이 반도체층의 일측 단부에 접하기 위해 거쳐야 하는 구조적 요소들을 식별해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14에서 화소전극의 위치, 연장 경로, 그리고 접촉 방식에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 화소전극은 상기 발광영역의 층간절연막 상에 위치하되, 상기 화소구동회로영역으로 연장되어 상기 반도체층의 일측 단부에 상기 제 1 소오스/드레인 콘택홀을 통해접하는
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3근거 선택
evidence_selection화소전극이 반도체층에 접하기 위해 거쳐가는 경로상의 요소인 '발광영역의 층간절연막'과 '제 1 소오스/드레인 콘택홀'을 선택한다.
- 상기 발광영역의 층간절연막 상에 위치하되, 상기 화소구동회로영역으로 연장되어 상기 반도체층의 일측 단부에 상기 제 1 소오스/드레인 콘택홀을 통해접하는
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4논리 통합
logical_integration화소전극은 층간절연막 상에 위치하며, 화소구동회로영역으로 연장되어 제 1 소오스/드레인 콘택홀을 통과함으로써 반도체층의 일측 단부에 접하게 됨을 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 구조적 요소는 발광영역의 층간절연막과 제 1 소오스/드레인 콘택홀이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 요소들을 리스트 형식으로 정리하여 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
발광영역의 층간절연막, 제 1 소오스/드레인 콘택홀
핵심 해석 (core_interpretation)
화소전극이 발광영역의 층간절연막 상에서 화소구동회로영역으로 연장되어, 제 1 소오스/드레인 콘택홀을 통해 반도체층의 단부에 전기적으로 접촉하는 구조를 나타낸다.