하이브리드 스위치 셀 및 이를 이용한 메모리 장치 document_id 1020030089564

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 하이브리드 스위치는 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터의 상기 일단자와 상기 비트라인 사이에 병렬 연결된 pn 다이오드 스위치와 pnpn다이오드 스위치구비함을특징으로 하는하이브리드 스위치 셀. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기pn 다이오드 스위치의 p형 영역은 상기 타단자와 연결되고, n형 영역은상기비트라인연결됨을특징으로 하는하이브리드 스위치 셀. [청구항 4] 제 2항에 있어서,상기pnpn 다이오드 스위치의 상부 n형 영역은 상기 타단자와 연결되고, 하부 p형 영역은상기비트라인연결됨을특징으로 하는하이브리드 스위치 셀. [청구항 5] 제 2항에 있어서,상기 하이브리드 스위치는 상기 워드라인의 전압 레벨이 하이이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 로우 일 경우 상기 pn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 제 1데이타를 라이트하며, 상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우 상기 pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 제 2데이타를 라이트하도록동작하는것을특징으로 하는하이브리드 스위치 셀. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 하이브리드 스위치는 상기 워드라인에 인가되는 전압이 제 1전압일 경우 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 저장된 데이타를 리드하도록 스위칭되고, 상기 비트라인에 인가되는 전압이 상기 제 1전압보다 큰 제 2전압일 경우 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 데이타를 라이트하도록 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 8] 제 6항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프에 의해 공유되는 데이타 버스; 상기 데이타 버스로부터 인가되는 데이타를 증폭하는 메인 앰프; 상기 메인 앰프로부터 인가되는 증폭 데이타를 버퍼링하는 데이타 버퍼; 및 상기 데이타 버퍼로부터 인가되는 출력 데이타를 외부로 출력하거나, 외부로부터 인가되는 입력 데이타를 상기 데이타 버퍼에 인가하는 입/출력 포트를 더 구비함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 9] 제 6항 또는 제 8항에 있어서,상기 복수개의 하이브리드 스위치 셀 어레이 각각은, 로오 및 컬럼 방향으로 배열된 복수개의 워드라인과 복수개의 비트라인 사이의 교차 영역에 위치하는 복수개의 단위 하이브리드 스위치 셀; 및 상기 복수개의 비트라인에 각각 일대일 대응하여 연결된 복수개의 비트라인 풀다운 소자를 구비함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 10] 제 6항 또는 제 8항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프는 복수개의 비트라인에 각각 일대일 대응하여 연결되며, 센스앰프 인에이블 신호의 활성화시 기준전압과 상기 비트라인의 전압을 비교 및 증폭함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프 각각은 상기 센스앰프 인에이블 신호의 활성화시 상기 기준전압과 상기 비트라인의 전압을 증폭하는 증폭부; 컬럼 선택신호의 상태에 따라 상기 증폭부의 출력단과 데이타 버스를 선택적으로 연결하는 컬럼선택 스위칭부를 구비함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 12] 제 6항 또는 제 8항에 있어서,상기 복수개의 하이브리드 스위치 셀 어레이 각각은, 로오 및 컬럼 방향으로 배열된 복수개의 워드라인과, 비트라인, 비트라인바로 이루어진 복수개의 비트라인쌍 사이의 교차 영역에 위치하는 복수개의 단위 하이브리드 스위치 셀; 및 상기 비트라인, 비트라인바에 각각 일대일 대응하여 연결된 복수개의 비트라인 풀다운 소자를 구비함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 13] 제 6항 또는 제 8항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프 각각은 한쌍의 비트라인과 대응하여 연결되며, 센스앰프 인에이블 신호의 활성화시 상기 한쌍의 비트라인으로부터 인가되는 전압을 증폭함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프 각각은 상기 한쌍의 비트라인 사이에 연결되어 센스앰프 인에이블 신호의 활성화시 상기 한쌍의 비트라인으로부터 인가되는 전압을 증폭하는 증폭부; 컬럼 선택신호의 상태에 따라 상기 증폭부의 출력단과 데이타 버스를 선택적으로 연결하는 컬럼선택 스위칭부를 구비함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 15] 제 6항 또는 제 8항에 있어서,상기 하이브리드 스위치는 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터의 상기 타단자와 상기 비트라인 사이에 병렬 연결된 pn 다이오드 스위치와 pnpn 다이오드 스위치를 구비함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기pn 다이오드 스위치의 p형 영역은 상기 타단자와 연결되고, n형 영역은 상기 비트라인과 연결됨을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 17] 제 15항에 있어서,상기pnpn 다이오드 스위치의 상부 n형 영역은 상기 타단자와 연결되고, 하부 p형 영역은 상기 비트라인과 연결됨을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 18] 제 15항에 있어서,상기 하이브리드 스위치는 상기 워드라인의 전압 레벨이 하이이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 로우 일 경우 상기 pn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 제 1데이타를 라이트하며, 상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우 상기 pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 제 2데이타를 라이트함을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 20] 제 19항에 있어서,상기 메모리 소자는 디램 소자, 불휘발성 강유전체 소자, 플래시 소자 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치. [청구항 21] 제 19항 또는 제 20항에 있어서,상기 하이브리드 스위치는 상기 워드라인에 인가되는 전압이 제 1전압일 경우 상기 메모리 소자에 저장된 데이타를 리드하도록 스위칭되고, 상기 비트라인에 인가되는 전압이 상기 제 1전압보다 큰 제 2전압일 경우 상기 메모리 소자에 데이타를 라이트하도록 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 스위치 셀이용한메모리 장치.