문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 분사포트가 형성되는 측벽에는 제2 배기포트가 형성되며, 상기 제1 배기포트가 형성되는 측벽에는 제2 분사포트가 형성되는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제1 분사포트와 상기 제2 분사포트는 장방형의 슬릿형상을 가지는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 제1 분사포트와 상기 제2 분사포트는 다수의 분사구로 형성되는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 제1 배기포트와 상기 제2 배기포트는 다수의 배기홀로 형성되는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 챔버의 내벽에는 상기 서셉터에 안치되는 기판의 가장자리를 압착하는 에지 프레임이 설치되며, 상기 에지 프레임의 하면에는 공정가스의 누설을 방지하기 위한 실링(sealing)이 형성되는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 7]
제1항에 있어서,셉터 또는 상기 플라즈마 전극 중 적어도 하나에는 기판을 예열하기 위한 히터가 형성되는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 플라즈마 전극은 다수의 전극 블록으로 구성되는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 다수의 전극 블록에는 rf전원이 각 연결되는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 10]
제1항 또는 제9항에 있어서,상기rf전원은 펄스(pulse)파형으로 rf전력을 공급하는 플라즈마이용하는공정장비
[청구항 11]
제1항의 플라즈마를 이용하는 공정장비에 있어서,서셉터 위에 기판을 안치하는 단계와; 상기 제1 분사포트에서 공정가스를 분사하여, 기판에 대한 공정을 수행하는 단계와; 상기 제1 배기포트로 배기가스를 배기하는 단계포함하는기판의 처리방법
[청구항 12]
제2항의 플라즈마를 이용하는 공정장비에 있어서,서셉터 위에 기판을 안치하는 제1 단계와; 상기 제1 분사포트에서 공정가스를 분사하여 상기 제1 배기포트로 배기시키며 기판에 대한 공정을 수행하는 제2 단계와; 상기 제2 분사포트에서 공정가스를 분사하여 상기 제2 배기포트로 배기시키며 기판에 대한 공정을 수행하는 제3 단계포함하는기판의 처리방법
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 제3 단계 이후에, 상기 제2단계와 상기 제3단계를 다시 순차적반복하는기판의 처리방법
[청구항 14]
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판에 대한 공정을 수행하는 단계는, 공정가스에 연속적인 rf전력을 인가하여 생성되는 연속 플라즈마이용하는기판의 처리방법
[청구항 15]
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판에 대한 공정을 수행하는 단계는, 공정가스에 펄스 파형의 rf전력을 공급하여 생성되는 펄스 플라즈마이용하는기판의 처리방법
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
제2항의 구성을 포함하는 플라즈마 이용 공정장비를 사용하는 기판의 처리방법 중, 제2 단계와 제3 단계를 순차적으로 반복하는 방법은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제2항의 구성을 포함하는 장비를 사용하는 기판 처리방법 중, 제2 단계와 제3 단계를 순차적으로 반복하는 구체적인 방법을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 12항은 제2항의 장비를 사용하는 처리방법으로서 제1, 2, 3 단계를 정의하고 있으며, 청구항 13항은 반복 동작에 대해 명시하고 있다.
- 제2항의 플라즈마를 이용하는 공정장비에 있어서,서셉터 위에 기판을 안치하는 제1 단계와; 상기 제1 분사포트에서 공정가스를 분사하여 상기 제1 배기포트로 배기시키며 기판에 대한 공정을 수행하는 제2 단계와; 상기 제2 분사포트에서 공정가스를 분사하여 상기 제2 배기포트로 배기시키며 기판에 대한 공정을 수행하는 제3 단계포함하는기판의 처리방법
- 상기 제3 단계 이후에, 상기 제2단계와 상기 제3단계를 다시 순차적반복하는기판의 처리방법
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3근거 선택
evidence_selection제2 단계와 제3 단계를 순차적으로 반복한다는 조건에 부합하는 청구항 13항의 내용을 선택한다.
- 상기 제3 단계 이후에, 상기 제2단계와 상기 제3단계를 다시 순차적반복하는기판의 처리방법
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4논리 통합
logical_integration청구항 12항의 단계 구성(제1, 2, 3단계)과 청구항 13항의 반복 조건(제3 단계 이후 제2, 3단계 반복)을 결합하여 답변을 도출한다.
- 상기 제3 단계 이후에, 상기 제2단계와 상기 제3단계를 다시 순차적반복하는기판의 처리방법
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 단계(기판 안치), 제2 단계(제1 분사/배기 및 공정), 제3 단계(제2 분사/배기 및 공정)를 거친 후, 제3 단계 이후에 제2 단계와 제3 단계를 다시 순차적으로 반복하는 방법임을 확인한다.
- 상기 제3 단계 이후에, 상기 제2단계와 상기 제3단계를 다시 순차적반복하는기판의 처리방법
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 청구항 13항의 내용을 바탕으로 완성된 문장으로 답변을 생성한다.
- 상기 제3 단계 이후에, 상기 제2단계와 상기 제3단계를 다시 순차적반복하는기판의 처리방법
최종 답변 (final_answer)
제1 단계로 서셉터 위에 기판을 안치하고, 제2 단계로 제1 분사포트에서 공정가스를 분사하여 제1 배기포트로 배기시키며 기판에 대한 공정을 수행하며, 제3 단계로 제2 분사포트에서 공정가스를 분사하여 제2 배기포트로 배기시키며 기판에 대한 공정을 수행한 후, 상기 제3 단계 이후에 제2 단계와 제3 단계를 다시 순차적으로 반복하는 방법이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1 및 제2 분사/배기 포트를 교대로 사용하여 공정가스를 분사 및 배기함으로써, 제2 단계와 제3 단계를 순차적으로 반복하여 기판을 처리하는 공정 방법을 제공한다.