문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기제1 및 제2소환트랜지스터의 게이트절연막의 두께는 상기 sram부의 제1 및 제2트랜지스터의 게이트절연막의 두께동일한비휘발성 sram.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 게이트절연막은 게이트산화막인비휘발성 sram.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기제1 및 제2데이터저장소자트랜지스터인비휘발성 sram.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기제1 및 제2데이터저장소자트랜지스터인비휘발성 sram.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기제1 및 제2기억트랜지스터 및 제1 및 제2소환트랜지스터트랜지스터인비휘발성 sram.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 데이터저장소자는 제1산화막, 질화막 및 제2산화막이 순차적으로 형성된게이트절연막포함하는트랜지스터인비휘발성 저장장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 소환트랜지스터의 게이트절연막은 산화막이며, 두께가 상기 제1산화막동일한비휘발성 저장장치.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 메모리셀의 데이터를 저장하는 경우, 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호는 온신호를 상기 기억트랜지스터와, 데이터저장소자각각 인가하는비휘발성 저장장치.
[청구항 11]
제7항에 있어서,상기 데이터저장소자에 저장된 데이터를 상기 메모리셀로 소환하는 경우, 상기 제1제어신호, 상기 제2제어신호 및 상기 제3제어신호는 온신호를 상기 기억트랜지스터, 데이터저장소자 및 소환트랜지스터각각 인가하는비휘발성 저장장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비휘발성 저장장치에서 메모리셀의 데이터를 저장할 때, 제1제어신호와 제2제어신호는 각각 어떤 트랜지스터에 온신호를 인가하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation비휘발성 저장장치에서 메모리셀 데이터 저장 시 제1제어신호와 제2제어신호가 각각 어떤 트랜지스터에 온신호를 인가하는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 10에서 메모리셀의 데이터를 저장하는 경우의 제어신호 인가 동작에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 메모리셀의 데이터를 저장하는 경우, 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호는 온신호를 상기 기억트랜지스터와, 데이터저장소자각각 인가하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 청구항 10의 구절을 근거로 선택한다.
- 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호는 온신호를 상기 기억트랜지스터와, 데이터저장소자각각 인가하는
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4논리 통합
logical_integration제1제어신호는 기억트랜지스터에, 제2제어신호는 데이터저장소자에 온신호를 인가함을 연결한다.
- 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호는 온신호를 상기 기억트랜지스터와, 데이터저장소자각각 인가하는
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5결론 도출
conclusion_formulation제1제어신호는 기억트랜지스터에, 제2제어신호는 데이터저장소자에 온신호를 인가한다는 결론을 도출한다.
- 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호는 온신호를 상기 기억트랜지스터와, 데이터저장소자각각 인가하는
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호는 온신호를 상기 기억트랜지스터와, 데이터저장소자각각 인가하는
최종 답변 (final_answer)
제1제어신호는 기억트랜지스터에, 제2제어신호는 데이터저장소자에 온신호를 인가한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 저장장치의 메모리셀 데이터 저장 동작 시, 제1 및 제2제어신호를 통해 기억트랜지스터와 데이터저장소자를 각각 제어하는 절차를 정의함.