문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판;
상기 반도체 기판 상부에 형성된 복수개의 게이트라인
상기 게이트라인의 측벽 및 상부를 덮으면서 상기 게이트라인의 측벽으로부터 일정 길이만큼 측면연장된 연장부분이 상기 반도체 기판 표면 상에 형성된 게이트버퍼산화막
상기 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 상기 반도체 기판의 표면 상에 형성된 실리콘에피택셜층
상기 실리콘에피택셜층 아래의 상기 반도체 기판 내에 형성된 소스/드레인; 및
상기 실리콘에피택셜층의 상부 및 측면을 덮으면서 상기 게이트라인 사이에 매립된 폴리실리콘플러그
를 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 실리콘에피택셜층은,상기게이트전극의높이성장된것특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 실리콘nan에피택셜층두께인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 게이트버퍼산화막은, 습식산화 또는 건식산화법에 의해 형성한 산화막, 원자층증착법으로 증착한 산화막, 저압화학기상증착법으로 증착한 산화막 또는 플라즈마인핸스드화학기상증착법으로 증착한산화막중선택되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 게이트버퍼산화막의 연장부분의 폭nan은두께인것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 소자에서 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 반도체 기판 표면 상에는 어떠한 층이 형성되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 반도체 기판 표면에 형성된 층이 무엇인지 확인해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 게이트버퍼산화막의 연장부분과 반도체 기판 표면의 관계를 설명하는 구절을 추출한다.
- 상기 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 상기 반도체 기판의 표면 상에 형성된 실리콘에피택셜층
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '노출된 반도체 기판 표면 상에 형성된 층'에 직접적으로 대응하는 구절을 선택한다.
- 상기 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 상기 반도체 기판의 표면 상에 형성된 실리콘에피택셜층
-
4논리 통합
logical_integration게이트버퍼산화막의 연장부분이 기판을 일부 가리고 있으며, 그 노출된 영역에 실리콘에피택셜층이 형성되어 있음을 연결한다.
- 상기 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 상기 반도체 기판의 표면 상에 형성된 실리콘에피택셜층
-
5결론 도출
conclusion_formulation노출된 표면에 형성된 층은 실리콘에피택셜층임을 도출한다.
- 상기 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 상기 반도체 기판의 표면 상에 형성된 실리콘에피택셜층
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 상기 반도체 기판의 표면 상에 형성된 실리콘에피택셜층
최종 답변 (final_answer)
실리콘에피택셜층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 게이트버퍼산화막의 연장부분에 의해 노출된 반도체 기판 표면에 실리콘에피택셜층을 형성하여 반도체 소자를 구성하는 기술에 관한 것이다.