문맥 (context)
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 수광영역 및 수광영역 이외의 반도체기판의 표면에 절연층을 설치하고, 이 절연층상에상기발광소자배치용전극설치한것을특징으로 하는 수광소자.
[청구항 3]
청구항 2에 있어서,상기 발광소자배치용전극이 상기 절연층에 형성된 관통구멍상에 형성되고, 이 관통구멍을 통해상기전극과상기반도체기판직접접촉하고있는것을특징으로 하는 수광소자.
[청구항 5]
청구항 4에 있어서,상기 수광영역 및 수광영역 이외의 반도체기판의 표면에 절연층이 설치되고, 이 절연층에 형성된 관통구멍을 통해상기발광소자배치용전극과상기저농도불순물층접촉하고있는것을특징으로 하는 수광소자.
[청구항 6]
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,상기 고농도불순물층이상기수광영역측설치된것을특징으로 하는 수광소자.
[청구항 8]
청구항 7에 있어서,상기 수광영역 및 수광영역 이외의 반도체기판의 표면에 절연층이 설치되고, 상기 발광소자배치용전극이 상기 절연층에 형성된 관통구멍상에 형성되고, 이 관통구멍을 통해상기전극과상기반도체기판직접접촉하고있는것을특징으로 하는광반도체장치.
[청구항 10]
청구항 9에 있어서,상기 수광영역 및 수광영역 이외의 반도체기판 표면에 절연층이 설치되고, 이 절연층에 형성된 관통구멍을 통해상기발광소자배치용전극과상기저농도불순물층접촉하고있는것을특징으로 하는광반도체장치.
[청구항 11]
청구항 7 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광소자의 광출사방향과 평행으로 수광영역을 설치하고, 평면적으로 볼 때, 상기 발광소자를 그 발광점이상기수광영역중적어도일부배치한것을특징으로 하는광반도체장치.
[청구항 12]
청구항 11에 있어서,상기 발광소자가반도체레이저인것을특징으로 하는광반도체장치.
[청구항 13]
청구항 11에 있어서,상기 수광소자 표면으로부터 상기 발광소자 발광점까지의높이이하인것을특징으로 하는광반도체장치.
[청구항 16]
청구항 14 또는 청구항 15에 있어서,상기 반도체기판의 저항치가 50 ~ 15,000ω의 범위인 것을 특징으르 하는광반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 2, 3, 5 및 8을 참고할 때, 절연층에 형성된 관통구멍을 통해 발광소자배치용전극이 접촉할 수 있는 대상은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 2, 3, 5, 8을 분석하여 절연층의 관통구멍을 통해 발광소자배치용전극이 접촉하는 대상을 찾아야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3과 8에서는 전극이 관통구멍을 통해 반도체기판과 직접 접촉한다고 명시되어 있다.
- 이 관통구멍을 통해상기전극과상기반도체기판직접접촉하고있는것
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3근거 선택
evidence_selection청구항 5에서는 관통구멍을 통해 발광소자배치용전극과 저농도불순물층이 접촉한다고 명시되어 있다.
- 이 절연층에 형성된 관통구멍을 통해상기발광소자배치용전극과상기저농도불순물층접촉하고있는것
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4논리 통합
logical_integration청구항 3, 8의 '반도체기판'과 청구항 5의 '저농도불순물층'이 관통구멍을 통한 접촉 대상임을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation발광소자배치용전극이 관통구멍을 통해 접촉하는 대상은 반도체기판 및 저농도불순물층이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 접촉 대상을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
반도체기판, 저농도불순물층
핵심 해석 (core_interpretation)
절연층에 형성된 관통구멍을 이용하여 발광소자배치용전극을 반도체기판 또는 저농도불순물층에 직접 접촉시키는 구조에 관한 기술이다.