일체형 쉴드를 가진 받침대 document_id 1020037004960

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 중앙부는 상기 중앙부를 관통하는 다수의 설치 홀 및 다수의 리프트 핀 홀더 포함하는하부 쉴드. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 하부 쉴드에 전기적으로 결합된 rf 복귀 스트랩을 수용하는 하나 이상의 나사산 홀더 포함하는하부 쉴드. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 립은 rf 복귀 스트랩을 수용하는 하나 이상의 나사산 홀더 포함하는하부 쉴드. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 제 2면상에 놓이며 내부 직경을 가진 설치 링; 그리고상기 설치 링에 형성되며 상기 내부 직경에 접하도록 방위진 설치면더 포함하는하부 쉴드. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,복귀스트랩을 수용하는 하나 이상의 나사산 홀더 포함하는하부 쉴드. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 립과 중앙부는 일부 이상이 알루미늄으로 구성되거나 일부 이상이 알루미늄코팅되는하부 쉴드. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 립은 상기 하부 쉴드의 하단부에 의해 한정된 직경보다 더 큰 직경가지는하부 쉴드. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 설치부는 상기 설치부를 관통하는 다수의 설치 홀 및 다수의 리프트 핀 홀더 포함하는rf 복귀 하부 쉴드. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 보어의 내향으로 동심원상에 놓인 상기 중앙부를 통해 연장하는 개구더 포함하는rf 복귀 하부 쉴드. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 바디는 상기 상부면내에 놓인 인서트를 가진 상기 상부면 내측에 형성된 리세스더 포함하는기판 지지 부재. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 립은 상기 중앙부와 실질적으로 수직돌출되는기판 지지 부재. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,상기 하부 쉴드의 제 2면 또는 상기 바디의 하부면에 결합된 클램프 판더 포함하는기판 지지 부재. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 클램프 판 또는 상기 하부 쉴드에 결합된 벨로우즈더 포함하는기판 지지 부재. [청구항 17] 제 12 항에 있어서,상기 바디에 결합된 샤프트를 더 포함하고, 상기 하부 쉴드가 상기 샤프트에 전기적결합되는기판 지지 부재. [청구항 18] 제 12 항에 있어서,상기 립은 상기 바디의 상기 상부면 위로연장하지 않는기판 지지 부재. [청구항 19] 제 12 항에 있어서,상기 바디는세라믹인기판 지지 부재. [청구항 20] 제 12 항에 있어서,상기 바디는석영인기판 지지 부재. [청구항 21] 제 12 항에 있어서,상기 인서트는전도체인기판 지지 부재. [청구항 22] 제 12 항에 있어서,상기 하부 쉴드는 전도성 재료로 구성되거나 전도성 재료코팅되는기판 지지 부재. [청구항 23] 제 12 항에 있어서,상기 하부 쉴드에 근접하여 놓인 클램프 판; 그리고상기 하부 쉴드와 상기 클램프 판 또는 바디 사이에 놓이는 전도성 부재더 포함하는기판 지지 부재. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 전도성 부재는스프링인기판 지지 부재. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 상부면에 형성된 리세스에 놓인 전도성 인서트더 포함하는기판 지지 부재. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 하부 쉴드의 제 2면 또는 상기 바디의 하부면에 결합된 클램프 판; 그리고상기 클램프 판 또는 상기 하부 쉴드에 결합된 벨로우즈더 포함하는기판 지지 부재. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 하부 쉴드는 상기 샤프트에 전기적결합되는기판 지지 부재. [청구항 29] 제 25 항에 있어서,상기 바디는 석영이며 상기인서트는티타튬인 기판 지지 부재. [청구항 30] 제 25 항에 있어서,상기 하부 쉴드는알루미늄인기판 지지 부재. [청구항 32] 제 31 항에 있어서,상기 전도성 부재는스프링인기판 지지 부재. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 립은 상기 바디와 상기 쉴드 사이에서 반경방향으로 놓이는프로세싱 챔버. [청구항 35] 제 33 항에 있어서,상기 바디는석영인프로세싱 챔버. [청구항 36] 제 33 항에 있어서,상기 바디는 상기 상부면에 놓인 인서트를 가지는 상기 상부면 내측에 형성된 리세스더 포함하는프로세싱 챔버. [청구항 37] 제 33 항에 있어서,상기nan인서트는티타튬인 프로세싱 챔버. [청구항 38] 제 33 항에 있어서,상기 하부 쉴드는알루미늄인프로세싱 챔버. [청구항 39] 제 33 항에 있어서,상기 하부 쉴드의 제 2면 또는 상기 바다의 하부면에 결합된 클램프 판더 포함하는프로세싱 챔버. [청구항 40] 제 39 항에 있어서,상기 하부 쉴드와 바디 또는 클램프 판 사이에 놓인 전도성 부재더 포함하는프로세싱 챔버. [청구항 41] 제 39 항에 있어서,상기 클램프 판 또는 하부쉴드에 연결된 벨로우즈더 포함하는프로세싱 챔버. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 클램프 판에 결합된 샤프트를 더 포함하고,상기 하부 쉴드는 상기 샤프트에 전기적결합되는프로세싱 챔버. [청구항 43] 제 33 항에 있어서,상기 립은 상기 바디의 상기 상부면 위로연장하지 않는프로세싱 챔버. [청구항 44] 제 33 항에 있어서,상기 립과 상부쉴드는 미로형 갭형성하는프로세싱 챔버. [청구항 45] 제 33 항에 있어서,상기 하부 쉴드내에 형성된 그루브에서 일부 이상이 놓이는 전도성 부재더 포함하는프로세싱 챔버. [청구항 46] 제 45 항에 있어서,상기 전도성 부재는스프링인프로세싱 챔버. [청구항 47] 제 33 항에 있어서,상기 챔버 바디 내측에 놓인 기판상에서 예비 세척 공정수행되는프로세싱 챔버. [청구항 49] 제 48 항에 있어서,상기 하부 쉴드는,일부 이상이 상기 중앙부를 관통하며 측벽을 가진 보어; 그리고상기 측벽에 놓인 그루브더 포함하는프로세싱 챔버용 교체가능형 프로세스 키트. [청구항 50] 제 48 항에 있어서,상기 중앙부는 상기 중앙부를 관통하는 다수의 설치홀과 다수의 리프트 핀 홀더 포함하는프로세싱 챔버용 교체가능형 프로세스 키트. [청구항 51] 제 48 항에 있어서,상기 쉴드에 전기적으로 결합된 rf 복귀 스트랩을 수용하는 하나 이상의 나나산 홀더 포함하는프로세싱 챔버용 교체가능형 프로세스 키트. [청구항 52] 제 48 항에 있어서,상기 하부 쉴드는,상기 제 2면에 놓이며 내부 직경을 가지는 설치 링; 그리고상기 설치 링에 형성되며 상기 내부 직경에 접하도록 방위진 설치면더 포함하는프로세싱 챔버용 교체가능형 프로세스 키트. [청구항 53] 제 48 항에 있어서,상기 하부 쉴드와 상기 상부 쉴드중어느 하나 이상은 일부 이상이 알루미늄으로 구성되거나 일부 이상이 알루미늄코팅되는프로세싱 챔버용 교체가능형 프로세스 키트.