문맥 (context)
[청구항 3]
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 유전체층에 인가한 전계강도가, 7 ×104v/cm이하되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 4]
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 유전체층에 인가한 전계강도를 e로 하고, 상기 유전체층의 트랩밀도 또는 가동금속 이온밀도를 n으로 하는 경우에,이하의관계식만족하는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.logn ≤-eㆍ10-4/23+18+7/23 - - - - - (1)
[청구항 5]
제 2항에 있어서,상기 유전체층의 가동금속 이온밀도가, 1 ×1017개3이하인것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 6]
제 1항 내지 제 5항중 어느 한 항에 있어서,방전유지전극에는, 장수방향으로 버스전극이 형성되고, 상기 버스전극과 상기 유전체층과의 사이에는, 버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지를 위해, 수 nm - 수십 nm의두께의배리어층형성하는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 7]
제 1항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층의 방전공간측 표면에는 보호막이 형성되며, 상기 유전체층과 보호막과의 사이에는, 상기 유전체층으로의 캐리어 주입을 저감시키기 위해서, 두께 수 nm -- 수 십nm정도의배리어층형성하는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 유전체층의 트랩밀도가, 1 ×1017개3이하인것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 9]
제 8항에 있어서,상기 유전체층의 트랩밀도가, 5 ×1016개3이하인것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 10]
제 8항에 있어서,상기 유전체층의 트랩밀도가, 1 ×1017개/cm3 이하이며 1 ×109개/cm3이상되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 11]
제 5항, 제 8항 - 제 10항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층에 인가한 전계강도가, 30 ×104v/cm이하되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 12]
제 1항 - 제 11항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층이, 진공성막법에 의해 성막되는 sio2-x(단, x는 0≤x ≤1.0)막되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 13]
제 1항 - 제 11항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층이, 진공성막법에 의해 성막되는 질소를 포함하는 실리콘 산화물(sion)막되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 14]
제 1항 - 제 11항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층이, 도포법, 인쇄법 혹은 건식필름법에 의해 형성되며, 소성한유리페이스트유전체막되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 15]
제 1항 - 제 11항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층이, 화학기상법에 의해 성막된산화물혹은질화물 유전체막되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 16]
제 1항 - 제 11항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층이, 화학기상법에 의해 성막된 질소를 포함하는 산화물 유전체막이 을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 17]
제 1항 - 제 16항중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2패널의 내측에는, 어드레스 전극, 상기 방전공간을 분리하는 격벽과, 상기 격벽사이에 배치된형광체층형성하는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 18]
제 17항에 있어서,상기 어드레스 전극의 방전공간측의 내측에는, 유전체막이 형성하며, 상기 유전체막의 트랩밀도가, 1 ×1018개3이하인것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 19]
제 17항에 있어서,상기 어드레스 전극의 방전공간측의 내측에는, 유전체막이 형성하며, 상기 유전체막의 가동금속 이온밀도가, 1 ×1018개3이하인것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 20]
제 18항 또는 제 19항에 있어서,상기 유전체층에 인가한 전계강도가, 7 ×104v/cm이하되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 21]
제 18항 또는 제 19항에 있어서,상기 유전체막에 인가한 전계강도를 e로 하고, 상기 유전체층의 트랩밀도 또는 가동금속 이온밀도를 n으로 하는 경우에,이하의관계식만족하는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.logn ≤-eㆍ10-4/23+18+7/23 - - - - - (1)
[청구항 22]
제 18항에 있어서,상기 어드레스 전극의 방전공간측의 내측에는, 유전체막이 형성하며, 상기 유전체막의 트랩밀도가, 1 ×1017개3이하인것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 23]
제 19항에 있어서,상기 어드레스 전극의 방전공간측의 내측에는, 유전체막이 형성하며, 상기 유전체막의 가동금속 이온밀도가, 1 ×1017개3이하인것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
[청구항 24]
제 22항 또는 제 23항에 있어서,상기 유전체층에 인가한 전계강도가, 30 ×104v/cm이하되는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
플라즈마 표시장치의 방전유지전극에 형성된 버스전극과 유전체층 사이에 배리어층을 형성하는 목적은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation플라즈마 표시장치의 버스전극과 유전체층 사이에 형성된 배리어층의 목적을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 버스전극과 유전체층 사이의 배리어층에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 버스전극과 상기 유전체층과의 사이에는, 버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지를 위해, 수 nm - 수십 nm의두께의배리어층형성하는것을특징으로 하는플라즈마 표시장치
-
3근거 선택
evidence_selection배리어층의 목적을 명시한 구절인 '버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지'를 선택한다.
- 버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지를 위해
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거를 바탕으로 배리어층이 금속의 확산을 막는 역할을 수행함을 파악한다.
- 버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지를 위해
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 버스전극으로부터 유전체층으로의 금속 확산을 방지하기 위함임을 정리한다.
- 버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지를 위해
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지를 위해
최종 답변 (final_answer)
버스전극으로부터 상기 유전체층으로의 금속의 확산방지를 위해
핵심 해석 (core_interpretation)
플라즈마 표시장치에서 버스전극과 유전체층 사이에 배리어층을 형성함으로써, 전극의 금속 성분이 유전체층으로 확산되는 것을 차단하는 기술적 구성을 나타낸다.