문맥 (context)
[청구항 1]
하나 이상의 도핑된 전하 캐리어 수송층(2)
발광층(4); 및 콘택층들(1, 5)로 이루어진 유기층들을 포함하는 발광 소자로서,
상기 전하 캐리어 수송층(2)과 상기 발광층(4) 사이에 유기 재료로 이루어진 차단층(3)이 제공되는, 발광 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 발광 소자는, 정공 주입 애노드(1), 유기 주물질과 수용체(acceptor) 형태의 도핑 물질로부터 정공 전도를 위한 정공 수송층(2), 제 1 유기 정공측 차단층(3), 발광층(4), 제 2 유기 전자측 차단층(3'), 유기 주물질과 수용체 형태의 도핑 물질로부터 전자들의 전도를 위한 전자 수송층(2'), 및 전자들의 주입을 위한캐소드포함하는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 애노드(1)및캐소드금속성인것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상기 정공 수송층(2), 차단층(3) 및 발광층(4)은반복적연속되는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 발광층nan은다수의층들이루어지는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 6]
제 2 항에 있어서,상기 애노드(1)와 상기 정공 수송층(2) 사이 또는 상기 전자 수송층(2')과 상기 캐소드(5) 사이, 또는 상기 애노드(1)와 상기 정공 수송층(2) 사이 및 상기 전자 수송층(2')과 상기 캐소드(5) 사이에 콘택을 개선시키는층각각제공되는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 7]
제 2 항에 있어서,상기 정공 수송층(2) 또는 상기 전자 수송층(2'), 또는 상기 정공 수송층(2) 및 상기 전자 수송층(2') 내의 혼합물은 도핑 분자들 대 주물질 분자들의 비율을 기준으로 하여 1:100,000 내지 5:1의범위의몰농도갖는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 8]
제 2 항에 있어서,상기 정공 수송층(2) 및/또는 상기 전자 수송층(2')과 상기 차단층(3, 3')은 0.1 nm 내지 50 ㎛범위의두께갖는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,상기 차단층(3, 3')은 대응하는 인접 도핑층들 보다 더 얇은 것특징으로 하는발광 소자.
[청구항 10]
제 2 항에 있어서,상기 차단층(3, 3')은 인접한 에너지 층들에 따른 크기를 가지고, 이에 따라 다수(majority) 전하 캐리어들은 상기 전하 캐리어 수송층/차단층의 계면에서 현저하게 구속되고, 소수(minority) 전하 캐리어들은 상기 발광층/차단층의계면구속되는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 11]
제 1 항에 있어서,상기 차단층(3, 3')은, 엑시플렉스(exciplex) 형성이 대응하는 인접 수송층(2; 2') 내의 물질의 충전된 분자들과 전기발광층의 충전된 분자들 사이에서 저지되고 도펀트들에 의한 발광의 제거가 저지되도록 하는두께갖는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 12]
제 1 항에 있어서,상기 층들은,a) evp, ecp: 정공 전도성 혼합층의 주물질의 최고 점유 에너지 레벨(원자가(valence) 대역에 상응함) 및 최저 비점유 에너지 레벨(전도 대역에 상응함);b) evblockp, ecblockp: 정공측 차단층의 최고 점유 에너지 레벨(원자가 대역) 및 최저 비점유 에너지 레벨(전도 대역);c) evelp, ecelp: 정공 주입측상의 전기발광층의 최고 점유 에너지 레벨(원자가 대역) 및 최저 비점유 에너지 레벨(전도 대역);d) eveln, eceln: 전자 주입측상의 전기발광층의 최고 점유 에너지 레벨(원자가 대역) 및 최저 비점유 에너지 레벨(전도 대역) - 단지 하나의 층으로 이루어진 전기발광층의 경우에 evelp = eveln, ecelp = eceln이 적용됨 -;e) evblockn, ecblockn: 전자측 차단층의 최고 점유 에너지 레벨(원자가 대역) 및 최저 비점유 에너지 레벨(전도 대역);f) evn, ecn: 전자 전도성 혼합층의 주물질의 최고 점유 에너지 레벨(원자가 대역) 및 최저 비점유 에너지 레벨(전도 대역); 이 경우g) evblockp - evelp < 0.3ev ; ecblockn - eceln > -0.3ev,h) ecblockp > ecelp ; evblockn < eveln (실온에서 더 큰/더 작은 수 kt)i) evp > evelp 및 ecn < eceln인 경우에는, evp > evblockp 및 ecn < ecblockn도 적용됨(실온에서 더 큰/더 작은 수 kt)으로 정의된에너지레벨들갖는것을특징으로 하는발광 소자.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 에너지 레벨들은 상기 층들의 결합 상태와 관련이 있는 것특징으로 하는발광 소자.
[청구항 14]
제 1 항에 있어서,상기 발광 소자는유기 발광 다이오드형성되는것을특징으로 하는발광 소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 청구항에 명시된 사실을 확인하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
청구항 2항에 따른 발광 소자에서 정공 수송층(2)과 전자 수송층(2')을 구성하는 혼합물의 도핑 분자 대 주물질 분자의 몰농도 범위는 어떻게 정의되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 2항을 인용하는 청구항 중에서 정공 수송층(2)과 전자 수송층(2') 내 혼합물의 도핑 분자 대 주물질 분자의 몰농도 범위를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7항에서 정공 수송층(2) 또는 전자 수송층(2') 내 혼합물의 도핑 분자 대 주물질 분자 비율에 관한 수치 정보를 추출한다.
- 상기 정공 수송층(2) 또는 상기 전자 수송층(2'), 또는 상기 정공 수송층(2) 및 상기 전자 수송층(2') 내의 혼합물은 도핑 분자들 대 주물질 분자들의 비율을 기준으로 하여 1:100,000 내지 5:1의 범위의 몰농도갖는것을특징으로 하는발광 소자.
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 몰농도 범위에 직접적으로 대응하는 구절을 선택한다.
- 도핑 분자들 대 주물질 분자들의 비율을 기준으로 하여 1:100,000 내지 5:1의 범위의 몰농도
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4논리 통합
logical_integration청구항 7항은 청구항 2항을 인용하고 있으므로, 청구항 2항의 발광 소자에 적용되는 구성 요소의 몰농도 범위를 정확히 설명한다.
- 제 2 항에 있어서,상기 정공 수송층(2) 또는 상기 전자 수송층(2'), 또는 상기 정공 수송층(2) 및 상기 전자 수송층(2') 내의 혼합물은 도핑 분자들 대 주물질 분자들의 비율을 기준으로 하여 1:100,000 내지 5:1의 범위의 몰농도갖는것을특징으로 하는발광 소자.
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5결론 도출
conclusion_formulation도핑 분자 대 주물질 분자의 몰농도 범위는 1:100,000 내지 5:1임을 도출한다.
- 1:100,000 내지 5:1의 범위의 몰농도
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 1:100,000 내지 5:1
최종 답변 (final_answer)
1:100,000 내지 5:1의 범위의 몰농도
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 정공 수송층 및 전자 수송층 내의 도핑 분자와 주물질 분자 간의 최적화된 몰농도 비율(1:100,000 ~ 5:1)을 정의하여 전하 수송 효율을 조절하는 기술을 포함한다.