문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,산화물, 질화물 또는 질화물의 화합물의 패시베이션 층이 상기 유전체(13) 상제공되는집적 회로 구조체.
[청구항 3]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 패시베이션 영역은 상기 구리 합금(12)의 0.1 내지 약 5.0 원자량 퍼센트의 범위 내존재하는집적 회로 구조체.
[청구항 4]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 합금은인집적 회로 구조체.
[청구항 5]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 구리 합금은인집적 회로 구조체.
[청구항 6]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 구리 합금은인집적 회로 구조체.
[청구항 7]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 와이어(10)는 상기 구리 합금의 내부 코어와 순수 구리의 외부 영역의 이중 층와이어인집적 회로 구조체.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,단계e)와 f) 사이에서 유전체 캡 층증착되는집적 회로 구조체 마련 공정.
[청구항 10]
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,단계a)와 c) 사이에서 금속 라이너증착되는집적 회로 구조체 마련 공정.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,유전층 캡 층 증착 이후에 300℃~450℃ 온도 범위에서 포스트 캡 층을 어닐링하여 상기 라이너(14)와 상기 캡 층 사이의 경계면 상에 최종의 셀프 패시베이션 층형성하는집적 회로 구조체 마련 공정.
[청구항 12]
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 와이어 접착 단계는 구리 합금으로 이루어지는 내부 코어와 순수 구리의 외부 영역을 구비하는와이어사용하여수행되는집적 회로 구조체 마련 공정.
[청구항 13]
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 구리 합금은 cu-al, cu-mg 및 cu-li로 구성되는 그룹 중하나인집적 회로 구조체 마련 공정.
[청구항 16]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 구리 패드(11)는 구리 합금이루어지는집적 회로 구조체.
[청구항 17]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 접착부(18)는 접착 볼 또는 접착쐐기인집적 회로 구조체.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
집적 회로 구조체 마련 공정에서 유전층 캡 층 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정의 온도 범위와 이를 통해 형성되는 층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유전층 캡 층 증착 이후 수행되는 어닐링 공정의 온도 범위와 그 결과로 형성되는 층을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11에서 유전층 캡 층 증착 이후의 어닐링 조건과 형성되는 층에 대한 정보를 추출한다.
- 유전층 캡 층 증착 이후에 300℃~450℃ 온도 범위에서 포스트 캡 층을 어닐링하여 상기 라이너(14)와 상기 캡 층 사이의 경계면 상에 최종의 셀프 패시베이션 층형성하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 온도 범위(300℃~450℃)와 형성되는 층(최종의 셀프 패시베이션 층) 구절을 선택한다.
- 300℃~450℃ 온도 범위에서 포스트 캡 층을 어닐링하여 상기 라이너(14)와 상기 캡 층 사이의 경계면 상에 최종의 셀프 패시베이션 층형성
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4논리 통합
logical_integration어닐링 공정의 온도 범위는 300℃~450℃이며, 이 공정을 통해 라이너와 캡 층 사이의 경계면에 최종의 셀프 패시베이션 층이 형성됨을 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구한 온도 범위와 형성되는 층을 정리하여 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
300℃~450℃ 온도 범위에서 어닐링을 수행하며, 이를 통해 라이너(14)와 캡 층 사이의 경계면 상에 최종의 셀프 패시베이션 층이 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
유전층 캡 층 증착 후 특정 온도 범위(300℃~450℃)에서 어닐링을 수행함으로써 라이너와 캡 층 사이에 셀프 패시베이션 층을 형성하는 공정 기술에 관한 것이다.