플라즈마 처리 장치 document_id 1020037015657

[청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 오목부의 표면은 상기 피처리체의 처리면보다도 낮게 위치하도록형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 유전체 부재의 외경은 상기 탑재대의 외경보다도 큰 것특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,외연부를 갖는 상기 유전체 부재는 서로 분리 가능한탑재면부및가이드링부구성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 부재는 석영, sio2, al2o3, aln, si3n4로구성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 유전체 벽은 벨자형상인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 복수의 가스 분출 구멍nan은처리실내의일점개구되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 처리실nan은벨자형형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 유전체 부재는 상기 탑재대의 외측으로 돌출하는외주연부갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,상기 탑재대의 상면에는 오목부가 형성되어 있고, 상기 제 2 유전체 부재의 하면에는 볼록부가 형성되고, 상기 탑재대의 상면의 오목부와 끼워맞춤되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제 8 항에 있어서,상기 가스 도입 구멍은 상기 처리실내의 중앙의 공간부를 향해 소정의 각도에서 처리 가스를 분출하도록형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제 1 항에 있어서,상기 가스 분출 구멍은 상기 제 2 처리실의 ½ 높이의 상기 처리실의 중앙 공간부를 향해 처리 가스를 분출하도록개구되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 27] 제 8 항에 있어서,상기 가스 도입부는 상기 복수의 가스 분출 구멍을 상호 연통시키는환상홈갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 28] 제 9 항에 있어서,상기 복수의 가스 분출 구멍은 상기 테이퍼 면에 대하여 수직인방향개구되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제 13 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 피처리체에는 에칭 대상인도전성의막형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제 13 항에 있어서,상기 제 1 처리 가스는 ar가스2가스인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 35] 제 13 항에 있어서,상기 유전체 부재는석영또는세라믹스재인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 36] 제 13 항에 있어서,상기 초기화 공정의 처리 시간은 5초 내지30초인것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 48] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 유전체 부재는 석영 또는 세라믹스재로형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 49] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 유전체 부재의 상부에 상기 탑재대에 대향하는 대향 전극설치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 50] 제 1 항에 있어서,상기 안테나는코일로 이루어진플라즈마 처리 장치. [청구항 51] 제 1 항에 있어서,상기 코일은 제 1 유전체 부재의 주위에 권취되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 52] 제 1 항에 있어서,상기 안테나는 정합기를 거쳐서 고주파 전원접속되는플라즈마 처리 장치. [청구항 53] 제 1 항에 있어서,상기 탑재대에 전극매설되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 54] 제 1 항에 있어서,상기 가스 도입부는 상기 제 1 처리 용기와 제 2 처리 용기 사이에 설치되고, 복수의 가스 도입 구멍을 형성하여 환상설치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 55] 제 7 항에 있어서,상기 유전체는 벨쟈형상인플라즈마 처리 장치. [청구항 56] 제 7 항에 있어서,상기 안테나에 고주파 전원접속되는플라즈마 처리 장치. [청구항 57] 제 7 항에 있어서,상기 안테나 부재는 코일형인플라즈마 처리 장치. [청구항 58] 제 7 항에 있어서,상기 돌기는 반원형의 돌기 또는 볼록한 돌기형성하는플라즈마 처리 장치. [청구항 59] 제 7 항에 있어서,상기 돌기는 복수형성되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 60] 제 7 항에 있어서,상기 유전체 벽을 덮도록 설치된 금속제의 커버갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 61] 제 7 항에 있어서,상기 탑재대는 제 1 전극배치하는플라즈마 처리 장치. [청구항 62] 제 61 항에 있어서,상기 제 1 전극에 고주파 전원접속되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 63] 제 61 항에 있어서,상기 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극배치하는플라즈마 처리 장치. [청구항 64] 제 7 항에 있어서,상기 탑재는 히터갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 65] 제 7 항에 있어서,상기 시일 부재는가스켓인플라즈마 처리 장치. [청구항 66] 제 65 항에 있어서,상기 가스켓은 불소계 탄성중합체재료로 이루어진플라즈마 처리 장치. [청구항 67] 제 52 항 또는 제 56 항에 있어서,상기 고주파 전원은 450khz 내지 60mhz의 주파수인 고주파 전력을 발생가능한플라즈마 처리 장치.