결합된 가열 장치와 칠링장치용 가열 부재 및 방법 document_id 1020037015943

[청구항 2] 제 1항에 있어서,평탄도가 0.005인치이하인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 3] 제 1항에 있어서,평탄도가 0.002인치이하인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 4] 제 1항에 있어서,가열전도층은 영모듈이 적어도 400기가파스칼인세라믹함유하는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 5] 제 1항에 있어서,열전도층은 적어도 100와트(meter degree kelvin)의 열전도성을 가진세라믹함유하는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 6] 제 5항에 있어서,세라믹은 97중량%이상의 순도를 갖는실리콘탄화물인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 7] 제 1항에 있어서,세라믹은 적어도 98중량%의 순도를 갖는실리콘인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 8] 제 1항에 있어서,세라믹은 소결된실리콘탄화물인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 9] 제 1항에 있어서,세라믹은 알루미늄질화물인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 11] 제 10항에 있어서,실리콘 탄화물은 약 100에서 약 150와트(meter degree kelvin)범위의열전도갖능것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 12] 제 10항에 있어서,실리콘 탄화물은 소결된실리콘탄화물인것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 13] 제 10항에 있어서,실리콘 탄화물은 99 중량 %이상의순도갖는것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 14] 제 13항에 있어서,실리콘 탄화물은 적어도 150와트(meter degree kelvin)의열전도갖는것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 15] 제 14항에 있어서,실리콘 탄화물은 화학적 증착 실린콘탄화물인것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 17] 제 16항에 있어서,열 전도층nan은알루미늄질화물구성된것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 19] 제 18항에 있어서,각각의 가열 소자새그먼트의 온도는독자적제어되는것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 20] 제 18항에 있어서,다층 가열 소자는 층들을 포함하고 하나의 층은 원형 내부 가열 죤을 형성하는 3개의 파이형상의 가열소자 새그먼트를 포함하고 제 2층은 환상의 외부 가열 죤을 형성하는 3개의 가열 소자 새그먼트포함하는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 21] 제 18항에 있어서,하나이상의 가열 소자새그먼트에 관한 내부 가열 죤과 하나이상의 가열 소자 새그먼트에 관한 것이고 이 내부 가열 죤을 포위하는환상의외부가열죤포함하는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 22] 제 21항에 있어서,내부 가열 죤은 200mm 또는 300mm마이크로전자공작물의영역근접하는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 23] 제 21항에 있어서,가열부재는 내부 가열 죤에 대한 하나이상의 가열 소자 새그먼트를 포함하는 층과, 외부 가열 죤에 대해 하나이상의 가열 소자 새그먼트을 포함하는 또 다른층포함하는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 24] 제 23항에 있어서,가열 소자새그먼트는 전기 전도 리드에 연결되어 있고 내부 가열 죤에 대한 하나이상의 가열 소자 새그먼트으 포함하는 층은 외부 가열 죤에 대한 하나이상의 가열 소자 새그먼트를 포함하는층과열전도층사이위치되는것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 25] 제 18항에 있어서,저항 박막 온도 센서를 포함하는층포함하는것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 26] 제 25항에 있어서,층nan은하나이상의센서포함하는것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 27] 제 25항에 있어서,다층 가열 소자는 접지층에 의해 분리된 저항 박막 온도 센서를 포함하는 층과 분리된 가열소자를 포함하는층포함하는것을특징으로 하는저열량 가열 부재. [청구항 28] 제 27항에 있어서,접지층은 동층인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 30] 제 29항에 있어서,저항 박막 온도 센서를 포함하는 것을특징으로 하는다층 가열부재. [청구항 31] 제 30항에 있어서,접지층을 포함하는 것을특징으로 하는다층 가열부재. [청구항 32] 0.01인치 이하의 편평도을 갖는 지지면을 갖는 열전도 실리콘 탄화물층을 구비하고 이 실리콘 탄화물은 적어도 100와트(meter degree kelvin)의 열전도도를 갖으며 또한 실리콘 탄화물 층의 대향층과 열접촉하는 다층 가열소자를 구비하며, 이 다층 가열 소자는 다중 전기 저항 가열 소자 새그먼트를 포함하고, 다층 가열 소자의 두개이상의 상이한 층은 하나이상의 가열 소자 새그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열부재 [청구항 33] 제 32항에 있어서,열전도층은 적어도 98중량 %의 실리콘 카바이드을 함유하고 적어도 약 100와트(meter degree kelvin)의 열전도도를 갖는실리콘탄화물층인것을특징으로 하는가열부재. [청구항 34] 제 32항에 있어서,005인치 이하의 편평도를갖는것을특징으로 하는가열부재. [청구항 35] 제 32항에 있어서,가열 소자는 원형 내부 가열 죤에 대한 하나이상의 가열 소자 새그먼트을 포함하는 제 1층과 이 내부 가열 영역을 포위하는 환상의 내부 가열 죤에 대한 하나이상의 가열 소자 새그먼트를 포함하는 제 2층을 구비하며, 상기 제 2층은열전도실리콘탄화물층과제1층사이에있는것을특징으로 하는가열 부재. [청구항 36] (a) 가열 부재로부터의 열 에너지가 공자물에 전달 되도록 가열 부재와 열접촉하게 공작물을 지지하기에 적합한 공작물 지지면을 갖는 저 열량 열 전도 가열 부재와 상기 가열 부재의 지지면은 0.01이하의 편평도을 가지며 (b) 고열량 칠링부재를 구비하여, 상기 칠링부재가 가열부재와 열접촉하는 적어도 제 1 구성에 가열 부재와 칠링 부재를 지지하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도를 제어하는 장치 [청구항 37] 제 36항에 있어서,장치는 가열 부재와 칠링부재가 열적으로 디커플된 제 2구성을 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 38] 제 37항에 있어서,열량 열 전도 부재는 실리콘 탄화물 층을 포함하고, 가열 부재는 열량이 약 500j/℃이고 직경은 약 8인치-약 13인치의 범위이고 두께는 약 0.25인치 이하인것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 39] 제 37항에 있어서,공작물은 마이크로전자 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 40] 제 39항에 있어서,공작물은 직경이 약 200에서 약 300미리미터의 범위인 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 41] 제 37항에 있어서,장치는 결합 베이크/칠 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 42] 제 37항에 있어서,장치는 프라임/칠 장치를 포함하는 것을 특징으로하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 43] 제 37항에 있어서,열 전도층은 알루미늄 질화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 44] (a) 가열 부재로부터의 가열 에너지가 공작물에 전달되도록 가열부재와 열접촉하게 공작물을 지지하기에 적합한 공작물 지지면을 갖는 세라믹 열 전도 층을 포함하는 저열량 열 전도 가열 부재와 (b)고 열량 칠링 부재를 구비하며 상기 칠링 부재가 가열부재와 열접촉하는 제 1구성에 가열 부재와 칠링부재를 지지하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도를 제어하는 장치 [청구항 45] 제 44항에 있어서,실리콘 질화물은 적어도 100와트(meter degree kelvin)의 열전도를 갖는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 46] 제 44항에 있어서,실리콘 탄화물은 소결된 실리콘 탄화물인 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 47] 제 44항에 있어서,실리콘 탄화물은 90중량 %의 순도를 갖는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 48] 제 44항에 있어서,실리콘 탄화물은 화학적 증착 실리콘 탄화물인 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 49] (a) 공작물 지지면과 대향면을 갖는 열 전도층을 포함하는 저열량 열 전도 가열 부재를 구비하고, 이 공작물 지지면은 가열 부재로부터의 열 에너지가 공작물에 전달 되도록 가열 부재와 열접촉하게 공작물을 지지하며, 상기 대향면은 다증 전기저항 가열 소자 새그먼트을 포함하고, 다층 가영 소자의 두개이상의 상이한 층은 가열 소자 새그먼트를 포함하며 (b) 고열량 칠링 부재를 구비하고, 상기 칠링 부재가 가열 부재와 열접촉하는 제 1 구성에 가열 부재와 칠링부재를 지지하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도를 제어하는 장치 [청구항 50] 제 49항에 있어서,각각의 가열 소자새그먼트의 온도는 독자적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 51] 제 49항에 있어서,다층 가열 소자의 두개 이상의 상이한 층에 포함되 두개이상의 가열 소자 새그먼트를 포함하고, 각각의 가열 소자 새그먼트는 리드를 포함하며, 상기 가열 소자 새그먼트와 상이한 층의 리드는 하나의 층의 가열 소자 새그먼트가 다른 층의 리드보다 열전도층에 더 근접하게 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 52] 제 49항에 있어서,가열 부재는 내부 가열 죤과 이 내부 가열죤을 포위하는 외부 가열 죤을 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 53] 제 52항에 있어서,내부 가열 죤은 크기가 200mm 또는 300mm공작물에 근접한 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 54] 제 52항에 있어서,가열 부재는 내부 가열 죤에 대한 하나이상의 가열 소자 새그먼트를 포함하는 층과 외부 가열 죤에 대한 하나이상의 가열 소자 새그먼트를 포함하는 또 다른 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 55] 제 54항에 있어서,내부 가열 죤은 원형이고 외부가열 죤은 환상형이며 외부 가열 죤의 가열 소자 새그먼트를 포함하는 층은 열 전도층과 내부 가열 죤의 가열 소자 새그먼트를 포함하는 층사이에 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 57] 제 56항에 있어서,실리콘 탄화물 열 전도도 층은 공작물 지지면과 대향면을 포함하며, 공작물 지지면은 가열 부재로부터의 열 에너지가 공작물에 전달되도록 가열 부재와 열접촉하게 공작물을 지지하며, 대향면은 다층 전기 저항 가열 소자 새그먼트을 포함하는 다층 가열 소자와 열접촉하게 되어 있으며, 다층 가열 소자의 두개이상의 상이한 층은 가열 소자 새그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 59] 제 58항에 있어서,알루미늄 질산 열 전도층은 공작물 지지면과 대향면을 포함하고 공작물 지지면은 가열부재로 부터의 가열 에너지가 공작물에 전달되도록 가열부재와 열 접촉하게 공작물을 지지하며, 대향면은 다중 전기 저항 가열 소자 새그면트을 포함하는 다층 가열 소자와 열접촉하며 다층 가열 소자의 두개이상의 상이한 층은가열소자포함하는것을특징으로 하는결합 프라임 및 칠 장치. [청구항 61] 제 60항에 있어서,미리미터 워이퍼 기판을 지지하기에 유용한직경갖는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 62] 제 60항에 있어서,미리미터 웨이퍼 기판을 지지하는데 유용한직경갖는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 63] 제 60항에 있어서,편평도가 0.005인치이하인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 64] 제 63항에 있어서,미리미터 웨이퍼 기판을 지지하기에 유용한직경갖는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 65] 제 60항에 있어서,편평도가 0.002인치이하인것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 66] 제 65항에 있어서,미리미터 웨이퍼 기판을 지지하는데 유용한직경갖는것을특징으로 하는저열량 가열부재. [청구항 68] 제 67항에 있어서,열 전도층은 알루미늄 질화물구성된 것을특징으로 저열량 가열부재. [청구항 69] (a) 가열 부재로부터의 열 에너지가 공작물에 전달되도록 공작물을 가열부재와 열접촉하게 지지하는 공작물 지지면을 포함하고 이 열전도층은 알루미늄 질화물을 함유하고, (b) 고열량 칠링부재를 포함하는 공작물의 온도를 제어하는 장치로, 이 장치는칠링 부재가 가열부재와 열접촉하는 제 1 구성에 가열부재와 칠링부재를 지지하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도를 제어하는 장치 [청구항 70] 제 69항에 있어서,장치는 가열부재와 칠링부재가 열적으로 디커플된 제 2구성을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 71] 제 69항에 있어서,공작물은 마이크로 전자 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 72] 제 71항에 있어서,공작물은 약 200-약 300미리미터의 범위의 직경을 갖는 실리콘 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 73] 제 72항에 있어서,가열부재의 표면은 0.005인치의 편평도를 갖는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 74] 제 69항에 있어서,상기 장치는 결합 베이크/칠 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 75] 제 69항에 있어서,상기 장치는 플라임/칠 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물의 온도제어하는장치. [청구항 77] 제 76항에 있어서,실리콘 탄화물 열 전도층은 공작물 지지 면과 대향면을 포함하고 이 공작물 지지면은 가열부재로부터의 가열 에너지가 공작물에 전달되도록 공작물을 가열부재와 열접촉하게 지지하고, 대향면은 다중 전기 저항 가열 소자 새그먼트을 포함하는 다층 가열 소자와 열접촉하는 것을특징으로하는결합 베이크/칠장치. [청구항 79] 제 78항에 있어서,알루미늄 질화물 열 전도층은 공작물 지지면과 대향면을 포함하고 공작물 지지면은 가열부재로부터의 열에너지가 공작물에 전달되도록 공작물을 가열부재와 열접촉하게 지지하고 대향면은 다중 전기 저항 가열 소자 새그머트열접촉하는것을특징으로 하는결합 프라임/칠장치.