문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 메모리 소자에 있어서,
반도체 기판 상에 형성된 게이트 적층물
상기 게이트 적층물 하부의 상기 soi 기판에 도전성 불순물이 주입되어 형성 되며, 채널 영역을 사이에 두고 소정 간격 이격된 제 1 및 제 2 불순물 영역; 및
상기 제 1 또는 제 2 불순물 영역의 측부의 soi 기판에 형성된 컨택층
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 게이트 적층물은, 터널링 산화층, 유전체층, 블로킹 산화층 및 게이트 전극층이순차적형성된것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 기판은 si 층, 산화물층 및 si 벌크층이순차적형성된것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기제 1 또는 제 2 불순물 영역 및 상기 콘택층 사이에 형성된절연층더포함하는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 터널링 산화층 및 상기 블로킹 산화층은, sio2, hfon, al2o3, tao2, tio2 또는 high-k 물질중에서적어도하나의물질포함한것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 유전체층은, si3n4과 같은 질화막 또는 si-dot중적어도하나의물질포함한것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 메모리 소자에서 게이트 적층물의 구성 요소들을 순차적으로 나열하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1의 반도체 메모리 소자 내 게이트 적층물을 구성하는 요소들을 순서대로 나열하는 과업을 수행한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2를 확인하여 게이트 적층물의 구성 요소와 그 형성 순서를 추출한다.
- 상기 게이트 적층물은, 터널링 산화층, 유전체층, 블로킹 산화층 및 게이트 전극층이순차적형성된것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
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3근거 선택
evidence_selection게이트 적층물의 구성 요소인 터널링 산화층, 유전체층, 블로킹 산화층, 게이트 전극층을 근거로 선택한다.
- 터널링 산화층, 유전체층, 블로킹 산화층 및 게이트 전극층
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4논리 통합
logical_integration추출된 구성 요소들이 '순차적'으로 형성되었다는 문맥을 결합하여 순서를 확정한다.
- 터널링 산화층, 유전체층, 블로킹 산화층 및 게이트 전극층이순차적형성된것
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5결론 도출
conclusion_formulation게이트 적층물의 구성 요소를 순서대로 정리하여 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 구성 요소들을 리스트 형식으로 나열하여 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
터널링 산화층, 유전체층, 블로킹 산화층, 게이트 전극층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 터널링 산화층, 유전체층, 블로킹 산화층 및 게이트 전극층이 순차적으로 적층된 게이트 적층물을 포함하는 반도체 메모리 소자에 관한 것이다.