다층 직렬 다이오드 셀 및 이를 이용한 불휘발성 메모리장치 document_id 1020040002240

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 실리콘층은 성장 실리콘, 폴리 실리콘 중 적어도 어느 하나특징으로 하는다층 직렬 다이오드 셀. [청구항 3] 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 실리콘층은 복수개의 pnpn 다이오드 스위치와 복수개의 pn 다이오드 스위치가 교번적으로 직렬연결되어 연속적인다이오드체인형성함을특징으로 하는다층 직렬 다이오드 셀. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 비트라인 콘택노드는 상기 복수개의 pnpn 다이오드 스위치의 p형 영역과 상기 복수개의 pn 다이오드 스위치의 n형영역각각형성됨을특징으로 하는다층 직렬 다이오드 셀. [청구항 5] 제 3항에 있어서,상기 콘택노드는 상기 복수개의 pnpn 다이오드 스위치의 n형 영역과 상기 복수개의 pn 다이오드 스위치의 p형 영역이 연결되는상기공통노드형성됨을특징으로 하는다층 직렬 다이오드 셀. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프에 의해 공유되는 데이타 버스; 상기 데이타 버스로부터 인가되는 데이타를 증폭하는 메인 앰프; 상기 메인 앰프로부터 인가되는 증폭 데이타를 버퍼링하는 데이타 버퍼; 및 상기 데이타 버퍼로부터 인가되는 출력 데이타를 외부로 출력하거나, 외부로부터 인가되는 입력 데이타를 상기 데이타 버퍼에 인가하는 입/출력 포트를 더 구비함을 특징으로 하는 다층 직렬 다이오드 셀이용한불휘발성 메모리 장치. [청구항 8] 제 6항 또는 제 7항에 있어서,상기 복수개의 직렬 다이오드셀 어레이 각각은, 로오 및 컬럼 방향으로 각각 배열된 복수개의 워드라인과 복수개의 비트라인 사이의 교차 영역에 위치하는 복수개의 다층 직렬 다이오드 셀; 및 상기 복수개의 비트라인에 각각 일대일 대응하여 연결된 복수개의 비트라인 풀다운 소자를 구비함을 특징으로 하는 다층 직렬 다이오드 셀이용한불휘발성 메모리 장치. [청구항 9] 제 6항 또는 제 7항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프는 복수개의 비트라인에 각각 일대일 대응하여 연결되며, 센스앰프 인에이블 신호의 활성화시 기준전압과 상기 비트라인의 전압을 비교 및 증폭함을 특징으로 하는 다층 직렬 다이오드 셀이용한불휘발성 메모리 장치. [청구항 10] 제 6항 또는 제 7항에 있어서,상기 직렬 다이오드 스위치는 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터의 버텀 전극과 상기 비트라인 사이에 순방향으로 연결된 pn 다이오드 스위치; 및 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터의 버텀전극과 상기 비트라인 사이에 역방향으로 연결된 pnpn 다이오드 스위치를 구비함을 특징으로 하는 다층 직렬 다이오드 셀이용한불휘발성 메모리 장치. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기pn 다이오드 스위치의 p형 영역은 상기 버텀 전극과 연결되고, n형 영역은 상기 비트라인과 연결됨을 특징으로 하는 다층 직렬 다이오드 셀이용한불휘발성 메모리 장치. [청구항 12] 제 10항에 있어서,상기pnpn 다이오드 스위치의 상부 n형 영역은 상기 버텀 전극과 연결되고, 하부 p형 영역은 상기 비트라인과 연결됨을 특징으로 하는 다층 직렬 다이오드 셀이용한불휘발성 메모리 장치. [청구항 13] 제 10항에 있어서,상기 워드라인의 전압 레벨이 하이이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 로우일 경우 상기 pn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 제 1데이타를 라이트하며, 상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 트리거 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우 상기 pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터에 제 2데이타를 라이트하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 다층 직렬 다이오드 셀이용한불휘발성 메모리 장치.