문맥 (context)
[청구항 1]
소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과,
상기 제1기판 상에 소정의 간격으로 형성되는 다수의 캐소드 전극과,
상기 캐소드 전극 위에 형성되는 다수의 에미터와,
절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 위에 교차하는 패턴으로 형성되고 상기 에미터와 인접하지 않는 부분의 일부를 제거하여 캐소드전위유도부를 형성하는 다수의 게이트 전극과,
상기 제2기판 상에 형성되는 애노드 전극과,
상기 애노드 전극의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막을 포함하는 전계 방출 표시장치
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 게이트 전극 및 절연층에는 상기 에미터를 캐소드 전극 위에 형성하기 위한 공간 및 전계방출을 위한 공간인 에미터구멍을 형성하고, 상기 게이트 전극은 상기 절연층 위에 스트라이프 패턴으로 형성되는 전극부와 상기 절연층이 노출되도록 상기 전극부의 일부를 제거하여 형성되는 캐소드전위유도부로 이루어지는전계 방출 표시장치.
[청구항 3]
청구항 2에 있어서,상기 캐소드전위유도부는 상기 전극부가 상기 에미터와 인접한 부분 및 바깥쪽 모서리부분이 남겨지도록 스트라이프 패턴의 길이방향을 따라 길게 직사각형형성하는전계 방출 표시장치.
[청구항 4]
청구항 3에 있어서,상기 캐소드전위유도부는 상기 전극부가 동일한 폭으로 상기 에미터를 둘러싸도록 에미터구멍의 형상을 따라 일부분을 반원형형성하는전계 방출 표시장치.
[청구항 5]
청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한항에 있어서,상기 캐소드전위유도부는 전극부가 중간에 절단되는 부분이 없이 전체가 서로 연결되도록 양쪽으로 나누어 대칭되는 형상형성하는전계 방출 표시장치.
[청구항 6]
청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한항에 있어서,상기 캐소드전위유도부는 에미터구멍을 형성하는 과정에서 동시형성하는전계 방출 표시장치.
[청구항 7]
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 절연층은 증착법을 이용하여 박막형성하는전계 방출 표시장치.
[청구항 8]
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 절연층은 인쇄법을 이용하여 후막형성하는전계 방출 표시장치.
[청구항 9]
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 에미터는 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 카본 나노튜브, c60 중에서 선정하여 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 면형상형성하는전계 방출 표시장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전계 방출 표시장에서 게이트 전극은 어떠한 구성 요소들로 이루어지며, 캐소드전위유도부는 게이트 전극의 어느 부분을 어떻게 형성하여 만들어지는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation게이트 전극의 구성 요소와 캐소드전위유도부가 게이트 전극의 어느 부분을 어떻게 형성하여 만들어지는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2를 통해 게이트 전극의 구성 요소와 캐소드전위유도부의 형성 방식을 추출한다.
- 상기 게이트 전극은 상기 절연층 위에 스트라이프 패턴으로 형성되는 전극부와 상기 절연층이 노출되도록 상기 전극부의 일부를 제거하여 형성되는 캐소드전위유도부로 이루어지는
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3근거 선택
evidence_selection게이트 전극의 구성(전극부, 캐소드전위유도부)과 캐소드전위유도부의 형성 방법(전극부의 일부를 제거하여 형성)에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 게이트 전극은 상기 절연층 위에 스트라이프 패턴으로 형성되는 전극부와 상기 절연층이 노출되도록 상기 전극부의 일부를 제거하여 형성되는 캐소드전위유도부로 이루어지는
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4논리 통합
logical_integration게이트 전극은 '전극부'와 '캐소드전위유도부'로 구성되며, 캐소드전위유도부는 '전극부의 일부를 제거'함으로써 형성된다는 논리를 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 게이트 전극의 구성 요소와 캐소드전위유도부의 형성 과정을 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 구조화된 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
게이트 전극은 스트라이프 패턴으로 형성되는 '전극부'와 '캐소드전위유도부'로 이루어지며, 캐소드전위유도부는 전극부의 일부를 제거하여 절연층이 노출되도록 형성함으로써 만들어진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 게이트 전극을 전극부와 캐소드전위유도부로 구분하고, 전극부의 일부를 제거하여 캐소드전위유도부를 형성함으로써 전계 방출을 위한 구조를 정의하는 기술에 관한 것이다.