문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 빗 패턴들 각각에는 전압을 인가하기 위한 패드들구비되는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 고립패턴들중 최초 패턴과 최종 패턴 각각에는 전압을 인가하기 위한 패드들구비되는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 고립패턴들 및 상기 제 2 고립 패턴들은 상기 비아 콘택들에 의해 연속적으로 연결된 3차원 구조의 스네이크 형태의 비아 체인 패턴이루는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 단위 테스트 패턴이 스크라이브 라인이나 별도의 테스트 웨이퍼형성되는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 단위 테스트 패턴은 실제 반도체 소자의 금속배선 공정과 동일한 조건형성되는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 복수개의 단위 테스트 패턴은 실제 반도체 소자의 금속배선 공정과 동일한 조건으로 형성된 단위 테스트 패턴과, 상기 비아 콘택이 상기 하부 금속배선과 임의로 일정 거리 오정렬되도록 형성된 단위 테스트 패턴포함하는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 오정렬된 단위 테스트 패턴은 오정렬 거리를 최소 간격 디자인 룰적용하는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 단위 테스트 패턴을 이루는 상기 비아 콘택들은 적어도 1000개 이상형성하는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기제 3 및 제 4 빗 패턴들은 상기 제 1 및 제 2 빗 패턴들에 오버랩 되는 위치형성되는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
[청구항 11]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 층간 절연층 및 상기 제 2 층간 절연층 각각의 상부에는확산방지절연막형성된것을포함하는반도체 소자의 테스트 패턴 그룹.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 소자의 테스트 패턴 그룹 중, 제 1 및 제 2 고립 패턴들이 비아 콘택에 의해 형성하는 구조적 형태는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제 1 및 제 2 고립 패턴이 비아 콘택에 의해 형성하는 구조적 형태를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 제 1 고립패턴들과 제 2 고립 패턴에 관한 설명을 추출한다.
- 상기 제 1 고립패턴들 및 상기 제 2 고립 패턴들은 상기 비아 콘택들에 의해 연속적으로 연결된 3차원 구조의 스네이크 형태의 비아 체인 패턴이루는
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 구조적 형태를 명시한 구절을 선택한다.
- 3차원 구조의 스네이크 형태의 비아 체인 패턴
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4논리 통합
logical_integration제 1 및 제 2 고립 패턴이 비아 콘택을 통해 연결되어 형성하는 결과물이 스네이크 형태의 비아 체인 패턴임을 확인한다.
- 상기 제 1 고립패턴들 및 상기 제 2 고립 패턴들은 상기 비아 콘택들에 의해 연속적으로 연결된 3차원 구조의 스네이크 형태의 비아 체인 패턴이루는
-
5결론 도출
conclusion_formulation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 답변을 구성한다.
- 3차원 구조의 스네이크 형태의 비아 체인 패턴
-
6답변 생성
answer_generation최종 답변을 작성한다.
- 3차원 구조의 스네이크 형태의 비아 체인 패턴
최종 답변 (final_answer)
3차원 구조의 스네이크 형태의 비아 체인 패턴
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제 1 및 제 2 고립 패턴을 비아 콘택을 통해 연속적으로 연결함으로써, 3차원 구조의 스네이크 형태를 가진 비아 체인 패턴을 형성하는 기술에 관한 것이다.