문맥 (context)
[청구항 9]
제8 항에 있어서,상기 수학적 모델은 정션 콘택 플러그 이온 주입 도우즈 = ((0.5 × 상기 게이트 전극의 실 계측 임계 디멘젼(nm))- 67.3) ×e12 로 표시되는방정식인것을특징으로 하는전자 소자의 제조 방법
[청구항 15]
제14 항에 있어서,상기 이온 주입 레서피를 조정하는 수단은 타겟 임계 디멘젼과 상기 계측 임계 디멘젼과의 차이로 인해 발생하는 문턱 전압 변동을 보상할 수 있도록 상기 이온 주입 레서피를 조정하는수단인것을특징으로 하는이온 주입기 조절기.
[청구항 16]
제14 항에 있어서,상기 조정된 이온 주입 레서피는 조정된이온주입 도우즈포함하는것을특징으로 하는이온 주입기 조절기.
[청구항 17]
제14 항에 있어서,상기 임계 디멘젼은 상기 게이트 전극 선폭의 임계 디멘젼인것을특징으로 하는이온 주입기 조절기.
[청구항 18]
제14 항에 있어서,상기 이온 주입 레서피를 조정하는 수단은 계측 장치에서 상기 웨이퍼 상에 설정된 복수개의 계측 위치 별로 2 개 이상의 인접 게이트 전극들의 임계 디멘젼들을 측정한 값들을 입력받는 수단; 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단; 상기 최종 임계 디멘젼과 상기 게이트 전극의 타겟 임계 디멘젼의 차이를 구하는 제2 연산 수단; 및 제조 명세 범위내에서 발생 가능한 임계 디멘젼의 최대 변이값을 소정 간격으로 균분한 후, 해당 구간별로 문턱 전압을 보상할 수 있도록 미리 정량화된 이산적인 이온 주입 레서피 세트로부터 상기 조정된 이온 주입 레서피를 선택하는선택수단포함하는것을특징으로 하는이온 주입기 조절기.
[청구항 19]
제14 항에 있어서,상기 이온 주입 레서피를 조정하는 수단은 계측 장치에서 상기 웨이퍼 상에 설정된 복수개의 계측 위치 별로 2 개 이상의 인접 게이트 전극들의 임계 디멘젼을 측정한 값들을 입력받는 수단; 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼 상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단; 및 상기 최종 임계 디멘젼을 변수로 사용하며 상기 게이트 전극의 타겟 임계 디멘젼과 동일한 문턱 전압을 얻을 수 있도록 하는 수학적 모델로 이루어진제2연산수단포함하는것을특징으로 하는이온 주입기 조절기.
[청구항 20]
제14 항에 있어서,상기 게이트 전극은 dram, sram, 플래쉬 메모리, fram, mram, pram 또는 이들의 조합으로 이루어진메모리 셀게이트 전극인것을특징으로 하는이온 주입기 조절기.
[청구항 22]
제 21항에 있어서,상기 이온 주입기 조절기는 타겟 임계 디멘젼과 상기 계측 임계 디멘젼과의 차이로 인해 발생하는 문턱 전압 변동을 보상할 수 있도록상기이온주입레서피조정하는것을특징으로 하는이온 주입 시스템.
[청구항 23]
제21 항에 있어서,상기 조정된 이온 주입 레서피는 조정된이온주입 도우즈포함하는것을특징으로 하는이온 주입 시스템.
[청구항 24]
제21 항에 있어서,상기 임계 디멘젼은 상기 게이트 전극 선폭의 임계 디멘젼인것을특징으로 하는이온 주입 시스템.
[청구항 25]
제21 항에 있어서,상기 이온 주입기 조절기는 상기 웨이퍼 상에 설정된 복수개의 계측 위치 별로 2 개 이상의 인접 게이트 전극들의 임계 디멘젼들을 측정한 값들을 입력받는 수단; 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단; 상기 최종 임계 디멘젼과 상기 게이트 전극의 타겟 임계 디멘젼의 차이를 구하는 제2 연산 수단; 및 제조 명세 범위내에서 발생 가능한 임계 디멘젼의 최대 변이값을 소정 간격으로 균분한 후, 해당 구간별로 문턱 전압을 보상할 수 있도록 미리 정량화된 이산적인 이온 주입 레서피 세트로부터 상기 조정된 이온 주입 레서피를 선택하는선택수단포함하는것을특징으로 하는이온 주입 시스템.
[청구항 26]
제21 항에 있어서,상기 이온 주입기 조절기는 계측 장치에서 상기 웨이퍼 상에 설정된 복수개의 계측 위치 별로 2 개 이상의 인접 게이트 전극들의 임계 디멘젼을 측정한 값들을 입력받는 수단; 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼 상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단; 및 상기 최종 임계 디멘젼을 변수로 사용하며 상기 게이트 전극의 타겟 임계 디멘젼과 동일한 문턱 전압을 얻을 수 있도록 하는 수학적 모델로 이루어진제2연산수단포함하는것을특징으로 하는이온 주입 시스템.
[청구항 27]
제 21항에 있어서,상기 게이트 전극은 dram, sram, 플래쉬 메모리, fram, mram, pram 또는 이들의 조합으로 이루어진메모리 셀게이트 전극인것을특징으로 하는이온 주입 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이온 주입기 조절기에서 웨이퍼 상의 게이트 전극 최종 임계 디멘젼을 구하기 위해 수행되는 제1 연산 수단의 구체적인 연산 절차는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이온 주입기 조절기 내에서 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 산출하는 '제1 연산 수단'의 구체적인 절차를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 18, 19, 25, 26에서 제1 연산 수단의 동작 방식에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단
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3근거 선택
evidence_selection제1 연산 수단의 절차를 명시한 청구항의 핵심 구절을 선택한다.
- 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 1단계: 각 계측 위치별 인접 게이트 전극들의 평균값 산출, 2단계: 각 위치별 평균값들의 재평균을 통한 최종 임계 디멘젼 산출로 논리적 단계를 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 연산 수단은 각 계측 위치별로 측정된 2개 이상의 인접 게이트 전극들의 임계 디멘젼 평균값을 먼저 구하고, 이후 각 위치별로 얻어진 이 평균값들을 다시 평균하여 최종 임계 디멘젼을 구한다.
- 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 절차적 순서에 따라 최종 답변을 작성한다.
- 상기 각 계측 위치 별로 측정된 상기 2개 이상의 계측 임계 디멘젼들의 평균값을 구한 후, 상기 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 평균하여 상기 웨이퍼상에 형성된 상기 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 제1 연산 수단
최종 답변 (final_answer)
제1 연산 수단은 각 계측 위치 별로 측정된 2개 이상의 인접 게이트 전극들의 임계 디멘젼들의 평균값을 먼저 구한 후, 그렇게 각 계측 위치별로 얻어진 임계 디멘젼 값들을 다시 평균하여 웨이퍼 상에 형성된 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 구하는 절차를 수행한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이 발명은 웨이퍼 상의 여러 계측 위치에서 얻은 인접 게이트 전극들의 평균값을 단계적으로 재평균함으로써, 게이트 전극의 최종 임계 디멘젼을 정밀하게 산출하는 기술을 포함한다.