문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 라인 패턴들은 각각이 차례로 적층된 게이트 전극 및 게이트 캐핑막 패턴으로 구비되되, 상기 게이트 전극은 상기 채널부 홀을 채우고 동시에 상기 채널 영역과 다른도전형인것특징인트랜지스터.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 채널부 홀들nan은트랜치형태갖는것특징인트랜지스터.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역 및 상기 반도체 기판은 각각이 서로 다른타입의도전형들갖는것특징인트랜지스터.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 채널 영역 및 상기 반도체 기판은 동일한타입의도전형갖는것특징인트랜지스터.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 라인 패턴들의 측벽에 배치된 라인 스페이서들; 상기 반도체 기판에 위치되어서 상기 라인 패턴들에 중첩하는 전극 불순물 영역들; 상기 라인 패턴들 사이에 위치되어서 상기 반도체 기판의 상부를 향하도록 연장되고 동시에 층간절연막으로 둘러싸인 랜딩 패드들을 더 포함하되, 상기 랜딩 패드들은 각각이 상기 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속하고 , 상기 전극 불순물 영역들은 상기 채널 영역과 다른도전형인것특징인트랜지스터.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 랜딩 패드들은 상기 전극 불순물 영역들과 동일한 도전형을 갖는도전막인것특징인트랜지스터.
[청구항 8]
제 6 항에 있어서,상기 라인 스페이서들은 산화막과 다른 식각률을 갖는절연막인것특징인트렌지스터.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 라인 패턴들 및 반도체 기판 사이에 컨포멀하게 배치된라인절연막패턴들더포함하는것특징인트랜지스터.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 라인 패턴들은 각각이 차례로 적층된 게이트 전극 및 게이트 캐핑막 패턴으로 구비되되, 상기 제 1 라인 패턴들의 상기 게이트 전극은 상기 채널부 홀을 채우고 동시에 상기 채널 영역과 다른도전형인것특징인디램 셀의 트랜지스터.
[청구항 12]
제 10 항에 있어서,상기 채널부 홀들nan은트랜치형태갖는것특징인디램 셀의 트랜지스터.
[청구항 13]
제 10 항에 있어서,상기 채널 영역 및 상기 반도체 기판은 각각이 서로 다른타입의도전형들갖는것특징인디램 셀의 트랜지스터.
[청구항 14]
제 10 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 라인 패턴들의 측벽에 배치된 라인 스페이서들; 상기 반도체 기판에 위치되어서 상기 제 1 및 제 2 라인 패턴들에 중첩하는 전극 불순물 영역들; 상기 제 1 및 제 2 라인 패턴들 사이에 위치되어서 반도체 기판의 상부를 향하도록 연장되고 동시에 층간절연막으로 둘러싸인 랜딩 패드들을 더 포함하되, 상기 랜딩 패드들은 각각이 상기 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속하고 , 상기 전극 불순물 영역들은 상기 채널 영역과 다른도전형인것특징인디램 셀의 트랜지스터.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 랜딩 패드들은 상기 전극 불순물 영역들과 동일한 도전형을 갖는도전막인것특징인디램 셀의 트랜지스터.
[청구항 16]
제 14 항에 있어서,상기 라인 스페이서들은 산화막과 다른 식각률을 갖는절연막인것특징인디램 셀의 트랜지스터.
[청구항 17]
제 10 항에 있어서,상기 제 1 라인 패턴들 및 상기 반도체 기판 사이, 상기 제 2 라인 패턴들 및 상기 반도체 기판 사이에 배치된라인절연막패턴들더포함하는것특징인디램 셀의 트랜지스터.
[청구항 28]
제 18 항에 있어서,상기 라인 패턴들을 형성하기 전에, 상기 채널부 홀들을 따라서 컨포멀하게 배치한 라인 절연막 패턴들을 각각 형성하는 것을더포함하는것특징인트랜지스터.
[청구항 38]
제 29 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 라인 패턴들을 형성하기 전에, 상기 채널부 홀들을 따라서 컨포멀하게 배치한 라인 절연막 패턴들을 각각 형성하는 것을더포함하는것특징인디램 셀의 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
트랜지스터의 구성 요소 중 랜딩 패드와 전극 불순물 영역 사이의 전기적 연결 관계 및 전극 불순물 영역과 채널 영역 간의 도전형 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation랜딩 패드와 전극 불순물 영역 간의 전기적 연결 관계 및 전극 불순물 영역과 채널 영역 간의 도전형 관계를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 랜딩 패드가 전극 불순물 영역과 전기적으로 접속한다는 점과, 전극 불순물 영역이 채널 영역과 다른 도전형이라는 점을 추출한다.
- 상기 랜딩 패드들은 각각이 상기 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속하고 , 상기 전극 불순물 영역들은 상기 채널 영역과 다른도전형인것
-
3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 청구항 6의 구절을 근거로 선택한다.
- 상기 랜딩 패드들은 각각이 상기 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속하고 , 상기 전극 불순물 영역들은 상기 채널 영역과 다른도전형인것
-
4논리 통합
logical_integration랜딩 패드는 전극 불순물 영역과 전기적으로 연결되어 있으며, 전극 불순물 영역은 채널 영역과 서로 다른 도전형을 가짐을 통합한다.
- 상기 랜딩 패드들은 각각이 상기 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속하고 , 상기 전극 불순물 영역들은 상기 채널 영역과 다른도전형인것
-
5결론 도출
conclusion_formulation랜딩 패드와 전극 불순물 영역은 전기적으로 접속된 관계이며, 전극 불순물 영역과 채널 영역은 서로 다른 도전형 관계임을 결론짓는다.
- 상기 랜딩 패드들은 각각이 상기 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속하고 , 상기 전극 불순물 영역들은 상기 채널 영역과 다른도전형인것
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 랜딩 패드들은 각각이 상기 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속하고 , 상기 전극 불순물 영역들은 상기 채널 영역과 다른도전형인것
최종 답변 (final_answer)
랜딩 패드들은 각각 전극 불순물 영역들과 전기적으로 접속되어 있으며, 전극 불순물 영역들은 채널 영역과 다른 도전형 관계에 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
트랜지스터 구성 요소 간의 전기적 연결성(랜딩 패드-전극 불순물 영역)과 반도체 영역 간의 도전형 차이(전극 불순물 영역-채널 영역)를 정의하고 있다.