문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기pnpn 나노 튜브 스위치는 상기 캐패시터 소자의 버텀 전극과 상기 비트라인 사이에 순방향으로 연결된 제 1pnpn 다이오드 스위치; 및 상기 캐패시터 소자의 버텀전극과 상기 비트라인 사이에 역방향으로 연결된 제 2pnpn다이오드 스위치구비함을특징으로 하는나노 튜브 셀.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기제 1pnpn 다이오드 스위치의 제 1 p형 영역은 상기 버텀 전극과 연결되고, 제 1 n형 영역은상기비트라인연결됨을특징으로 하는나노 튜브 셀.
[청구항 4]
제 2항에 있어서,상기제 2pnpn 다이오드 스위치의 제 2 n형 영역은 상기 버텀 전극과 연결되고, 제 2 p형 영역은상기비트라인연결됨을특징으로 하는나노 튜브 셀.
[청구항 5]
제 2항에 있어서,상기pnpn 나노 튜브 스위치는 상기 워드라인의 전압 레벨이 하이이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 로우일 경우 상기 제 1pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 캐패시터 소자에 저장된 하이 데이타를 상기 비트라인에 출력하며, 상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 트리거 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우 상기 제 2pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어 상기 비트라인으로부터 인가되는 데이타를 상기 캐패시터에 소자에 출력하도록동작하는것을특징으로 하는나노 튜브 셀.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기pnpn 나노 튜브 스위치는 상하, 좌우로 나노미터 스케일의 지름을 갖는 상기 두개 이상의 pnpn 다이오드 소자가 튜브의 형태로 연속적으로직렬연결됨을특징으로 하는나노 튜브 셀.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 실리콘층은 성장 실리콘, 폴리 실리콘 중 적어도 어느 하나로 이루어지며, 복수개의 pnpn 다이오드 스위치가 연속하여 직렬 연결된다이오드체인형성함을특징으로 하는나노 튜브 셀.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프에 의해 공유되는 데이타 버스; 상기 데이타 버스로부터 인가되는 데이타를 증폭하는 메인 앰프; 상기 메인 앰프로부터 인가되는 증폭 데이타를 버퍼링하는 데이타 버퍼; 및 상기 데이타 버퍼로부터 인가되는 출력 데이타를 외부로 출력하거나, 외부로부터 인가되는 입력 데이타를 상기 데이타 버퍼에 인가하는 입/출력 포트를 더 구비함을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
[청구항 11]
제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 복수개의 나노 튜브셀 어레이 각각은, 로오 및 컬럼 방향으로 각각 배열된 복수개의 워드라인과 복수개의 비트라인 사이의 교차 영역에 위치하는 복수개의 단위 나노 튜브 셀; 및 상기 복수개의 비트라인에 각각 일대일 대응하여 연결된 복수개의 비트라인 풀다운 소자를 구비함을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
[청구항 12]
제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프는 복수개의 비트라인에 각각 일대일 대응하여 연결되며, 센스앰프 인에이블 신호의 활성화시 기준전압과 상기 비트라인의 전압을 비교 및 증폭함을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
[청구항 13]
제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 복수개의 나노 튜브셀 어레이 각각은, 로오 및 컬럼 방향으로 각각 배열된 복수개의 워드라인과, 비트라인, 비트라인바로 이루어진 복수개의 비트라인쌍 사이의 교차 영역에 위치하는 복수개의 단위 나노 튜브 셀; 및 상기 비트라인, 비트라인바에 각각 일대일 대응하여 연결된 복수개의 비트라인 풀다운 소자를 구비함을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
[청구항 14]
제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 복수개의 센스앰프 각각은 한쌍의 비트라인과 대응하여 연결되며, 센스앰프 인에이블 신호의 활성화시 상기 한쌍의 비트라인으로부터 인가되는 전압을 증폭함을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
[청구항 15]
제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기pnpn 나노 튜브 스위치는 상기 캐패시터 소자의 버텀 전극과 상기 비트라인 사이에 순방향으로 연결된 제 1pnpn 다이오드 스위치; 및 상기 캐패시터 소자의 버텀전극과 상기 비트라인 사이에 역방향으로 연결된 제 2pnpn 다이오드 스위치를 구비함을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
[청구항 16]
제 15항에 있어서,상기제 1pnpn 다이오드 스위치의 제 1 p형 영역은 상기 버텀 전극과 연결되고, 제 1 n형 영역은 상기 비트라인과 연결됨을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
[청구항 17]
제 15항에 있어서,상기제 2pnpn 다이오드 스위치의 제 2 n형 영역은 상기 버텀 전극과 연결되고, 제 2 p형 영역은 상기 비트라인과 연결됨을 특징으로 하는 나노 튜브 셀이용한메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
나노 튜브 셀에서 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 트리거 전압이고 비트라인의 전압 레벨이 하이일 때, 어떤 스위치가 턴온되어 동작하게 되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation워드라인이 네가티브 트리거 전압이고 비트라인이 하이일 때 동작하는 스위치를 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 워드라인과 비트라인의 전압 조건에 따른 스위치 동작 정보를 추출한다.
- 상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 트리거 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우
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3근거 선택
evidence_selection질문 조건과 일치하는 구절인 '상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 트리거 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우 상기 제 2pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어'를 선택한다.
- 상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 트리거 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우 상기 제 2pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어
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4논리 통합
logical_integration추출된 조건(워드라인: 네가티브 트리거 전압, 비트라인: 하이)에 대응하는 결과가 제 2pnpn 다이오드 스위치의 턴온임을 확인한다.
- 상기 워드라인의 전압 레벨이 네가티브 트리거 전압이고 상기 비트라인의 전압 레벨이 하이일 경우 상기 제 2pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 제 2pnpn 다이오드 스위치가 턴온된다고 결론을 내린다.
- 상기 제 2pnpn 다이오드 스위치가 턴온되어
-
6답변 생성
answer_generation추출된 답변 형식을 사용하여 최종 답변을 작성한다.
- 제 2pnpn 다이오드 스위치
최종 답변 (final_answer)
제 2pnpn 다이오드 스위치
핵심 해석 (core_interpretation)
나노 튜브 셀에서 워드라인과 비트라인의 전압 조합에 따라 제 1pnpn 다이오드 또는 제 2pnpn 다이오드 스위치를 선택적으로 턴온하여 데이터의 입출력을 제어하는 기술이다.