문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 전극들은 도트 매트릭스(dot-matrix)형상배열되는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,단위의 제1 전극들에 각기 대응하는제2전극들구비하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,인접하는 상기 제2 전극들에 공통으로 접속하는보조금속층패턴더포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 5]
제2항에 있어서,인접하는 상기 제1 전극들의 상부에 각기 라인 형상으로 형성되는제2전극들구비하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 제2 전극들에 공통으로 접속하는보조금속층패턴더포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 7]
제2항에 있어서,상기 상변화 물질층은 상기 제1 전극들 중 라인상으로 배열된 그룹들의 제1 전극들과 공적으로 접속하고, 상기 제2 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한형상형성되는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,인접하는 상기 제2 전극들에 공통으로 접속하는보조금속층패턴더포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 9]
제2항에 있어서,상기 상변화 물질층은 상기 제1 전극들 중 라인상으로 배열된 그룹들의 제1 전극들에 공통으로 접속하고, 상기 제2 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 제1 전극들 중의 하나의 블록 단위에 대응하는패턴형상가지는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 반도체 기판과 상변화 물질층 사이에 형성되고, 상기 제2 불순물 영역에 전기적으로 연결되는배선라인더포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 제1 전극들은 도트 매트릭스 어레이 배열로 셀 단위마다 각기 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 배선 라인의 방향을 따라라인형상가지는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 배선 라인nan은구리알루미늄으로이루어지는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 제2 전극은 접지 라인에 연결되고, 상기 제1 전극들에는전원공급라인연결되는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 상부 전극 상에 형성되며, 상기 상부 전극을 부분적으로 노출하는 제2 비아 홀을 구비하는 제2 층간 절연막;상기 제2 비아 홀을 매립하는 상부 비아 콘택; 및상기 제2 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 상부 비아 콘택에 접속하는상부배선라인더구비하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 트랜지스터들 중어느 하나는 인접하는 트랜지스터와 공통하는제1불순물영역구비하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 17]
제14항에 있어서,상기 하부 콘택들은 도트 매트릭스 형상으로 배열되고, 상기 셀 단위의 하부 콘택들에 각기 대응하는상부 전극들구비하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 상부 전극들에 공통으로 접속하는보조금속층패턴더포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 19]
제14항에 있어서,상기 하부 콘택들은 도트 매트릭스 어레이 배열로 형성되고, 상기 상부 전극은 상기 배선 라인의 배열 방향을 따라라인형상가지는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 20]
제19항에 있어서,인접하는 상기 상부 전극들에 공통으로 접속하는보조금속층패턴더포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 21]
제14항에 있어서,상기 하부 콘택들은 도트 매트릭스 형상으로 배열되고, 상기 상변화 물질층은 상기 하부 콘택들 중 상기 배선 라인을 따라 배열된 그룹들의 하부 콘택들에 공통으로 접속하며, 상기 상부 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한형상형성되는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 22]
제21항에 있어서,인접하는 상기 제2 전극들에 공통으로 접속하는보조금속층패턴더포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
[청구항 23]
제14항에 있어서,상기 배선 라인nan은구리알루미늄으로이루어지는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
도트 매트릭스 형상으로 배열된 하부 콘택을 구비하는 상변화 메모리 장치에서, 상기 하부 콘택들 중 배선 라인을 따라 배열된 그룹들의 하부 콘택들에 공통으로 접속하는 상변화 물질층과, 상기 상변화 물질층 상에 형성되는 상부 전극의 형상 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation도트 매트릭스 형상의 하부 콘택을 갖는 상변화 메모리 장치에서, 특정 그룹의 하부 콘택에 접속하는 상변화 물질층과 그 상부에 형성되는 상부 전극 간의 형상 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 21에서 하부 콘택의 배열, 상변화 물질층의 접속 대상, 그리고 상부 전극의 형상에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 하부 콘택들은 도트 매트릭스 형상으로 배열되고, 상기 상변화 물질층은 상기 하부 콘택들 중 상기 배선 라인을 따라 배열된 그룹들의 하부 콘택들에 공통으로 접속하며, 상기 상부 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한형상형성되는것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 상변화 물질층과 상부 전극의 형상 관계를 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 상부 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한형상형성되는것
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4논리 통합
logical_integration상변화 물질층이 특정 하부 콘택 그룹에 접속한다는 조건과, 상부 전극이 상변화 물질층과 동일한 형상으로 형성된다는 관계를 결합한다.
- 상기 상부 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한형상형성되는것
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5결론 도출
conclusion_formulation상부 전극은 상변화 물질층 상에 상변화 물질층과 동일한 형상으로 형성된다는 결론을 도출한다.
- 상기 상부 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한형상형성되는것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 직접적인 답변을 작성한다.
- 상기 상부 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한형상형성되는것
최종 답변 (final_answer)
상기 상부 전극은 상기 상변화 물질층 상에 상기 상변화 물질층과 동일한 형상으로 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
상변화 메모리 장치에서 상변화 물질층의 형상과 그 상부에 형성되는 상부 전극의 형상을 동일하게 설계하여 구조적 일치성을 확보하는 기술적 특징을 나타낸다.