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수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법 document_id 1020040023558

출원번호
1020040023558
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 질화물계 반도체층 중 상기 사파이어 기초기판 접촉면의 반대면 일부에는 제2 산화막층이 형성되고, 상기 오믹전극층은상기질화물계반도체층및상기제2산화막층상형성되는것을특징으로 하는수직형 발광 다이오드. [청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 제2 산화막층은 상기 사파이어 기초기판 상에 형성되는 제 1 비아홀과 동일한수직선상형성되는것을특징으로 하는수직형 발광 다이오드. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기제2 비아홀은 상기 제2 산화막층 및 상기 제1 비아홀과 동일한수직선상형성되는것을특징으로 하는수직형 발광 다이오드. [청구항 19] 제 15항에 있어서,상기 사파이어 기초기판과 질화물계 반도체층 사이에는 버퍼층이 형성되고, 상기 제1 비아홀은 상기 사파이어 기초기판 및 버퍼층에 걸쳐서형성되는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 20] 제 15항에 있어서,상기 사파이어 기초기판과 제 1 비아홀에 걸쳐서 투명전극층이 형성되고, 상기 제 1전극은상기투명전극층상형성되는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 21] 제 20항에 있어서,투명전극은 ito, znb, zno, ino, sno중의적어도하나형성된것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 22] 제 15항 내지 20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화물계 반도체층은 inx(alyga1-y)n 질화물계 반도체로 이루어져 있고, x와 y는 1≥x≥0, 1≥y≥0, x+y>0값가지는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기 오믹 전극은 pd, rh, ta, ni, cr, au, ti중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 24] 제 22항에 있어서,상기제1 및 제2 유테틱 금속은 ti, al, rd, pt, ta, ni, cr, au, ag중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 25] 제 22항에 있어서,상기 리셉터 기판은 si, gaas, inp, inas 등의 도전형 반도체 기판, ito, zrb, zno 등의 전도성 도전막, cuw, mo, au, al, cu등의금속중의적어도하나포함한것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 26] 제 22항에 있어서,상기 리셉터 기판은 p형실리콘기판사용하는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 27] 제 26항에 있어서,상기 제 2 유테틱 금속은 ti, au, ni, pt중적어도하나인것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 28] 제 22항에 있어서,제 1 전극은 al, pt, ta, ni, cr, au, ti중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드. [청구항 29] 제 19항에 있어서,상기 사파이어 기초기판에는 식각을 통하여 상기 기초기판을 개별 칩별로 분리하기 위한 벽개라인이추가적형성되는것을특징으로 하는수직형 발광다이오드.
지시문 (instruction)
본문에서 필요한 정보를 찾아 질문에 답변하라.
질문 (question)
수직형 발광 다이오드에서 제2 산화막층의 위치와 오믹전극층이 형성되는 구조적 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    수직형 발광 다이오드 내에서 제2 산화막층의 위치와 오믹전극층이 형성되는 구조적 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 16을 통해 제2 산화막층의 위치와 오믹전극층의 형성 관계에 대한 정보를 추출한다.

    • 상기 질화물계 반도체층 중 상기 사파이어 기초기판 접촉면의 반대면 일부에는 제2 산화막층이 형성되고, 상기 오믹전극층은상기질화물계반도체층및상기제2산화막층상형성되는것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제2 산화막층이 질화물계 반도체층의 사파이어 기초기판 접촉면 반대면 일부에 위치하며, 오믹전극층이 그 위에 형성된다는 구절을 선택한다.

    • 상기 질화물계 반도체층 중 상기 사파이어 기초기판 접촉면의 반대면 일부에는 제2 산화막층이 형성되고, 상기 오믹전극층은상기질화물계반도체층및상기제2산화막층상형성되는것
  4. 4논리 통합logical_integration

    제2 산화막층은 질화물계 반도체층의 특정 부위(사파이어 기초기판 접촉면의 반대면 일부)에 위치하며, 오믹전극층은 질화물계 반도체층과 제2 산화막층 모두의 상부에 형성되는 적층 구조임을 도출한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    제2 산화막층은 질화물계 반도체층의 사파이어 기초기판 접촉면 반대면 일부에 형성되며, 오믹전극층은 질화물계 반도체층 및 제2 산화막층 상에 형성된다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 추출된 구조적 관계를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제2 산화막층은 질화물계 반도체층 중 사파이어 기초기판 접촉면의 반대면 일부에 형성되며, 오믹전극층은 질화물계 반도체층 및 제2 산화막층 상에 형성되는 구조적 관계를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 질화물계 반도체층의 특정 위치에 제2 산화막층을 배치하고, 그 상부에 오믹전극층을 형성하는 수직형 발광 다이오드의 적층 구조를 정의하고 있다.