문맥 (context)
[청구항 1]
절연 기판;
상기 기판상에 형성되고, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극 및 층간절연막을 포함하여 형성된 박막트랜지스터; 및
상기 게이트 절연막 및 층간절연막을 관통하고, 상기 반도체층의 표면을 노출시키고, 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 콘택홀
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 60도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 45도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 60 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 75 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 9]
절연 기판;
상기 절연 기판상에 형성된 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터
상기 박막트랜지스터상에 형성된 패시베이션층 및 평탄화층; 및
상기 패시베이션층 및 평탄화층을 관통하고, 상기 소오스/드레인 전극을 노출시키고, 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 비아홀
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 60도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 11]
제 9항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 45도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 12]
제 9항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 60 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 13]
제 9항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 75 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 17]
절연 기판;
상기 절연 기판상에 형성된 금속 배선 및 층간절연막; 및
상기 층간절연막을 관통하고, 상기 금속 배선을 노출시키고, 층간절연막의 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 비아홀
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 18]
제 17항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 60도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 19]
제 17항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 45도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 20]
제 17항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 60 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 21]
제 17항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 75 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 25]
절연 기판;
상기 기판상에 형성된 반도체층, 게이트 절연막 및 게이트 전극
상기 기판상에 형성된 평탄화층; 및
상기 평탄화층을 관통하고, 상기 반도체층을 노출시키고, 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 비아 콘택홀
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 26]
제 25항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 60도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 27]
제 25항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 45도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 28]
제 25항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 60 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 29]
제 25항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 75 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 33]
절연 기판;
상기 기판상에 형성된 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극 및 층간절연막; 및
상기 게이트 절연막 및 층간절연막을 관통하고, 상기 반도체층의 표면을 노출시키고, 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 콘택홀이 형성된 박막트랜지스터 영역; 과
상기 박막트랜지스터 영역과 소정의 간격으로 이격되고, 상기 절연 기판상에 형성된 금속 배선 및 절연막; 및
상기 절연막을 관통하고, 상기 절연막의 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 비아홀을 갖는 금속 배선 영역
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 34]
제 33항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 60도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 35]
제 33항에 있어서,상기 습식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 5 내지 45도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 36]
제 33항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 60 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 37]
제 33항에 있어서,상기 건식 식각 프로파일의 테이퍼 각도는 75 내지 90도임특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 33항에 따른 반도체 소자에서 박막트랜지스터 영역의 콘택홀과 금속 배선 영역의 비아홀이 공통적으로 갖는 식각 프로파일의 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 33항에 기재된 박막트랜지스터 영역의 콘택홀과 금속 배선 영역의 비아홀이 공통적으로 가지는 식각 프로파일의 특징을 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 33항에서 박막트랜지스터 영역의 콘택홀은 상부가 습식 식각 프로파일이고 하부가 건식 식각 프로파일임을 확인한다.
- 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 콘택홀
-
3근거 선택
evidence_selection청구항 33항에서 금속 배선 영역의 비아홀은 상부가 습식 식각 프로파일이고 하부가 건식 식각 프로파일임을 확인한다.
- 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는 비아홀
-
4논리 통합
logical_integration두 영역의 콘택홀과 비아홀 모두 상부는 습식 식각 프로파일, 하부는 건식 식각 프로파일이라는 동일한 구조적 특징을 공유함을 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation두 홀의 공통점은 상부에는 습식 식각 프로파일이 형성되고, 하부에는 건식 식각 프로파일이 형성된다는 점이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 두 홀의 공통적인 식각 프로파일 특징을 정리하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
박막트랜지스터 영역의 콘택홀과 금속 배선 영역의 비아홀은 모두 상부는 습식 식각 프로파일을 갖고, 하부는 건식 식각 프로파일을 갖는다는 공통적인 특징을 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 소자의 서로 다른 영역(박막트랜지스터 및 금속 배선)에 형성되는 홀(콘택홀 및 비아홀)들이 상부의 습식 식각 프로파일과 하부의 건식 식각 프로파일을 결합한 동일한 식각 구조를 공유함을 나타낸다.