문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 층간 절연막 내벽을 덮고 상기 하부 금속 전극 및 하부 금속 배선을 감싸는확산방지막패턴더포함하는것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 확산 방지막은 ti, ta, w, tin, tan, wn, tisin, tasin, wsin 의 일군에서 선택된하나인것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 캐패시터 트렌치 영역 내벽을 덮고 상기 유전막을 감싸는금속박막더포함하는것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,텅스텐막, 코발트 텅스텐 인화막, 코발트 텅스텐 보론막 중 선택된 어느 하나인 것을특징으로하는특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 코발트 텅스텐 인화막 및 코발트 텅스텐 보론막은 무전해 도금 방식에 의해이루어진것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 상부 금속 배선 및 상부 금속 전극은 화학 기상 증착 방식, 전기적 도금 방식 또는 무전해 도금 방식에 의해이루어진것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 유전막, 상기 비아홀 및 상기 상부 금속 배선 그루브를 내벽을 덮고, 상기 상부 금속 배선 및 상기 상부 금속 전극을 감싸는확산방지막패턴더포함하는것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 9]
제 8항에 있어서,상기 확산 방지막 패턴은 ti, ta, w, tin, tan, wn, tisin, tasin, wsin 의 일군에서 선택된하나인것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기 층간 절연막 내벽을 덮고 상기 하부 전극 및 상기 하부 금속 배선을 감싸는확산방지막패턴더포함하는것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 12]
제 11항에 있어서,상기 확산 방지막 패턴은 ti, ta, w, tin, tan, wn, tisin, tasin, wsin 의 일군에서 선택된하나인것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 13]
제 10항에 있어서,상기 상부 금속 배선 및 상부 금속 전극은 화학 기상 증착 방식, 전기적 도금 방식 또는 무전해 도금 방식에 의해이루어진것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 14]
제 10항에 있어서,상기 금속 박막은 ti, ta, w, tin, tan, wn, tisin, tasin, wsin 의 일군에서 선택된하나인것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 15]
제 10항에 있어서,상기 유전막, 상기 비아홀 및 상기 상부 금속 배선 그루브를 내벽을 덮고, 상기 상부 금속 배선 및 상기 상부 금속 전극을 감싸는확산방지막패턴더포함하는것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
[청구항 16]
제 15항에 있어서,상기 확산 방지막 패턴은 ti, ta, w, tin, tan, wn, tisin, tasin, wsin 의 일군에서 선택된하나인것을특징으로 하는엠아이엠 캐패시터.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 작동 또는 처리 절차를 순서대로 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
엠아이엠 캐패시터에서 상부 금속 배선 및 상부 금속 전극을 형성하기 위해 사용될 수 있는 방식들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation엠아이엠 캐패시터의 상부 금속 배선 및 상부 금속 전극을 형성하는 구체적인 방식(공정)을 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7 및 청구항 13에서 상부 금속 배선 및 상부 금속 전극의 형성 방식에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 상부 금속 배선 및 상부 금속 전극은 화학 기상 증착 방식, 전기적 도금 방식 또는 무전해 도금 방식에 의해 이루어진 것을 특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 상부 금속 배선 및 전극의 형성 방식과 직접적으로 일치하는 구절을 선택한다.
- 화학 기상 증착 방식, 전기적 도금 방식 또는 무전해 도금 방식
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4논리 통합
logical_integration추출된 세 가지 방식(화학 기상 증착, 전기적 도금, 무전해 도금)이 질문에 대한 직접적인 답변이 됨을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation상부 금속 배선 및 전극을 형성하기 위해 사용될 수 있는 방식들을 리스트 형태로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation확정된 answer_type인 list 형식에 맞춰 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 화학 기상 증착 방식, 2. 전기적 도금 방식, 3. 무전해 도금 방식
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 엠아이엠 캐패시터 제조 시 상부 금속 배선 및 전극을 형성하기 위해 화학 기상 증착, 전기적 도금 또는 무전해 도금 방식을 사용할 수 있음을 명시하고 있다.