문맥 (context)
[청구항 1]
하부패턴이 구비된 반도체 기판
상기 하부패턴을 덮도록 반도체 기판 상에 형성된 층간절연막
상기 층간절연막 내에 형성된 콘택플러그
상기 콘택플러그 및 이에 인접한 층간절연막 상에 형성된 하부전극
상기 하부전극을 포함한 층간절연막 상에 형성되며 하부전극을 노출시키는 콘택홀을 구비한 산화막
상기 콘택홀 외측의 산화막 부분 상에 형성된 상부전극
상기 상부전극의 측벽에 스페이서 형태로 형성된 상변환막; 및
상기 노출된 하부전극과 콘택되도록 상변환막 및 하부전극 상에 형성된 도전성 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 상변환막은 평면상으로도넛형상인것을특징으로 하는상변환 기억 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 하부전극 및 상부전극nan은폴리실리콘막금속막으로이루어진것을특징으로 하는상변환 기억 소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
상변환 기억 소자에서 상부전극의 측벽에 스페이서 형태로 형성되어 있으며, 도전성 플러그와 노출된 하부전극 사이에서 콘택을 형성하는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation상부전극 측벽에 스페이서 형태로 존재하며, 도전성 플러그와 노출된 하부전극 사이에서 콘택을 형성하는 구성 요소를 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 상부전극의 측벽에 스페이서 형태로 형성된 구성 요소와 도전성 플러그의 연결 관계를 추출한다.
- 상기 상부전극의 측벽에 스페이서 형태로 형성된 상변환막; 및 상기 노출된 하부전극과 콘택되도록 상변환막 및 하부전극 상에 형성된 도전성 플러그
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '스페이서 형태' 및 '도전성 플러그와의 콘택' 조건에 부합하는 '상변환막' 구절을 선택한다.
- 상기 상부전극의 측벽에 스페이서 형태로 형성된 상변환막
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4논리 통합
logical_integration상변환막이 상부전극 측벽에 스페이서로 형성되어 있고, 도전성 플러그가 상변환막 및 하부전극 상에 형성되어 콘택을 이루고 있음을 확인한다.
- 상기 노출된 하부전극과 콘택되도록 상변환막 및 하부전극 상에 형성된 도전성 플러그
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 설명하는 모든 조건을 만족하는 구성 요소는 '상변환막'임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정답인 '상변환막'을 최종 답변으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상변환막
핵심 해석 (core_interpretation)
상변환 기억 소자에서 상부전극 측벽에 스페이서 형태로 배치된 상변환막이 도전성 플러그와 하부전극 사이의 전기적 연결을 매개하는 구조를 나타낸다.