공정 변화에 독립적이고 균일한 저항값을 가지는저항소자, 이를 포함하는 반도체 집적 회로 장치 및이들의 제조방법 document_id 1020040053068

[청구항 3] 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 저항체와 상기 상보 저항체의 비저항은 실질적동일한저항 소자. [청구항 4] 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 저항체와 상기 상보 저항체의 높이는 실질적동일한저항 소자. [청구항 5] 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 저항체와 상기 상보 저항체의 길이는 실질적동일한저항 소자. [청구항 6] 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 저항체의 상부에 상기 저항체와 동일 형상의 절연마스크더 포함하는저항 소자. [청구항 7] 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 저항체와 상기 상보 저항체는 한 쌍의 병렬 연결 노드 배선을 통해병렬연결되는것을특징으로 하는저항 소자. [청구항 8] 제7 항에 있어서,상기 병렬 연결 노드 배선은 상기 저항체와 상기 상보 저항체의 길이 방향 양 말단부 상에 형성된병렬연결콘택연결된것을특징으로 하는저항 소자. [청구항 9] 제2 항에 있어서,저항체들과 상기 각 상보 저항체들을 각각 가두는 테두리 형태의 절연 스페이서더 포함하는저항 소자. [청구항 10] 제9 항에 있어서,상기 절연 스페이서의 외주면에 상기 절연스페이서를 가두는 테두리 형태의 도전성 스페이서더 포함하는저항 소자. [청구항 11] 제9 항에 있어서,저항체들 중 최외곽 저항체들의 길이 방향 양 말단에 형성된 제1 절연 스페이서의 제1 두께가 내부 저항체들의 측벽과 상기 각 상보 저항체들의 양 말단형성된제2 절연 스페이서의 제2 두께보다 큰 저항 소자. [청구항 13] 제2 항에 있어서,상기 저항체들중 최외각 저항체들어느 하나는 저항 소자를 구성하지 않는 더미저항인저항 소자. [청구항 14] 제2 항에 있어서,상기 저항체들 중 최외각의 2개의 저항체들과 상기 최외곽 저항체들과 인접하는 적어도 하나의 상기 상보 저항체는 더미저항인저항 소자. [청구항 16] 제15 항에 있어서,상기 셀 어레이 영역에 셀 커패시터를 더 포함하고, 상기 저항체들 및/또는 상기 상보 저항체들은 상기 셀 커패시터의 플레이트 전극과 동일 층간절연막 상존재하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 17] 제15 항에 있어서,저항체들과 상기 각 상보 저항체들의 길이는 실질적동일한반도체 집적 회로 장치. [청구항 18] 제15 항에 있어서,저항체들의 상부에 상기 각 저항체들과 동일 형상의 절연마스크더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 19] 제15 항에 있어서,상기 저항체와 상기 상보 저항체는 한 쌍의 병렬 연결 노드 배선을 통해병렬연결되는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 20] 제19 항에 있어서,상기 병렬 연결 노드 배선은 상기 저항체와 상기 상보 저항체의 길이 방향 양 말단부와 접속하고 상기 저항체와 상기 상보 저항체를 덮는 층간 절연막 내에 형성된병렬연결콘택연결된것을특징으로 하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 21] 제15 항에 있어서,저항체들과 상기 각 상보 저항체들을 각각 가두는 테두리 형태의 절연 스페이서더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 22] 제21 항에 있어서,상기 테두리 형태의 절연 스페이서의 외주면에 상기 절연스페이서를 가두는 테두리 형태의 도전성 스페이서더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 23] 제21 항에 있어서,저항체들 중 최외곽 저항체들의 길이 방향 양 말단에 형성된 제1 절연 스페이서의 제1 두께가 내부 저항체들의 측벽과 상기 각 상보 저항체들의 양 말단형성된제2 절연 스페이서의 제2 두께보다 큰 반도체 집적 회로 장치. [청구항 25] 제15 항에 있어서,상기 저항체들중 최외각 저항체들어느 하나는 저항 소자를 구성하지 않는 더미저항인반도체 집적 회로 장치. [청구항 26] 제15 항에 있어서,상기 저항체들 중 최외각의 2개의 저항체들과 상기 최외곽 저항체들과 인접하는 적어도 하나의 상기 상보 저항체는 더미저항인반도체 집적 회로 장치. [청구항 28] 제27 항에 있어서,상기 저항 소자를 형성하는 단계는, (a) 상기 기판 상의 절연층 상에 일정 피치로 n(n≥2)개의 상기 바 패턴형 저항체들을 형성하는 단계; (b)상기 바 패턴형 저항체들 사이의 스페이스마다 상기 저항체들과 평행하게 절연되고 개별적으로 분리된 n-1개의 상기 상보 저항체들을 형성하는 단계; 및 (c)상기 각 저항체들과 상기 각 상보 저항체들 쌍을 병렬 연결하는 배선을 형성하여 상기 n-1개 이하의 저항 소자들을 형성하는 단계포함하는저항 소자의 제조 방법 [청구항 39] 제27 항에 있어서,상기 저항 소자를 형성하는 단계는, (a)기판 상에 절연층, 식각 정지층 및 몰드층을 차례대로 형성하는 단계; (b)상기 몰드층을 식각하여 일정 피치의 바 패턴 저항체를 정의하는 바 패턴 몰드와 상기 바 패턴 몰드를 일정 간격 이격되어 둘러싸는 테두리 패턴형 몰드를 형성하는 단계; (c)상기 일정 간격을 매립하는 스페이서와 상보 저항체가 형성될 스페이스를 정의하는 측벽 스페이서를 형성하는 단계; (d)상기 몰드를 선택적으로 제거하여 상기 측벽 스페이서를 남기는 단계; (e)상기 결과물 전면에 도전막을 형성하는 단계; (f) 상기 도전막을 에치백하여 n(n≥2)개의 바 패턴형 저항체들과 상기 저항체들과 평행하게 상기 스페이서에 의해 절연되고 개별적으로 분리된 n-1개의 상보 저항체들을 형성하는 단계; 및 (g)상기 각 저항체들과 인접하는 상기 각 상보 저항체들 쌍을 병렬 연결하는 배선을 형성하여 n-1개 이하의 저항 소자들을 형성하는 단계포함하는저항 소자의 제조 방법