표면 텍스처 형성 방법 document_id 1020040055434

[청구항 36] 제 35 항에 있어서,상기 처리 챔버 구성요소는 챔버 차폐부, 타깃, 새도우링(shadow ring), 증착 콜리메이터, 증착링, 접촉링, 코일, 코일 지지체, 정렬링, 셔터 디스크 및 기판 지지체의 그룹선택되는처리 챔버 구성요소. [청구항 37] 제 35 항에 있어서,상기 표면은 비드 플라스팅 처리더 포함하는처리 챔버 구성요소. [청구항 38] 제 35 항에 있어서,상기 처리 챔버 구성요소는 스틸, 스테인레스 스틸, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브덴-텅스텐 합금, 크롬 동 합금, 동 아연 합금, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 동, 알루미늄, 탄화실리콘, 사파이어, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화실리콘, 석영, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르에테르케톤및이들의조합의그룹선택된재료로 이루어진처리 챔버 구성요소. [청구항 39] 제 35 항에 있어서,상기 표면 상의 형상의 밀도는 평방 센티미터당 약 1과 약 300형상사이에 있는처리 챔버 구성요소. [청구항 40] 제 35 항에 있어서,상기 표면은 상기 복수의 형상이 형성된 후, 화학적으로 조면화되는처리 챔버 구성요소. [청구항 41] 제 37 항에 있어서,상기 표면은 상기 처리 챔버 구성요소를 비드 블라스팅한 후, 화학적세정되는처리 챔버 구성요소. [청구항 42] 제 40 항에 있어서,상기 표면은 상기 처리 챔버 구성요소를 화학적으로 조면화한 후, 화학적세정되는처리 챔버 구성요소. [청구항 43] 제 35 항에 있어서,상기 표면은 복수의 형상을 형성한 후 화학적세정되는처리 챔버 구성요소. [청구항 44] 제 35 항에 있어서,상기 구성요소는 상기 처리 챔버 구성요소의 표면을 가로질러 전자기빔을 스캔하기 전에, 스트레스완화되는처리 챔버 구성요소. [청구항 45] 제 35 항에 있어서,상기 구성요소는 상기 전자기빔을 스캔하는 단계 전에 예열 온도이르는처리 챔버 구성요소. [청구항 46] 제 45 항에 있어서,상기 예열 온도는 상기 처리 챔버 구성요소가 용해와 유동을 개시하거나 또는 실질적인 분해하는온도보다 낮은 처리 챔버 구성요소. [청구항 47] 제 45 항에 있어서,상기 구성요소는 예열 온도까지 가열하기 전에, 스트레스완화되는처리 챔버 구성요소. [청구항 48] 제 35 항에 있어서,상기 구성요소는 상기 복수의 형상을 형성한 후에, 스트레스완화되는처리 챔버 구성요소. [청구항 49] 제 35 항에 있어서,상기 구성요소는 텍스처를 표면에 제공하기 전, 그리고 상기 표면에 복수의 형상을 형성한 후에, 스트레스완화되는처리 챔버 구성요소. [청구항 50] 제 45 항에 있어서,상기 구성요소는 복수의 형상을 형성한 후에, 스트레스완화되는처리 챔버 구성요소. [청구항 51] 제 45 항에 있어서,상기 처리 챔버 구성요소는 방사열 램프, 유도성 히터 또는 ir형저항성히터사용하여가열되는처리 챔버 구성요소. [청구항 52] 제 35 항에 있어서,상기 구성요소는 상기 제 1 및 제 2 표면상에 형성된 형상을 갖고, 상기 제 2 표면상의 형상은 상기 제 1 표면상에 형상 형성으로 유도된스트레스에대해서보상하는처리 챔버 구성요소. [청구항 56] 제 40 항에 있어서,상기 표면은 전기화학적으로 조면화되는처리 챔버 구성요소.