전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치 document_id 1020040065962

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 호스트 재료는, 방향족 아민 골격을 갖는유기화합물인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이, 560nm∼700nm인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 이온화전위보다 0.3ev이상 큰 것특징으로 하는전계발광소자. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 5.1ev이하인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 전자수송성 재료의 이온화전위가, 5.6ev이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자수송층의 사이에, 정공을 트랩할 수 있고, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 에너지갭보다 작은 에너지갭을 갖는 정공 트랩재료로 형성된정공 트랩영역설치된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 상기 호스트 재료 및 상기 전자수송성 재료보다도 작은이온화전위갖는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 정공 트랩영역이, 5nm이하층상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 10] 제 7 항에 있어서,상기 정공 트랩 영역이,섬모양형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 11] 제 7 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 탄소수가 18 이상의 방향족 탄화수소화합물,또는탄소동소체인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이 600nm∼700nm이고,상기호스트재료의분자의쌍극자 모멘트이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 호스트 재료는, 방향족 아민 골격을 갖는유기화합물인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 17] 제 15 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이, 560nm∼700nm인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 18] 제 15 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 이온화전위보다 0.3ev이상 큰 것특징으로 하는전계발광소자. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 5.1ev이하인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 전자수송성 재료의 이온화전위가, 5.6ev이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 21] 제 15 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자수송층의 사이에, 정공을 트랩할 수 있고, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 에너지갭보다 작은 에너지갭을 갖는 정공 트랩재료로 형성된정공 트랩영역설치된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 상기 호스트 재료 및 상기 전자수송성 재료보다도 작은이온화전위갖는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 정공 트랩영역이, 5nm이하층상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,상기 정공 트랩 영역이,섬모양형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 25] 제 21 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 탄소수가 18 이상의 방향족 탄화수소화합물,또는탄소동소체인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 26] 제 15 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이 600nm∼700nm이고,상기호스트재료의분자의쌍극자 모멘트이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 호스트 재료는, 방향족 아민 골격을 갖는유기화합물인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 31] 제 29 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이, 560nm∼700nm인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 32] 제 29 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 이온화전위보다 0.3ev이상 큰 것특징으로 하는전계발광소자. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 5.1ev이하인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 34] 제 32 항에 있어서,상기 전자수송성 재료의 이온화전위가, 5.6ev이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 35] 제 29 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자수송층의 사이에, 정공을 트랩할 수 있고, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 에너지갭보다 작은 에너지갭을 갖는 정공 트랩재료로 형성된정공 트랩영역설치된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 36] 제 35 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 상기 호스트 재료 및 상기 전자수송성 재료보다도 작은이온화전위갖는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 37] 제 35 항에 있어서,상기 정공 트랩영역이, 5nm이하층상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 38] 제 35 항에 있어서,상기 정공 트랩 영역이,섬모양형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 39] 제 35 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 탄소수가 18 이상의 방향족 탄화수소화합물,또는탄소동소체인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 40] 제 29 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이 600nm∼700nm이고,상기호스트재료의분자의쌍극자 모멘트이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 44] 제 43 항에 있어서,상기 호스트 재료는, 방향족 아민 골격을 갖는유기화합물인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 45] 제 43 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이, 560nm∼700nm인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 46] 제 43 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 이온화전위보다 0.3ev이상 큰 것특징으로 하는전계발광소자. [청구항 47] 제 46 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 5.1ev이하인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 48] 제 46 항에 있어서,상기 전자수송성 재료의 이온화전위가, 5.6ev이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 49] 제 43 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자수송층의 사이에, 정공을 트랩할 수 있고, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 에너지갭보다 작은 에너지갭을 갖는 정공 트랩재료로 형성된정공 트랩영역설치된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 50] 제 49 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 상기 호스트 재료 및 상기 전자수송성 재료보다도 작은이온화전위갖는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 51] 제 49 항에 있어서,상기 정공 트랩영역이, 5nm이하층상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 52] 제 49 항에 있어서,상기 정공 트랩 영역이,섬모양형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 53] 제 49 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 탄소수가 18 이상의 방향족 탄화수소화합물,또는탄소동소체인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 54] 제 43 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이 600nm∼700nm이고,상기호스트재료의분자의쌍극자 모멘트이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 58] 제 57 항에 있어서,상기 호스트 재료는, 방향족 아민 골격을 갖는유기화합물인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 59] 제 57 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이, 560nm∼700nm인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 60] 제 57 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 이온화전위보다 0.3ev이상 큰 것특징으로 하는전계발광소자. [청구항 61] 제 60 항에 있어서,상기 호스트 재료의 이온화전위가, 5.1ev이하인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 62] 제 60 항에 있어서,상기 전자수송성 재료의 이온화전위가, 5.6ev이상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 63] 제 57 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자수송층의 사이에, 정공을 트랩할 수 있고, 상기 전자수송층을 위해 사용된 전자수송성 재료의 에너지갭보다 작은 에너지갭을 갖는 정공 트랩재료로 형성된정공 트랩영역설치된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 64] 제 63 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 상기 호스트 재료 및 상기 전자수송성 재료보다도 작은이온화전위갖는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 65] 제 63 항에 있어서,상기 정공 트랩영역이, 5nm이하층상인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 66] 제 63 항에 있어서,상기 정공 트랩 영역이,섬모양형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 67] 제 63 항에 있어서,상기 정공 트랩 재료는, 탄소수가 18 이상의 방향족 탄화수소화합물,또는탄소동소체인것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 68] 제 57 항에 있어서,상기 게스트 재료의 발광 스펙트럼의 피크 파장이 600nm∼700nm이고,상기호스트재료의분자의쌍극자 모멘트이상인것을특징으로 하는전계발광소자.