비휘발성 반도체 기억 장치 document_id 1020040072812

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 선택된 비트 라인이 리셋 전위에 고정되는 동안, 상기 리셋 동작은 선택된 소스 라인에 인가된소정의리셋전압또는전류의펄스형수행되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 선택된 비트 라인과 선택된 소스 라인이 각각의 리셋 전위에 고정되는 동안, 상기 리셋 동작은 선택된 워드 라인에 인가된소정전압의펄스형수행되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 섹터는 서브-섹터로 분할되고, 상기 리셋 동작은 각 서브-섹터 마다 시분할방식처리되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 리셋 동작되는 서브-섹터는 이 서브-섹터내의 메모리 셀에 접속된 비트 라인을 선택함결정되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 리셋 동작되는 서브-섹터는 서브-섹터내의 메모리 셀에 접속된 비트 라인을 리셋 전위로 유지함으로써 결정되며, 이것에 의해 상기 서브-섹터내의 메모리 셀에 접속된 비트 라인이 부동 상태에 있게 되어 다른 서브-섹터선택하지않는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 7] 제 4 항에 있어서,상기 리셋 동작은 메모리 셀의 전기 저항값을 낮추고, 상기 리셋 동작 마다 시분할 방식으로 처리되는 서브-섹터내의 메모리 셀의 저항값이 제어되어하부제한레벨이상의레벨유지하는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 셀의 저항값이 동작 중의 메모리 셀의 저항값과 기준 레벨 간의 비교를 통하여 기준 레벨 이하인 경우, 상기 기록 동작 또는 리셋 동작 동안 메모리 셀의 전기 저항값을 낮추는동작정지되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 리셋 동작은 메모리 셀의 전기 저항값을 낮추고, 상기 리셋 동작되는 각 메모리 셀의 저항값이 소정의 기준 레벨 이하인지 여부를 검사하는 검증 동작이 리셋 동작보다 우선하고 모든 저항값이 기준 레벨 이하인 경우,리셋동작시작되지않는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 리셋 동작은 메모리 셀의 전기 저항값을 낮추며, 상기 리셋 동작되는 각 메모리 셀의 저항값이 제 1 기준 레벨 이하인지 여부를 검사하는 제 1 검증 동작이 리셋 동작보다 우선하고, 모든 저항값이 제 1 기준 레벨 이하인 경우, 메모리 셀의 저항값이 제 2 기준 레벨 이상인지 여부를 검사하는 제 2 검증 동작이 수행되고, 모든 저항값이 제 2 기준 레벨 이상인 경우,리셋동작시작되지않는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 제 2 검증 동작에서, 1 이상의 저항값이 제 2 기준 레벨보다 더 높지 않은 경우, 저항값이 제 2 기준 레벨 이상이고 제 1 기준 레벨 이하의 레벨을 지속하는 기록 동작 하에 저항값이 제 2 기준 레벨보다 더 높지 않은 메모리 셀에 대하여상기기록동작수행되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 리셋 동작은 메모리 셀의 전기 저항값을 낮추고, 상기 리셋 동작되는 메모리 셀의 저항값을 상승시키는 기록 동작이리셋동작우선하는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 기록 동작은 메모리 셀의 전기 저항값을 상승시키고, 상기 기록 동작은 메모리 셀의 저항값이 기록 동작 동안 최대에 도달하기 전에 정지하도록제어되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 기록 동작 동안 메모리 셀의 저항값이 최대보다 더 높지 않도록 기설정된 기록 동작 기준 레벨과 비교되고, 상기 기록 동작은 기록 동작 동안 메모리 셀의 저항값이 최대로 도달하기 전에 정지하도록제어되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 기록 동작 동안 메모리 셀의 저항값이 최대보다 더 높지 않도록 기설정된 기록 동작 기준 레벨과 비교되고, 기록 전압이 인가된 지속 시간 또는 기록 동작 동안 메모리 셀의 저항값이 최대로 도달하게 하는 기록 전압의 인가 수가내장형비휘발성기억영역기억되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 기록 동작은 메모리 셀의 전기 저항값을 상승시키고, 상기 기록 동작되는 메모리 셀이 그룹으로 분할되고, 기록 동작이 첫번째의 기록 전압 인가 시에 적어도 상기 그룹 마다 시분할방식수행되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 기록 동작이 진행됨에 따라, 상기 그룹은 이 그룹에서 메모리 셀의 수를 증가시키도록수정되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,상기 기록 동작과 리셋 동작은 소정의 입력 단자 또는 입력/출력 단자로 수신된 명령 데이터에 응답하여수행되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,상기 기록 동작과 리셋 동작은 메모리 셀의 저항값을 검증 또는 비교하는 메모리 셀에서와 같이 동일한 가변 저항 소자에 의해 결정되는기준레벨사용하는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 20] 제 1 항에 있어서,상기 기록 동작과 리셋 동작용의 전용 전원 단자를 포함하는 복수의 전원 단자를 더 구비하며, 여기서 상기 기록 동작이나 리셋 동작 시에 메모리 셀에 의해서 수신된 동작 전류는 전용 단자를 통하여소스전류공급되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 셀의 판독 동작, 기록 동작, 및 리셋 동작 중 어떠한 것도 수행되지 않는 스탠바이 상태에서 비트 라인을 접지 전위에 접속시키는비트라인방전 회로더포함하는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 셀의 저항값과 그 기준 레벨을 비교하는 비교기; 및 기준 저항기를 소정의 저항 레벨로 설정하는 기준 저항 기록 회로를 더 포함하며, 상기 비교기의 두 입력 중 일방의 입력에는 기준 저항 선택 회로를 통하여 복수의 기준 저항기가 접속되고, 상기 기준 저항기는 메모리 셀의 판독 동작, 기록 동작, 리셋 동작, 및 테스트 동작에 사용하는기준레벨제공하는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 23] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 셀은 기록 동작과 리셋 동작이 적어도 각 섹터에 대해 금지되는데이터 보호상태배열되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 24] 제 1 항에 있어서,상기 가변 저항 소자는 cmr(colossal magneto-resistive) 층 및 tmr(tunneling magneto-resistive) 층을 사용하여제조되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치. [청구항 25] 제 1 항에 있어서,상기 가변 저항 소자는 망간을 함유하는 페로브스카이트 구조를 갖는산화물형성되는것을특징으로 하는비휘발성 반도체 기억 장치.