문맥 (context)
[청구항 1]
박막트랜지스터부와 스토리지부를 구비한 기판과
상기 박막트랜지스터부에 형성하는 제 1반도체층 패턴과 상기 스토리지부에 형성하는 제 2반도체층 패턴과
상기 기판 전면에 걸쳐 형성하고 상기 제 2반도체층 패턴 상부에 트랜치를 구비하는 게이트 절연막과
상기 박막트랜지스터부에 형성하고 상기 제 1반도체층 패턴의 채널 영역과 대응되도록 형성하는 제 1금속막 패턴과
상기 스토리지부에 형성하고 상기 제 2반도체층 패턴과 대응되도록 상기 트랜치 상부에 형성하는 제 2금속막 패턴과
상기 기판 전면에 형성하는 층간 절연막과
상기 게이트 절연막 및 층간 절연막을 관통하여 상기 제 1반도체층 패턴의 소스/드레인 영역과 연결된 콘택홀 에 형성되는 소스/드레인 전극과
상기 기판 전면에 걸쳐 형성하는 패시베이션막과
상기 패시베이션막 상부에 비어홀을 통하여 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극과 연결하고 패터닝시켜 형성하는 제 1전극과
상기 제 1전극상에 유기 발광층을 포함하는 유기막 및 제 2전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 제 1전극nan은스토리지부의일부형성되는것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 제 2반도체층 패턴은 캐패시터의 하부전극인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 제 1금속막 패턴은 게이트 전극이고, 상기 제 2금속막 패턴은캐패시터상부 전극인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 스토리지부의 트랜치를 구비한 게이트 절연막 두께는 450å내지인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 패시베이션막은실리콘 산화막물질인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 7]
제 6항에 있어서,상기 패시베이션막의 두께는 14000å내지인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 14]
박막트랜지스터부와 스토리지부를 구비한 기판과
상기 박막트랜지스터부에 형성하는 제 1반도체층 패턴과 상기 스토리지부에 형성하는 제 2반도체층 패턴과
상기 기판 전면에 걸쳐 형성되고 상기 제 2반도체층 패턴 상부에 트랜치를 구비한 게이트 절연막과
상기 박막트랜지스터부에 형성하고 상기 제 1반도체층 패턴의 채널 영역과 대응되도록 형성하는 제 1금속막 패턴과
상기 제 2 반도체층 패턴 상부를 제외한 기판 전면에 형성하는 층간 절연막과
상기 게이트 절연막 및 층간 절연막을 관통하여 상기 제 1반도체층 패턴의 소스/드레인 영역과 연결된 콘택홀 에 형성하는 소스/드레인 전극과
상기 스토리지부에 형성하고 상기 제 2반도체층 패턴과 대응되도록 상기 트랜치 상부에 형성하는 제 2금속막 패턴과
상기 기판 전면에 걸쳐 형성하는 패시베이션막과
상기 패시베이션막 상부에 비어홀을 통하여 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극과 연결하고 패터닝시켜 형성하는 제 1전극과
상기 제 1전극상에 유기 발광층을 포함하는 유기막 및 제 2전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자
[청구항 15]
제 14항에 있어서,상기 제 1전극nan은상기박막트랜지스터부와스토리지부형성되는것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 16]
제 14항에 있어서,상기 제 2반도체층 패턴nan은캐패시터하부 전극인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 17]
제 14항에 있어서,상기 제 1금속막 패턴은 게이트 전극이고, 상기 제 2금속막 패턴은캐패시터상부 전극인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 18]
제 14항에 있어서,상기 스토리지부의 트랜치를 구비한 게이트 절연막 두께는 450å내지인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 19]
제 14항에 있어서,상기 패시베이션막은실리콘 산화막물질인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 20]
제 19항에 있어서,상기 패시베이션막의 두께는 14000å내지인것을특징으로 하는유기전계 발광소자.
[청구항 21]
박막트랜지스터부와 스토리지부를 구비한 기판을 형성하는 단계와
상기 박막트랜지스터부에는 제 1반도체층 패턴과 상기 스토리지부에는 제 2반도체층 패턴을 형성하는 단계와
상기 기판에 게이트 절연막을 적층한 후, 상기 제 2반도체층 패턴 상부에 트랜치를 구비하도록 상기 게이트 절연막을 식각하는 단계와
상기 박막트랜지스터부와 상기 제 1반도체층 패턴의 채널 영역과 대응되도록 제 1금속막 패턴을 형성하는 단계와
상기 기판 전면에 층간 절연막을 형성한 후, 상기 제 2반도체층 패턴 상부의 층간 절연막을 제거하는 단계와
상기 게이트 절연막 및 층간 절연막을 관통하여 상기 제 1반도체층 패턴의 소스/드레인 영역과 연결된 콘택홀에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계와
상기 스토리지부와 상기 제 2반도체층 패턴과 대응되도록 상기 트랜치 상부에 제 2금속막 패턴을 형성하는 단계와
상기 기판 전면에 걸쳐 패시베이션막 을 형성하는 단계와
상기 패시베이션막 상부에 비어홀을 통하여 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극과 연결한 제 1전극을 패터닝시켜 형성하는 단계와
상기 제 1전극상에 유기 발광층을 포함하는 유기막 및 제 2전극을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조 방법
[청구항 23]
제 22항에 있어서,상기 트랜치는건식식각방법형성하는것을특징으로 하는유기전계 발광소자의 제조 방법
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기전계 발광소자의 제조 방법에서 층간 절연막을 형성한 후, 특정 영역의 층간 절연막을 제거하는 공정은 어느 부위를 대상으로 수행되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유기전계 발광소자 제조 공정 중 층간 절연막을 형성한 뒤 특정 영역의 층간 절연막을 제거하는 대상 부위를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction제조 방법(청구항 22)에서 층간 절연막 형성 및 제거 공정에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 기판 전면에 층간 절연막을 형성한 후, 상기 제 2반도체층 패턴 상부의 층간 절연막을 제거하는 단계
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3근거 선택
evidence_selection층간 절연막 제거 공정의 대상이 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 제 2반도체층 패턴 상부의 층간 절연막을 제거하는 단계
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4논리 통합
logical_integration층간 절연막을 형성한 후 제거되는 구체적인 위치가 '제 2반도체층 패턴 상부'임을 확인한다.
- 상기 제 2반도체층 패턴 상부의 층간 절연막을 제거하는 단계
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5결론 도출
conclusion_formulation제거되는 층간 절연막의 대상 부위는 제 2반도체층 패턴 상부이다.
- 상기 제 2반도체층 패턴 상부의 층간 절연막을 제거하는 단계
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변을 추출 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제 2반도체층 패턴 상부
핵심 해석 (core_interpretation)
유기전계 발광소자 제조 시, 스토리지부의 제 2반도체층 패턴 상부에 위치한 층간 절연막을 선택적으로 제거하여 후속 공정을 준비하는 제조 공정을 포함한다.