기판을 처리하는 장치 및 방법 document_id 1020040074895

[청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 기판의 온도를 제어하는 온도제어유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 기판의 온도를 제어하는 온도제어유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 화학물 제공유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 25] 제 5 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 온도제어유닛은 상기 기판을 15 내지유지시키는,기판처리장치. [청구항 26] 제 1 항에 있어서,상기 기판 캐리어, 상기 화학물 제공유닛 및 상기 가스공급유닛을 제어하여 상기 화학물 제공유닛에 의한 화학물의 상기 기판으로의 제공, 및 상기 가스제공유닛에 의한 가스분위기의 상기 기판으로의 제공을 순서대로 수행하게 하는 제어기더 포함하는,기판처리장치. [청구항 27] 제 2 항에 있어서,상기 기판 캐리어, 상기 온도제어유닛 및 상기 가스공급유닛을 제어하여 상기 온도제어유닛에 의한 상기 기판의 온도제어, 및 상기 가스제공유닛에 의한 가스분위기의 상기 기판으로의 제공을 순서대로 수행하게 하는 제어기더 포함하는,기판처리장치. [청구항 28] 제 1 항에 있어서,상기 기판의 온도를 제어하는 온도제어유닛; 및 상기 기판 캐리어, 상기 화학물 제공유닛, 상기 온도 제어유닛 및 상기 가스공급유닛을 제어하여 상기 화학물 제공유닛에 의한 화학물의 상기 기판으로의 제공, 상기 온도제어유닛에 의한 상기 기판의 온도제어, 및 상기 가스제공유닛에 의한 가스분위기의 상기 기판으로의 제공을 순서대로 수행하게 하는 제어기더 포함하는,기판처리장치. [청구항 29] 제 1 항에 있어서,상기 기판을 현상하는 현상유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 30] 제 1 항에 있어서,기판을 현상하는 현상유닛; 상기 기판의 온도를 제어하는 온도제어유닛; 및 상기 기판 캐리어, 상기 화학물 제공유닛, 상기 현상유닛, 상기 온도제어유닛 및 상기 가스공급유닛을 제어하여 상기 화학물 제공유닛에 의한 화학물의 상기 기판으로의 제공, 상기 현상유닛에 의한 상기 기판의 현상, 상기 온도제어유닛에 의한 상기 기판의 온도제어, 및 상기 가스제공유닛에 의한 가스분위기의 상기 기판으로의 제공을 순서대로 수행하게 하는 제어기더 포함하는,기판처리장치. [청구항 31] 제 1 항에 있어서,상기 기판에 화학물을 제공하는 제 2 화합물제공유닛; 상기 기판의 온도를 제어하는 온도제어유닛; 및 상기 기판 캐리어, 상기 화학물 제공유닛, 상기 온도제어유닛 및 상기 가스공급유닛을 제어하여 상기 화학물 제공유닛에 의한 화학물의 상기 기판으로의 제공, 상기 온도제어유닛에 의한 상기 기판의 온도제어, 및 상기 가스제공유닛에 의한 가스분위기의 상기 기판으로의 제공을 순서대로 수행하게 하는 제어기더 포함하는,기판처리장치. [청구항 32] 제 1 항에 있어서,상기 화학물 제공유닛은 기판 상에 형성된 유기막 패턴에 화학물제공하는,기판처리장치. [청구항 33] 제 1 항에 있어서,상기 가스제공유닛은 기판 상에 형성된 유기막 패턴에 가스분위기제공하는,기판처리장치. [청구항 34] 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서,상기 현상유닛은 기판 상에 형성된 유기막 패턴현상하는,기판처리장치. [청구항 35] 제 1 항에 있어서,상기 화학물 제공유닛에 이용되는 화학물은 하나 이상의 산성 화학물함유하는,기판처리장치. [청구항 36] 제 1 항에 있어서,상기 화학물 제공유닛에 이용되는 화학물은 하나 이상의 유기용매포함하는,기판처리장치. [청구항 37] 제 1 항에 있어서,상기 화학물 제공유닛에 이용되는 화학물은 하나 이상의 알칼리성 화학물함유하는,기판처리장치. [청구항 38] 제 37 항에 있어서,상기 화학물 제공유닛은 상기 기판을 현상하기 위한 상기 화학물로서 현상제이용하는,기판처리장치. [청구항 39] 제 29 항, 제 30 항 또는 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 유기막 패턴 중, 상기 기판의 소정의 영역을 피복하고 있는 상기 유기막 패턴의 영역을 광에 노광시키는 노광유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 40] 제 39 항에 있어서,상기 유기막 패턴은 상기 영역 상에 전체에 걸쳐 광을 조사하거나 상기 영역을 스팟광으로 스캐닝함으로써 상기 영역에서 광노광되는,기판처리장치. [청구항 41] 제 39 항에 있어서,상기 소정의 영역은 상기 기판 면적의 1/10 이상의 면적가지는,기판처리장치. [청구항 42] 제 39 항에 있어서,상기 유기막 패턴은 자외선, 형광, 및 자연광 중 하나 이상의 것노광되는,기판처리장치. [청구항 43] 제 1 항, 제 29 항, 제 30 항 또는 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판을 애싱하는 애싱유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 44] 제 39 항에 있어서,상기 기판을 애싱하는 애싱유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 45] 제 43 항에 있어서,상기 애싱유닛은 상기 기판 상에 형성된 막들을 플라즈마, 오존 및 자외선 중 하나 이상의 것에칭하는,기판처리장치. [청구항 46] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유닛들이 동작하는 순서는 변경가능한,기판처리장치. [청구항 47] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유닛들이 동작하는 순서고정되어 있는,기판처리장치. [청구항 48] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유닛들이 동작하는 조건은 변경가능한,기판처리장치. [청구항 49] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,복수의 공통유닛들을포함하는,기판처리장치. [청구항 50] 제 49 항에 있어서,기판들은 상기 공통유닛들에서 처리되는 동안 서로 상이한 방향배치되는,기판처리장치. [청구항 51] 제 50 항에 있어서,기판들은 상기 공통유닛들에서 처리되는동안서로반대방향으로향해있는,기판처리장치. [청구항 52] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 매 회마다 상이한 방향으로 향해 있는 상태에서 상기 유닛들 중 하나 이상의 유닛에서 복수회처리되는,기판처리장치. [청구항 53] 제 52 항에 있어서,상기 기판은 매 회마다 반대 방향으로 향해 있는 상태에서 상기 유닛들 중 하나 이상의 유닛에서 복수회처리되는,기판처리장치. [청구항 54] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 상기 유닛들 중 하나 이상이 유닛에서 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 상이한 제 2 방향처리되는,기판처리장치. [청구항 55] 제 54 항에 있어서,상기 제 1 방향과 제 2 방향은 서로 반대방향인,기판처리장치. [청구항 56] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,폭발 및 발화를 방지하는 기능가지는,기판처리장치. [청구항 57] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스제공유닛은 폭발 및 발화를 방지하는 기능가지는,기판처리장치. [청구항 58] 제 1 항 내지 제 24 항, 제 26 항 내지 제 33 항, 또는 제 35 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판을 에칭하는 에칭유닛더 포함하는,기판처리장치. [청구항 59] 제 1 항에 있어서,상기 화학물 제공유닛은 기판 상에 형성된 상기 유기막 패턴을 마스크로 이용하여, 유기막 패턴 아래에 위치된 하부막을 에칭하여 상기 하부막패터닝하는,기판처리장치. [청구항 81] 제 72 항, 제 73 항 또는 제 74 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리하는 단계를 수행받지 않은 상기 유기막 패턴은 서로 상이한 두께를 가지는 2 이상의 부분을 가지며, 작은 두께를 가진 일부분은상기현상단계에의해제거되는,기판처리방법 [청구항 111] 제 62 항에 있어서,상기 처리하는 단계를 수행받지 않은 상기 유기막 패턴은 서로 상이한 두께를 가지는 2 이상의 부분을 가지며, 작은 두께를 가진 일부분은상기현상단계에의해제거되는,기판처리방법 [청구항 112] 제 69 항에 있어서,상기 처리하는 단계를 수행받지 않은 상기 유기막 패턴은 서로 상이한 두께를 가지는 2 이상의 부분을 가지며, 작은 두께를 가진 일부분은상기현상단계에의해제거되는,기판처리방법 [청구항 113] 제 70 항에 있어서,상기 처리하는 단계를 수행받지 않은 상기 유기막 패턴은 서로 상이한 두께를 가지는 2 이상의 부분을 가지며, 작은 두께를 가진 일부분은상기현상단계에의해제거되는,기판처리방법