반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 document_id 1020040076350

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 겔층nan은물불용성인것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 겔층의 지퍼타입 접합 영역 내에는 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머가 수소 결합되어 있는 복수의 수소 결합 영역과, 상기 수소 결합 영역들 사이에서 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머가 수소 결합되어 있지 않고 상호 루프(loop)를 형성하고 있는결함영역포함되어있는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 결함 영역에는 상기 양성자 주게 폴리머에 연결되어 있는 -coo-기위치되어있는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 결함 영역에는 상기 양성자 주게 폴리머에 연결되어 있는 -coor 기 (식중, r은 치환 또는 비치환된 c1 ∼ c20의 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 c1 ∼ c20의산분해성기위치되어있는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기r은산분해성기인것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기r은실리콘 함유인것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기r은 메틸, 아세틸(이소프로필)(2-메틸-부타-3-온-2-일), t-부틸, 이소노르보닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 3-테트라히드로푸라닐 (3-tetrahydrofuranyl), 3-옥소디클로헥실 (3-oxocyclohexyl), γ-부틸락톤-3-일 (γ-butyllactone-3-yl), 메발로닉락톤 (mavaloniclactone), γ-부티로락톤-2-일 (γ-butyrolactone-2-yl), 3-메틸-γ부티로락톤-3-일 (3-methyl-γ-butyrolactone-3-yl), 2-테트라히드로피라닐 (2-tetrahydropyranyl), 2-테트라히드로푸라닐 (2-tetrahydrofuranyl), 2,3-프로필렌카르보네이트-1-일 (2,3-propylenecarbonate-1-yl), 1-메톡시에틸 (1-methoxyethyl), 1-에톡시에틸 (1-ethoxyethyl), 1-(2-메톡시에톡시)에틸 (1-(2-methoxyethoxy)ethyl), 1-(2-아세톡시에톡시)에틸 (1-(2-acetoxyethoxy)ethyl), t-부톡시카르보닐메틸 (t-buthoxycarbonylmethyl), 메톡시메틸 (methoxymethyl), 에톡시메틸 (ethoxymethyl), 트리메톡시실릴 (trimethoxysilyl) 및 트리에톡시실릴 (triethoxysilyl)로 이루어지는군선택되는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 양성자주게 폴리머는 -cooh 또는 -coor 기 (식중, r은 치환 또는 비치환된 c1 ∼ c20의 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 c1 ∼ c20의 산분해성 기)를 가지는모노머유니트반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 양성자주게 폴리머는 다음의 아크릴산 모노머 유니트 및 말레산 모노머 유니트 중에서 선택되는 적어도 하나의 제1 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 마스크 패턴. 식중, r1은 수소 원자 또는 메틸기이고, r2, r3 및 r4는 각각 수소 원자, 치환 또는 비치환된 c1 ∼ c20의 탄화수소기, 또는 치환비치환된c1 ∼ c20의 산분해성 기임. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 양성자주게 폴리머는 아크릴아미드 타입 모노머 유니트, 비닐 타입 모노머 유니트, 알킬렌글리콜 타입 모노머 유니트, 무수말레인산 모노머 유니트, 에틸렌이민 모노머 유니트, 옥사졸린기(oxazoline group)를 포함하는 모노머 유니트, 아크릴로니트릴 모노머 유니트, 알릴아미드 모노머 유니트, 3,4-디히드로피란 모노머 유니트 및 2,3-디히드로퓨란 모노머 유니트 중에서 선택되는적어도하나의제2반복 단위더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 양성자주게 폴리머는 1,000 ∼ 100,000 달톤(daltons)의중량 평균 분자량가지는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 아미도기(amido group)를 가지는 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는 비닐 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. 식중, r5는 수소 원자 또는 메틸기이고, r6 및 r7은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 c1 ∼ c5의 알킬기이고, r6 및 r7은 -r6-r7-의 형태로 결합 가능함. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. 식중, n은 1 ∼ 5의 정수임. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 비닐 피롤리돈 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 비닐 카프롤락탐 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는 비닐 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. 식중, r8은 수소 원자 또는 메틸기이고, r9 및 r10은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, n-프로필기, 또는 i-프로필기임. [청구항 19] 제13항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 아크릴 타입 모노머 유니트, 비닐 타입 모노머 유니트, 알킬렌글리콜 타입 모노머 유니트, 에틸렌이민 모노머 유니트, 옥사졸린기(oxazoline group)를 포함하는 모노머 유니트, 아크릴로니트릴 모노머 유니트, 알릴아미드 모노머 유니트, 3,4-디히드로피란 모노머 유니트 및 2,3-디히드로퓨란 모노머 유니트 중에서 선택되는적어도하나의제2반복 단위더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 1,000 ∼ 100,000 달톤(daltons)의중량 평균 분자량가지는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 21] 제1항에 있어서,상기 겔층nan은계면활성제더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 22] 제1항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 노볼락(novolak) 수지와 dnq(diazonaphthoquinone)계 화합물을 포함하는재료구성된것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 23] 제1항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 pag(photo acid generator)를 포함하는화학증폭형레지스트조성물구성된것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 24] 제1항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 g-라인용 레지스트 조성물, i-라인용 레지스트 조성물, krf 엑시머 레이저(248nm)용 레지스트 조성물, arf 엑시머 레이저(193nm)용 레지스트 조성물, f2 엑시머 레이저(157nm)용 레지스트 조성물, 또는 e-빔용레지스트조성물로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 25] 제1항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 포지티브형 레지스트 조성물 또는 네가티브형레지스트조성물로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 26] 제1항에 있어서,상기 레지스트 패턴에는 홀 패턴을 한정하도록복수의개구부형성되어있는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 27] 제1항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 라인 앤드 스페이스 (line and space) 패턴을 한정하도록복수의라인패턴구성되어있는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 양성자주게 폴리머는 다음의 아크릴산 모노머 유니트 및 말레산 모노머 유니트 중에서 선택되는 적어도 하나의 제1 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 형성 방법. 식중, r1은 수소 원자 또는 메틸기이고, r2, r3 및 r4는 각각 수소 원자, 치환 또는 비치환된 c1 ∼ c20의 탄화수소기, 또는 치환비치환된c1 ∼ c20의 산 분해성 기임. [청구항 45] 제44항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는 비닐 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴 형성 방법. 식중, r5는 수소 원자 또는 메틸기이고, r6 및 r7은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 c1 ∼ c5의 알킬기이고, r6 및 r7은 -r6-r7-의 형태로 결합 가능함. [청구항 46] 제45항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴 형성 방법. 식중, n은 1 ∼ 5의 정수임. [청구항 49] 제29항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는 비닐 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자 제조용 마스크 패턴 형성 방법. 식중, r8은 수소 원자 또는 메틸기이고, r9 및 r10은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, n-프로필기, 또는 i-프로필기임. [청구항 67] 제66항에 있어서,상기 양성자주게 폴리머는 다음의 아크릴산 모노머 유니트 및 말레산 모노머 유니트 중에서 선택되는 적어도 하나의 제1 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법. 식중, r1은 수소 원자 또는 메틸기이고, r2, r3 및 r4는 각각 수소 원자, 치환 또는 비치환된 c1 ∼ c20의 탄화수소기, 또는 치환비치환된c1 ∼ c20의 산분해성 기임. [청구항 71] 제70항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는 비닐 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 제조 방법. 식중, r5는 수소 원자 또는 메틸기이고, r6 및 r7은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 c1 ∼ c5의 알킬기이고, r6 및 r7은 -r6-r7-의 형태로 결합 가능함. [청구항 72] 제71항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 제조 방법. 식중, n은 1 ∼ 5의 정수임. [청구항 75] 제55항에 있어서,상기 양성자받게 폴리머는 다음 식으로 표시되는 비닐 모노머 유니트로 이루어지는제1반복 단위포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 제조 방법. 식중, r8은 수소 원자 또는 메틸기이고, r9 및 r10은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, n-프로필기, 또는 i-프로필기임.