대기압 대면적 플라즈마 발생장치 document_id 1020040078212

[청구항 1] 피처리물을 플라즈마로 가공하기 위한 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 피처리물로부터 소정의 간격만큼 이격된 전원극 상기 전원극과 상기 피처리물 사이에 개재되는 제1 유전체막 상기 전원극에 인접하게 배치되어, 상기 전원극 및 상기 피처리물 간에서 생성되는 메인 플라즈마보다 낮은 파워에서 보조 플라즈마 를 생성하는 보조 플라즈마 접지극 상기 전원극과 상기 보조 플라즈마 접지극 사이에 개재되는 제2 유전체막 상기 전원극 및 상기 보조 플라즈마 접지극 사이로 플라즈마 반응을 위한 혼합가스를 제공하기 위한 가스 유입부; 및 상기 전원극으로 인가되는 rf 전원을 제어하는 전원 컨트롤러 를 구비하고, 상기 플라즈마 발생장치가 작동하는 동안, 상기 전원 컨트롤러는 상기 전원극 및 상기 보조 플라즈마 접지극 사이에 보조 플라즈마를 유지하고, 상기 rf 전원을 증감하여 상기 전원극 및 상기 피처리물 사이에서 플라즈마가 직접 피처리물에 직접 닿는 메인 플라즈마의 생성을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전원극에 대응하여 상기 피처리물에 인접하게 배치되어 상기 메인 플라즈마를 생성하기 위한메인플라즈마접지극더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,플라즈마 접지극은 접지된 상태를 유지하면서 상기 피처리물을 이송할 수 있는컨베이어장치인것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 전원극과 인접하게 배치되는 캐패시턴스 접지극 및 상기 캐패시턴스 접지극과 상기 전원극 사이에 개재되는제3유전체막더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,패시턴스 접지극 및 상기 보조 플라즈마 접지극은 일체로 형성되어 하나의 접지 몸체를 제공하고, 상기 가스 유입부는 상기 접지 몸체의 내부에 형성된가스 유입경로인것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 전원극은 평판형으로 형성되어 상기 피처리물 상에서 상기 피처리물과 일정한 간격을 유지하며, 상기 보조 플라즈마 접지극 및 상기 캐패시턴스 접지극도 평판형으로 형성되고, 상기 보조 플라즈마 접지극 및 상기 캐패시턴스 접지극은 상기 제2 및 제3 유전체막을 사이에 두고상기전원극면접하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 가스 유입경로는 외부로부터 상기 혼합가스를 유입하는 제1 유입로, 상기 제1 유입로와 연통되며 상기 전원극과 나란하게 형성되는 제2 유입로, 및 상기 유전체막으로 덮힌 상기 전원극으로 상기 혼합가스를 공급하기 위해 상기 제2 유입로의 내부 벽면에 형성된복수개의오리피스포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 가스 유입부는 상기 보조 플라즈마 접지극 및 상기 유전체막 사이에 제공되는 유입 챔버를 더 포함하며, 상기 오리피스는 상기 제2 유입로및상기유입챔버연결하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 9] 제4항에 있어서,상기 제1 내지 제3 유전체막은 상기 전원극의 표면을 따라일체형성된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 보조 플라즈마 접지극 및 상기 유전체막 사이에 위치하는 방전침 및 상기 방전침과 전기적으로 연결된 이그나이터더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 방전침과 상기이그나이터를 연결하는 도선은 소정의 간격을 두고 이격된갭포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 피처리물의 이송 경로에 수직하게 복수개의 상기 전원극 및 상기 제1 유전체막이 병렬로 배치되며, 상기 전원극 사이 각각에는 상기 보조 플라즈마 접지극이 개재되고, 상기 보조 플라즈마 접지극의 양측으로 상기 전원극 및 상기 보조 플라즈마 접지극의 사이에는상기제2유전체막제공되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 13] 피처리물을 플라즈마로 가공하기 위한 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 피처리물로부터 소정의 간격만큼 이격된 복수개의 전원극 각각의 상기 전원극에 인접하게 배치되어, 상기 전원극 및 상기 피처리물 간에서 생성되는 메인 플라즈마보다 낮은 파워에서 보조 플라즈마 를 생성하는 복수개의 보조 플라즈마 접지극 상기 전원극과 상기 보조 플라즈마 접지극 및 상기 피처리물 사이에 개재되는 유전체막 각각의 상기 전원극 및 상기 보조 플라즈마 접지극 사이로 플라즈마 반응을 위한 혼합가스를 제공하기 위한 가스 유입부; 및 상기 전원극으로 인가되는 rf 전원을 제어하는 전원 컨트롤러 를 구비하고, 상기 플라즈마 발생장치가 작동하는 동안, 상기 전원 컨트롤러는 상기 전원극 및 상기 보조 플라즈마 접지극 사이에 보조 플라즈마를 유지하고, 상기 rf 전원을 증감하여 상기 전원극 및 상기 피처리물 사이에서 플라즈마가 직접 피처리물에 직접 닿는 메인 플라즈마의 생성을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치 [청구항 14] 제13항에 있어서,복수개의 상기 전원극에 대응하여 상기 피처리물에 인접하게 배치되어 상기 메인 플라즈마를 생성하기 위한 하나의 메인플라즈마접지극더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 보조 플라즈마 접지극과 일체를 이루며 각각의 상기 전원극 사이에 개재되는 캐패시턴스 접지극을 포함하고, 상기 유전체막은 연장되어 상기 캐패시턴스접지극및상기전원극사이개재되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 가스 유입부는 외부로부터 상기 혼합가스를 유입하는 제1 유입로, 상기 제1 유입로와 연통되며 상기 전원극과 나란하게 형성되는 제2 유입로, 및 상기 유전체막으로 덮힌 상기 전원극으로 상기 혼합가스를 공급하기 위해 상기 제2 유입로의 내부 벽면에 형성된복수개의오리피스포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 가스 유입부는 상기 보조 플라즈마 접지극 및 상기 유전체막 사이에 제공되는 유입 챔버를 더 포함하며, 상기 오리피스는 상기 제2 유입로및상기유입챔버연결하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 보조 플라즈마 접지극 및 상기 유전체막 사이에 위치하는 방전침 및 상기 방전침과 전기적으로 연결된 이그나이터를 더 포함하며, 상기 방전침과 상기 이그나이터를 연결하는 도선은 소정의 간격을 두고 이격된갭포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치.