기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 document_id 1020040080510

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 장치는, 상기 기판 지지부와 상기 건식 처리부 간의 상대적 거리를 조절하기 위해 상기 기판 지지부 또는 상기 건식 처리부를 상하로 이동시키는수직구동기더포함하는것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 장치는 상기 기판 지지부를 감싸도록 배치되는 보울을 가지며, 상기 보울에는 상기 습식 처리부에 의해 공정 수행시 약액을 회수하는챔버제공되는것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 습식 처리부는, 상기 챔버의 측벽을 통해 이동가능하게 설치되는 노즐 지지대와; 상기 노즐 지지대에 결합되며 약액을 공급하는노즐포함하는것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 보울에는 서로 적층되도록 배치되는 복수개의 상기 챔버들이 제공되고, 각각의 상기 챔버에는상기습식처리부제공되는것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 6] 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 지지부는, 기판이 놓여지는 지지판과; 상기 건식 처리부에 의해 공정 진행시 상기 지지판에 놓여진 기판의 하부면과 접촉되는 하부전극을 포함하고, 상기 건식 처리부는 공정 진행시 상기 기판 지지부에 놓여진 기판의 가장자리부와 대향되어 배치되며, 상기 기판의 가장자리부 상으로 유입된 반응가스를 플라즈마 상태로 변환하는 에너지가 인가되는 상부전극을 포함하며, 공정진행시 상기 기판 지지부에 놓여진 기판과 상기 상부전극은 인접하게 배치되도록 상기 이동부재에 의해 이동되어 상압에서 반응가스가플라즈마 상태변환되는것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 건식 처리부에 의해공정수행시상기상부전극과상기기판의간격이하인것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 8] 제 6항에 있어서,상기 상부전극은 상기 기판의 가장자리부와 대향되도록 배치되고, 상기 건식 처리부는 상기 상부전극 사이에 배치되며, 공정 진행시 상기 기판의 중심부가 플라즈마에 의해 영향을 받는 것을 방지하기 위해 상기 기판 지지부에 놓여진 기판의 중심부와 대향되어 배치되는절연부재더포함하는것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 9] 제 7항에 있어서,상기 기판은 플랫존을 가지고, 상기 상부전극에서 상기 기판과 대향되는 면은 상기 기판에서 상기 플라즈마에 의해 공정이 수행되는 가장자리부와 상응되는형상가지는것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 10] 제 6항에 있어서,상기 지지판은 내부에 상기 하부 전극이 삽입되는 통공이 형성되고, 상기 기판 지지부는 상기 하부 전극을 상하로 이동시키는 전극 구동기를 더 포함하되, 상기 전극 구동기는 상기 습식 처리부에 의해 공정 진행시 상기 하부 전극이 상기 기판 지지부에 놓여진 기판의 하부면으로부터 이격되도록상기하부 전극이동시키는것을특징으로 하는기판 처리 장치.