유기박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기전계 발광표시장치 document_id 1020040082091

[청구항 1] 기판과; 상기 기판상에 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극의 일측과 오버랩되는 소오스 전극과 상기 게이트 전극의 타측과 오버랩되는 드레인 전극과 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 게이트 전극사이에 형성된 게이트 절연막과 상기 기판상에 형성되어 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 접촉되고, 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 반도체층을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극은 투명한 전극물질을 포함하고, 다른 하나의 전극은 상기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한 전극물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유기 절연물질을 포함하고, 상기 반도체층은유기 반도체물질포함하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터. [청구항 3] 제1항에 있어서,하나의 전극은 au, pt, pd 및 mow 로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 하나의 전극은 ito 및 izo로부터 선택되는 투명도전막포함하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터. [청구항 5] 발광영역과 비발광영역을 구비한 기판과 상기 기판상에 형성된 제1전극과 상기 비발광영역상에 형성되어 상기 제1전극의 일측과 오버랩되는 제2전극과 상기 비발광영역상에서 상기 제1전극의 타측과 오버랩되는 제3전극과 상기 제2전극 및 제3전극과 게이트 전극사이에 형성된 절연막과 상기 기판상에 형성된 반도체층을 구비하며, 상기 제2 및 제3전극중 하나의 전극은 상기 발광영역까지 연장 형성되고, 상기 유기 반도체층은 상기 하나의 전극중 상기 발광영역에 형성된 부분을 노출시키는 개구부를 포함하고, 상기 하나의 전극중 상기 유기 반도체층에 형성된 개구부에 의해 노출된 부분은 화소전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치 [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제2전극과 제3전극은 서로 다른전극물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체층을 포함하고, 상기 제2전극과 제3전극중 다른 하나의 전극은 소오스 전극으로서 상기 유기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한전극물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 소오스 전극은 au, pt, pd 및 mow 로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기제2 및 제3전극중 하나의 전극은 드레인 전극으로서, 투명한전극물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 드레인 전극은 ito 및 izo 로부터 선택되는 투명도전막포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 11] 제5항에 있어서,상기 제2전극과 제3전극중 하나의 전극은 투명한전극물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 하나의 전극은 ito 및 izo 로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 13] 제5항에 있어서,상기 제2전극과 제3전극중다른 하나의 전극은 상기 유기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한전극물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,하나의 전극은 au, pt, pd 및 mow 로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 15] 제5항에 있어서,상기 제1절연막은 게이트 절연막으로서유기절연막포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 16] 기판과; 상기 기판상에 배열되는 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과 상기 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 발광영역과 비발광영역을 구비하는 화소영역과 상기 화소영역중 비발광영역에 배열되고, 게이트 전극, 소오스/드레인 전극 및 반도체층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터를 구비하며, 상기 화소영역중 발광영역에 배열되고, 화소전극을 구비하는 표시소자를 포함하고, 상기 소오스/드레인 전극은 서로 다른 전극물질을 포함하고, 상기 유기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극은 상기 화소영역의 발광영역까지 연장형성되고, 상기 하나의 전극중 상기 발광영역까지 연장형성된 부분은 상기 표시소자의 상기 화소전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치 [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체층을 포함하고, 상기 다른 하나의 전극은 소오스 전극으로서 상기 유기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한전극물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 소오스 전극은 au, pt, pd 및 mow 로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 19] 제16항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체층을 포함하고, 상기 하나의 전극은 드레인 전극으로서 투명한전극물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 드레인 전극은 ito 및 izo로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는평판표시장치. [청구항 21] 발광영역 및 비발광영역을 구비한 기판과 상기 기판의 비발광영역에 배열되고, 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측과 각각 오버랩되는 소오스/드레인 전극 및 반도체층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터와 하부전극, 유기막층 및 상부전극을 구비하는 유기발광소자를 구비하며, 상기 유기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극은 상기 발광영역까지 연장형성되고, 상기 유기 반도체층은 상기 하나의 전극중 상기 발광영역에 형성된 부분을 노출시키는 개구부를 구비하며, 상기 하나의 전극중 상기 유기 반도체층의 개구부에 의해 노출되는 부분은 상기 유기발광소자의 하부전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치 [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체층을 포함하고, 상기 소오스 전극과 드레인 전극은 서로 다른전극물질포함하는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 소오스 전극은 상기 유기 반도체층과의 일함수를 맞추기 위한전극물질포함하는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 소오스 전극은 au, pt, pd 및 mow 로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치. [청구항 25] 제22항에 있어서,상기 드레인 전극은 투명한전극물질포함하는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치. [청구항 26] 제26항에 있어서,상기 드레인 전극은 ito 및 izo 로부터 선택되는 투명도전막포함하는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치. [청구항 27] 발광영역 및 비발광영역을 구비한 기판과 상기 기판의 비발광영역에 형성된 게이트 전극과 상기 기판상에 형성된 제1절연막과 상기 비발광영역의 제1절연막상에 형성되어 상기 게이트 전극의 일측과 오버랩되는 소오스전극과 상기 비발광영역의 제1절연막상에 형성되어 상기 게이트 전극의 타측과 오버랩되는 드레인 전극과 상기 드레인 전극으로부터 연장되어 상기 발광영역의 제1절연막상에 형성되는 하부전극과 상기 하부전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 유기 반도체층과 상기 기판상에 형성되어 상기 개구부에 의해 노출되는 하부전극의 일부분을 노출시켜 주기 위한 제2절연막과 상기 제2절연막의 개구부에 의해 노출되는 상기 하부전극상에 형성된 유기막층과 상기 기판상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치 [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 소오스 전극은 au, pt, pd 및 mow 로부터 선택되는금속물질포함하는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 드레인 전극nan은상기드레인 전극선택되는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치. [청구항 30] 제27항에 있어서,제1절연막은 게이트 절연막으로서 유기절연막을 포함하고, 상기 제2절연막은 보호막으로서유기절연막포함하는것을특징으로 하는유기전계 발광표시장치.