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메모리 시스템 및 메모리 모듈 document_id 1020040086380

출원번호
1020040086380
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 블라인드 비어 및 상기 매장형 비어가, 신호 전송 루트에 용장부 (冗長部) 를 갖지 않도록 특정층만을 접속하기 위해, 적층형 블라인드 비어 및 매장형 비어를 포함하고, 상기 메모리 모듈 각각의 상부면 및/또는 하부면 상에 형성되는 복수의 패드 중 적어도 일부가 블라인드 비어 상부 또는 매장형 비어의 상부 또는 하부형성되는메모리 시스템. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 메모리에, 그 사이로 데이터를 전송하기 위하여, 스터브 저항기로서 각각 기능하는 복수의 저항 소자와 스터브를 갖는 복수의 도선접속되는메모리 시스템. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 메모리에, 그 사이로 데이터를 전송하기 위하여, 스터브를 갖지 않는 복수의 단일 스트로크 도선을 통하여 접속되고 상기 각각의 도선의 원단 (遠端종단 저항기에의해종단되는메모리 시스템. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 메모리 각각에, 그 사이로 데이터를 전송하기 위하여, 스터브를 갖지 않는 복수의 도선을 통하여 1 대 1 관계접속되는메모리 시스템. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 모듈 각각에 버퍼가 배열되고, 상기 버퍼에 상기 메모리 제어기가 스터브를 갖지 않는 복수의 단일 스트로크 도선을 통하여 연결되어, 데이터가 상기 버퍼를 통하여 상기 메모리 제어기와 상기 메모리 사이전송되는메모리 시스템. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 패드 중 적어도 몇몇은 상기 블라인드 비어 및/또는 상기 매장형 비어 및 내층 배선을 상기 메모리 모듈 내포함하는메모리 시스템. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 메자닌 커넥터는 데이터 버스용 제 1 커넥터, 및 명령 및 어드레스 버스용 제 2 커넥터를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 커넥터는 상기 메모리 모듈 각각의 대향되는 단부로서 기능하는각각의단부근접하여배열되는메모리 시스템. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 메모리 모듈 중 하나의 메모리 모듈은 상기 메자닌 커넥터와 동일한 타입의 2 개의 커넥터를 가지며, 상기 2 개의 메자닌 커넥터는 서로 대응하여 상기 메모리 모듈의 상부면 및 하부면 상에 배열되며, 상기 메모리 모듈의 내부 배선은 상기 커넥터를 길이측들에 따른 축에 대하여 상기 메모리 모듈을 180° 회전시킴으로써 상기 2 개의 메자닌 커넥터 중 어느하나를상기메모리 모듈접착할수배열되는메모리 시스템. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,각각의 상기 메모리 모듈은 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위하여 패드의 배열 패턴의 길이 방향 중심 도선으로부터 연장되는 도선에 하나 이상의 테이핑된 홀갖는메모리 시스템. [청구항 11] 제 2 항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 메모리에, 그 사이로 데이터를 전송하기 위하여, 각각이 스터브 저항기로서 기능하는 복수의 저항 소자 및 스터브를 갖는 복수의 도선접속되는메모리 시스템. [청구항 12] 제 2 항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 메모리에, 그 사이로 데이터를 전송하기 위하여, 스터브를 갖지 않는 복수의 단일 스트로크 도선을 통하여 접속되고상기각각의도선의원단종단 저항기에의해종단되는메모리 시스템. [청구항 13] 제 2 항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 메모리 각각에, 그 사이로 데이터를 전송하기 위하여, 스터브를 갖지 않는 복수의 도선을 통하여 1 대 1 관계접속되는메모리 시스템. [청구항 14] 제 2 항에 있어서,상기 메모리 모듈 각각에 버퍼가 배열되고, 상기 버퍼에 상기 메모리 제어기가 스터브를 갖지 않는 복수의 단일 스트로크 도선을 통하여 연결되어, 데이터가 상기 버퍼를 통하여 상기 메모리 제어기와 상기 메모리 사이전송되는메모리 시스템. [청구항 15] 제 2 항에 있어서,상기 메자닌 커넥터는 데이터 버스용 제 1 커넥터 및 명령 및 어드레스 버스용 제 2 커넥터를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 커넥터는 상기 메모리 모듈 각각의 반대되는 단부로서 기능하는각각의단부근접하여배열되는메모리 시스템. [청구항 16] 제 2 항에 있어서,상기 메모리 모듈 중 하나는 상기 메자닌 커넥터와 동일한 타입의 2 개의 커넥터를 가지며, 상기 2 개의 메자닌 커넥터는 서로 대응하도록 상기 메모리 모듈의 상부면 및 하부면 상에 배열되며, 상기 메모리 모듈의 내부 배선은 상기 커넥터의 종측에 따른 축에 대하여 상기 메모리 모듈을 180° 회전함으로써 상기 마더보드에 접착가능한메모리 시스템. [청구항 17] 제 2 항에 있어서,상기 메모리 모듈은 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위하여 패드의 배열 패턴의 종측 중심 도선으로부터 연장되는 도선에 하나 이상의 테이핑된 홀갖는메모리 시스템. [청구항 18] 제 3 항에 있어서,상기 스터브 저항기를 실장하기 위한 제 1 패드가, 영역들이 서로 대응되도록 각각의 상기 메모리 모듈의 상부면 및 하부면의 영역에 형성되고, 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 적어도 몇몇의 제 2 패드와 제 1 패드는 상기 블라인드 비어의 상부, 또는 상기 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성되며, 상기 제 1 패드 및 제 2 패드는 각각의 메모리 모듈에 포함되는 내층 배선서로 접속되는메모리 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
메모리 제어기와 메모리 사이의 데이터 전송을 위해 스터브 저항기로 기능하는 복수의 저항 소자와 스터브를 갖는 복수의 도선을 사용하는 메모리 시스템에서, 제 1 패드와 제 2 패드가 형성되는 위치 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    메모리 제어기와 메모리 사이의 데이터 전송을 위해 스터브 저항기(복수의 저항 소자 및 스터브를 갖는 도선)를 사용하는 시스템에서 제 1 패드와 제 2 패드의 위치 관계를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 18에서 스터브 저항기를 실장하기 위한 제 1 패드와 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 제 2 패드에 대한 설명이 나타난다.

    • 상기 스터브 저항기를 실장하기 위한 제 1 패드가, 영역들이 서로 대응되도록 각각의 상기 메모리 모듈의 상부면 및 하부면의 영역에 형성되고, 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 적어도 몇몇의 제 2 패드와 제 1 패드는 상기 블라인드 비어의 상부, 또는 상기 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성되며
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제 1 패드와 제 2 패드가 공통적으로 형성되는 위치인 블라인드 비어 또는 매장형 비어의 상부/하부 구절을 선택한다.

    • 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 적어도 몇몇의 제 2 패드와 제 1 패드는 상기 블라인드 비어의 상부, 또는 상기 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성되며
  4. 4논리 통합logical_integration

    제 1 패드는 메모리 모듈의 상부면 및 하부면에 대응되도록 형성되며, 제 2 패드는 제 1 패드와 마찬가지로 블라인드 비어 또는 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성된다.

    • 상기 스터브 저항기를 실장하기 위한 제 1 패드가, 영역들이 서로 대응되도록 각각의 상기 메모리 모듈의 상부면 및 하부면의 영역에 형성되고, 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 적어도 몇몇의 제 2 패드와 제 1 패드는 상기 블라인드 비어의 상부, 또는 상기 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성되며
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    제 1 패드와 제 2 패드는 모두 블라인드 비어의 상부, 또는 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성된다.

    • 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 적어도 몇몇의 제 2 패드와 제 1 패드는 상기 블라인드 비어의 상부, 또는 상기 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성되며
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 답변을 생성한다.

    • 상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 적어도 몇몇의 제 2 패드와 제 1 패드는 상기 블라인드 비어의 상부, 또는 상기 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성되며
최종 답변 (final_answer)
상기 메자닌 커넥터를 실장하기 위한 적어도 몇몇의 제 2 패드와 제 1 패드는 상기 블라인드 비어의 상부, 또는 상기 매장형 비어의 상부 또는 하부에 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
스터브 저항기 실장을 위한 제 1 패드와 메자닌 커넥터 실장을 위한 제 2 패드가 블라인드 비어 또는 매장형 비어의 상부나 하부에 공통적으로 형성되어 메모리 모듈의 내층 배선과 접속됨을 의미한다.