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유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판표시장치 document_id 1020040091489

출원번호
1020040091489
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 관통부는 상기 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 유기 반도체 층의 외곽부를 따라폐곡선이루는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 관통부는 상기 유기 반도체 층의 상기 소스/드레인 영역및채널 영역이외의영역모두포함하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 유기 반도체 층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 아트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리플로렌-올리고티오펜의 공중합체 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 제 1 절연층은 포토-레지스트포함하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 제 1 절연층은 네가티브 포토-레지스트포함하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 7] 제 6항에 있어서,가티브 포토-레지스트는 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 하이드록시스타이렌계 수지, 페놀계 수지, 폴리페놀계 수지,및이들의유도체중의하나이상포함하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 제 1 절연층의 일면 상에 상기 제 1 절연층을 덮도록제2절연층더구비되는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 제 2 절연층은 sio2, sinx, sion, al2o3, ta2o5, bst, pzt 중의 하나 이상을 포함하는무기 절연층인것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 10] 제 8항에 있어서,상기 제 2 절연층은 pmma(poly methylmethacrylate) 유도체를 포함하는 아크릴계 고분자, ps(polystyrene) 유도체를 포함하는 폴리스타이렌계 공중합체, pvn(poly(1-vinylnaphthalene)) 유도체를 포함하는 폴리비닐아릴렌계 고분자, 폴리부타디엔계 공중합체, 폴리이소부티렌계 공중합체, pvp(poly(4-vinylphenol)) 유도체를 포함하는 페놀계 고분자, 노볼락계 수지, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소로 부분 치환 또는 완전 치환된 불소계 고분자, 파릴렌(parylene) 유도체를 포함하는 p-자일리렌계 고분자, pva(polyvinylalcohol) 유도체를 포함하는 비닐알콜계 고분자, 메틸실록산 고분자 중 적어도 어느 하나를 포함하는고분자계유기 절연층인것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 고분자계 유기 절연층nan은비경화고분자구성되는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 12] 제 10항에 있어서,상기 고분자계 유기 절연층nan은경화고분자구성되는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 13] 제 8항에 있어서,상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층은 동일한재료구성되는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 관통부는 상기 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 유기 반도체 층의 외곽부를 따라폐곡선이루는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 16] 제 14항에 있어서,상기 관통부는 상기 유기 반도체 층의 상기 소스/드레인 영역및채널 영역이외의영역모두포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 17] 제 14항에 있어서,상기 유기 반도체 층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 아트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리플로렌-올리고티오펜의 공중합체 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 18] 제 14항에 있어서,상기 제 1 절연층은 포토-레지스트포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 19] 제 14항에 있어서,상기 제 1 절연층은 네가티브 포토-레지스트포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 20] 제 19항에 있어서,가티브 포토-레지스트는 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 하이드록시스타이렌계 수지, 페놀계 수지, 폴리페놀계 수지,및이들의유도체중의하나이상포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 21] 제 14항에 있어서,상기 제 1 절연층의 일면 상에 상기 제 1 절연층을 덮도록제2절연층더구비되는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 제 2 절연층은 sio2, sinx, sion, al2o3, ta2o5, bst, pzt 중의 하나 이상을 포함하는무기 절연층인것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 23] 제 21항에 있어서,상기 제 2 절연층은 pmma(poly methylmethacrylate) 유도체를 포함하는 아크릴계 고분자, ps(polystyrene) 유도체를 포함하는 폴리스타이렌계 공중합체, pvn(poly(1-vinylnaphthalene)) 유도체를 포함하는 폴리비닐아릴렌계 고분자, 폴리부타디엔계 공중합체, 폴리이소부티렌계 공중합체, pvp(poly(4-vinylphenol)) 유도체를 포함하는 페놀계 고분자, 노볼락계 수지, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소로 부분 치환 또는 완전 치환된 불소계 고분자, 파릴렌(parylene) 유도체를 포함하는 p-자일리렌계 고분자, pva(polyvinylalcohol) 유도체를 포함하는 비닐알콜계 고분자, 메틸실록산 고분자 중 적어도 어느 하나를 포함하는고분자계유기 절연층인것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 24] 제 23항에 있어서,상기 고분자계 유기 절연층nan은비경화고분자구성되는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 25] 제 23항에 있어서,상기 고분자계 유기 절연층nan은경화고분자구성되는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치. [청구항 26] 제 21항에 있어서,상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층은 동일한재료구성되는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
유기 박막 트랜지스터에서 제 1 절연층 위에 구비되는 제 2 절연층이 무기 절연층일 경우, 해당 무기 절연층이 포함할 수 있는 물질들을 모두 나열하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    유기 박막 트랜지스터의 제 2 절연층이 무기 절연층일 경우, 해당 층을 구성할 수 있는 물질들을 모두 찾아 나열해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 9번과 청구항 22번에서 제 2 절연층이 무기 절연층일 때 포함하는 물질들을 명시하고 있다.

    • 상기 제 2 절연층은 sio2, sinx, sion, al2o3, ta2o5, bst, pzt 중의 하나 이상을 포함하는 무기 절연층인 것을 특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    무기 절연층의 구성 물질로 언급된 구절을 선택한다.

    • sio2, sinx, sion, al2o3, ta2o5, bst, pzt
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 물질 리스트(sio2, sinx, sion, al2o3, ta2o5, bst, pzt)가 질문에서 요구하는 무기 절연층의 구성 물질임을 확인한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    선택된 물질들을 리스트 형식으로 정리하여 최종 답변을 구성한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 직접적인 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)
sio2, sinx, sion, al2o3, ta2o5, bst, pzt
핵심 해석 (core_interpretation)
유기 박막 트랜지스터의 제 2 절연층이 무기물로 구성될 경우, 사용 가능한 구체적인 화학 물질(sio2, sinx, sion, al2o3, ta2o5, bst, pzt)을 규정하고 있다.