문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 스크린에 연결되어 상기 스크린에 소정 직류전원을 인가하는 직류전원 인가유닛포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 스크린은 상기 프로세스챔버로 주입되는 플라즈마를 상기 플라즈마 처리공간의 여러방향으로 분배하도록 다수의 분배홀이 형성된 가스분배 플레이트이며, 상기 이온트랩수단은 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트의 상하 표면에 각각 형성된요철면포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 스크린은 상기 프로세스챔버로 주입되는 플라즈마를 상기 플라즈마 처리공간의 여러방향으로 분배하도록 다수의 분배홀이 형성된 가스분배 플레이트이며, 상기 이온트랩수단은 상기 가스분배 플레이트에 설치되어 상기 가스분배 플레이트를 상호 절연되는 복수의 영역으로 구분하는 적어도 하나이상의 절연체와, 상기 영역들에 각각 연결되어 상기 영역들마다 별도의 네가티브 직류전원을 인가하는 적어도 둘 이상의 직류전원 인가유닛포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 5]
제 4항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트의 상하 표면에 각각 형성된요철면포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 직류전원인가유닛은 상기 영역들마다 각각 서로다른 크기의 네가티브직류전원인가하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 7]
제 5항에 있어서,상기 절연체는 상기 가스분배 플레이트를 센터부와, 에지부 및, 상기 센터부와 에지부의 사이인 중간부로 구분하고, 상기 직류전원 인가유닛은 상기 센터부에 네가티브 직류전원을 인가하는 제1직류전원 인가유닛과, 상기 에지부에 네가티브 직류전원을 인가하는 제2직류전원 인가유닛 및, 상기 중간부에 네가티브 직류전원을 인가하는 제3직류전원 인가유닛포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 9]
제 8항에 있어서,상기 제1가스분배 플레이트와 상기 제2가스분배 플레이트 중적어도 어느 하나는 회전가능하게 설치되고, 상기 회전가능하게 설치된 가스분배 플레이트에는 상기 가스분배 플레이트를 회전시키도록회전유닛결합된것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 제1가스분배 플레이트와 상기 제2가스분배 플레이트 중 적어도 어느 하나에 연결되어 상기 연결된 가스분배 플레이트에 네가티브 직류전원을 인가하는 직류전원 인가유닛포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트들의 상하 표면에 각각 형성된요철면포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 12]
제 9항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 가스분배 플레이트들에 각각 설치되어 상기 가스분배 플레이트들을 각각 상호 절연되는 복수의 영역으로 구분하는 적어도 둘 이상의 절연체와, 상기 영역들에 각각 연결되어 상기 영역들마다 별도의 네가티브 직류전원을 인가하는 적어도 넷 이상의 직류전원 인가유닛포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 13]
제 12항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트들의 상하 표면에 각각 형성된요철면포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 14]
제 13항에 있어서,상기 직류전원인가유닛은 상기 영역들마다 각각 서로다른 크기의 네가티브직류전원인가하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 15]
제 13항에 있어서,상기 절연체는 상기 가스분배 플레이트들을 각각 센터부와, 에지부 및, 상기 센터부와 에지부의 사이인 중간부로 구분하고, 상기 직류전원 인가유닛은 상기 센터부들에 네가티브 직류전원을 인가하는 제1직류전원 인가유닛과, 상기 에지부들에 네가티브 직류전원을 인가하는 제2직류전원 인가유닛 및, 상기 중간부들에 네가티브 직류전원을 인가하는 제3직류전원 인가유닛포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 16]
제 8항에 있어서,상기 제1가스분배 플레이트와 제2가스분배 플레이트는 모두 회전가능하게 설치되고, 상기 가스분배 플레이트들에는 각각 상기 가스분배 플레이트들을 회전시키도록별도의회전유닛결합된것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 17]
제 16항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 가스분배 플레이트들에 각각 연결되어 상기 가스분배 플레이트들에 네가티브 직류전원을 인가하는 직류전원 인가유닛과, 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트들의 상하 표면에 각각 형성된요철면포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 18]
제 16항에 있어서,상기 이온트랩수단은 상기 가스분배 플레이트들에 각각 설치되어 상기 가스분배 플레이트들을 각각 상호 절연되는 복수의 영역으로 구분하는 적어도 둘 이상의 절연체와, 상기 영역들에 각각 연결되어 상기 영역들마다 별도의 네가티브 직류전원을 인가하는 적어도 넷 이상의 직류전원 인가유닛 및, 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트들의 상하 표면에 각각 형성된요철면포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 19]
제 18항에 있어서,상기 직류전원인가유닛은 상기 영역들마다 각각 서로다른 크기의 네가티브직류전원인가하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
[청구항 20]
제 18항에 있어서,상기 절연체는 상기 가스분배 플레이트들을 각각 센터부와, 에지부 및, 상기 센터부와 에지부의 사이인 중간부로 구분하고, 상기 직류전원 인가유닛은 상기 센터부들에 네가티브 직류전원을 인가하는 제1직류전원 인가유닛과, 상기 에지부들에 네가티브 직류전원을 인가하는 제2직류전원 인가유닛 및, 상기 중간부들에 네가티브 직류전원을 인가하는 제3직류전원 인가유닛포함한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
플라즈마 처리장치에서 이온트랩수단이 가스분배 플레이트의 상하 표면에 요철면을 형성함으로써 얻을 수 있는 효과는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이온트랩수단이 가스분배 플레이트의 상하 표면에 요철면을 형성함으로써 얻는 기능적 효과를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3, 5, 11, 13, 17, 18 등에서 이온트랩수단과 요철면의 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 이온트랩수단은 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트의 상하 표면에 각각 형성된요철면포함한것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection요철면의 목적이 명시된 구절인 '플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록'을 선택한다.
- 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록 상기 가스분배 플레이트들의 상하 표면에 각각 형성된요철면
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4논리 통합
logical_integration요철면이 형성되면 표면적이 넓어지므로, 결과적으로 플라즈마 이온과의 접촉 면적이 늘어난다는 논리를 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 요철면의 효과인 '플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키는 것'을 정리한다.
- 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록
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6답변 생성
answer_generation추출된 근거를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시키도록
최종 답변 (final_answer)
상기 플라즈마 이온이 접촉되는 면적을 증대시킨다.
핵심 해석 (core_interpretation)
가스분배 플레이트 표면에 요철을 형성하여 플라즈마 이온과의 접촉 면적을 극대화함으로써 이온 트래핑 효율을 높이는 기술적 구성이다.